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最新专利技术
  • 用于选择性沉积的预处理衬底
    用于选择性沉积的预处理衬底_朗姆研究公司_202480060698.8
    一示例提供用于处理衬底的方法。所述方法包含执行多区域衬底表面的预处理，多区域衬底包括含多晶硅半导体、含硅氮化物、或含硅氧化物中的两者或更多者的区域。每一区域上的所述表面包含天然氧化硅层。所述预处理包含基于溶剂的气相蚀刻工艺，其中至少使氟化氢...
    2026-04-28
  • 全局平坦化方法
    全局平坦化方法_布鲁尔科技公司_202480060187.6
    提供了用于微电子基材的全局平坦化的组合物和方法。所述方法包括：对基材表面、或者所述基材表面上的任意中间层施加交联改性剂组合物。随后，可对交联改性剂层施加平坦化材料，这影响平坦化层中的交联度。取决于下方基材(或中间层)的具体形貌，在后续显影回...
    2026-04-28
  • 粘合片材和物体的处理方法
    粘合片材和物体的处理方法_琳得科株式会社_202480060320.8
    本发明能通过更温和的操作来拾取保持于粘合片材的物体，该粘合片材具备在表面具有凹凸的粘合层。一种粘合片材，该粘合片材具备表面具有凹凸的粘合层。在以接触压力0.3MPa将具有5.0mm×5.0mm的尺寸的硅芯片的镜面按压于粘合片材的粘合层后，将...
    2026-04-28
  • 粘合片材和物体的处理方法
    粘合片材和物体的处理方法_琳得科株式会社_202480060323.1
    本发明能通过更温和的操作来拾取保持于粘合片材的物体，该粘合片材具备在表面具有凹凸的粘合层。一种粘合片材，其具备表面具有凹凸的粘合层。粘合层的以剥离角度180度、剥离速度300mm/min测定的对硅镜面的粘合力为35mN/50mm以下。
    2026-04-28
  • 置物台运动分布曲线系统及方法
    置物台运动分布曲线系统及方法_科磊股份有限公司_202480060284.5
    公开一种用于产生运动分布曲线的系统。所述系统包含控制器。所述控制器接收置物台的目标位置。所述控制器产生用于将所述置物台过渡到所述目标位置的运动分布曲线。所述运动分布曲线包含具有依据时间而变化的一或多个区段的加速度分布曲线。所述控制器通过以下...
    2026-04-28
  • 模块化基板支撑组件
    模块化基板支撑组件_应用材料公司_202480060495.9
    一种静电卡盘组件包括：第一圆盘板，此第一圆盘板包括一或多个第一功能元件；第二圆盘板，此第二圆盘板包括一或多个第二功能元件；以及接口层，此接口层至少部分地键合此第一圆盘板及此第二圆盘板。
    2026-04-28
  • 基座热传递
    基座热传递_应用材料公司_202480060702.0
    一种基板支撑组件，包括轴以及设置在该轴上的基座。该基座被配置为在基板处理操作期间在处理腔室中支撑基板。该基板支撑组件包括冷却特征，该冷却特征被配置为在该基板处理操作之后以每分钟大于2摄氏度的冷却速率冷却该基座。
    2026-04-28
  • 含金属硬模中的粘附改良
    含金属硬模中的粘附改良_应用材料公司_202480060197.X
    半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供处理前驱物。基板可安置在处理区域内。所述方法可包括使基板的表面与处理前驱物接触。所述方法可包括向处理区域提供沉积前驱物。沉积前驱物可包括含金属前驱物。所述方法可包括形成沉积前驱物的等...
    2026-04-28
  • 过孔填充的方法
    过孔填充的方法_东京毅力科创株式会社_202480059663.2
    一种加工衬底的方法包括：将该衬底暴露于要吸附在该衬底上的含硼前体，其中该衬底包括形成在导电层上的介电层，并且该导电层暴露在形成在该介电层中的凹部的底部处。该方法包括：将所吸附的含硼前体暴露于等离子体；以及通过气相沉积工艺用导电填充材料自下而...
    2026-04-28
  • 包括高容量低时延存储存储器的处理核心
    包括高容量低时延存储存储器的处理核心_桑迪士克科技股份有限公司_202480059916.6
    一种非易失性存储器叠堆，该非易失性存储器叠堆提供对专用处理器诸如AI处理器的高带宽支持。高带宽闪存(HBF)叠堆可为整体的，包括全部都是非易失性存储器还有一个存储器控制器，或者它可为混合的，包括非易失性和易失性存储器的混合还有控制器。该处理...
    2026-04-28
  • 嵌入在互连金属层中的缓冲器晶体管和反相器晶体管
    嵌入在互连金属层中的缓冲器晶体管和反相器晶体管_苹果公司_202480060977.4
    描述了具有在顶侧BEOL(后段制程)金属层之间形成的缓冲器晶体管或反相器晶体管的集成电路器件。缓冲器晶体管或反相器晶体管包括可以在顶侧金属层之间的空间中形成的有源区和源极/漏极。在某些实例中，晶体管是在离衬底最远的金属层之间形成的。晶体管连...
    2026-04-28
  • 包括位于金属化部分之间的桥接件的封装件
    包括位于金属化部分之间的桥接件的封装件_高通股份有限公司_202480059951.8
    一种封装件包括：第一金属化部分；第一集成设备，所述第一集成设备耦合到所述第一金属化部分；桥接件，该桥接件耦合到第一金属化部分；包封层，该包封层耦合到第一金属化部分；第二金属化部分，该第二金属化部分耦合到桥接件和包封层，使得第一集成器件、桥接...
    2026-04-28
  • 铜系线材及半导体元件
    铜系线材及半导体元件_古河电气工业株式会社_202580004647.8
    本发明提供一种铜系线材及使用了所述铜系线材的半导体元件，所述铜系线材即使在使用铜系线材的半导体元件等构件小型化的情况下，与半导体晶片等接合配对件接合时也不易损坏接合配对件，并且能够提高对于接合配对件的接合性。铜系线材含有99.96质量%以上...
    2026-04-28
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480060357.0
    本发明提供一种可靠性高的半导体装置，在利用高耐热环氧树脂对搭载有功率半导体芯片的绝缘电路基板进行密封的半导体装置中，能够抑制高耐热环氧树脂与绝缘电路基板的配线之间的剥离。其特征在于，具备：功率半导体芯片；绝缘电路基板，其搭载所述功率半导体芯...
    2026-04-28
  • 复合固体电解质和包括该复合固体电解质的全固态电池
    复合固体电解质和包括该复合固体电解质的全固态电池_三星电机株式会社_202480011722.9
    根据本公开的一种复合固体电解质包括石榴石型固体电解质和包含Cl元素的Li超离子导体型固体电解质。所述Li超离子导体型固体电解质由LiaMbPcCldOe表示，其中，M包括Zn、Al、Ga、Si、Ge、Ti、Mg或它们的组合，a、b、c、d和...
    2026-04-28
  • 一种大粒度偏钒酸铵及其制备方法
    一种大粒度偏钒酸铵及其制备方法_滨州鑫程新材料有限公司_202511023849.5
    本发明属于湿法提钒技术领域，具体涉及了一种大粒度偏钒酸铵及其制备方法。包括以下步骤：(1)含钒原液的制备；(2)将铵盐和高分子量聚乙二醇溶于水中，加碱调节pH，得铵盐溶液；(3)将低分子量聚乙二醇加入含钒原液中，得改性含钒原液；(4)将铵盐...
    2026-04-28
  • 基于PIV的深海冷泉系统甲烷气体释放模拟装置及方法
    基于PIV的深海冷泉系统甲烷气体释放模拟装置及方法_崂山国家实验室_202511806874.0
    本发明涉及海洋工程地质研究技术领域，特别是一种基于PIV的深海冷泉系统甲烷气体释放模拟装置及方法。包括：稳压供气模块，包括气泡发生反应釜和膜式气液稳压装置，膜式气液稳压装置并联设置在气泡发生反应釜与模拟反应模块连接的供气管路上；模拟反应模块...
    2026-04-28
  • 一种低温等离子清洗机智能预测维护方法及系统
    一种低温等离子清洗机智能预测维护方法及系统_西安佰川机电设备制造有限公司_202511842745.7
    本发明涉及工业设备智能预测维护技术领域，具体为一种低温等离子清洗机智能预测维护方法及系统；所述方法包括：采集设定功率、实际输出功率、喷嘴入口气压、喷枪温度、控制指令以及所有数据的时间戳，建立运行时序数据集；基于运行时序数据集计算得到放电路径...
    2026-04-28
  • 一种消防工程用灭火设备
    一种消防工程用灭火设备_福建省越增建设工程有限公司_202610039007.7
    本发明属于便携式消防技术领域，具体公开了一种消防工程用灭火设备，包括灭火器罐体，所述灭火器罐体的底部设置有运输模块，所述灭火器罐体的侧面套设有背戴模块，所述背戴模块的向外一侧安装有固定模块，所述灭火器罐体的内部设置有灭火剂用储存腔，所述灭火...
    2026-04-28
  • 一种再生资源分拣回收装置及方法
    一种再生资源分拣回收装置及方法_广州市新伟环保资源科技有限公司_202511943301.2
    本发明公开了一种再生资源分拣回收装置及方法，涉及资源分拣回收技术领域，包括筛分框，所述筛分框的底部外壁固定连接有支撑架，所述支撑架的底部外壁固定连接有弹簧，所述弹簧远离所述支撑架的一端固定连接有底架；所述筛分框的底部内壁开设有等距离分布的第...
    2026-04-28
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