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最新专利技术
  • 一种乔灌草-陆水生协同的多层次生境改造修复装置及方法
    一种乔灌草-陆水生协同的多层次生境改造修复装置及方法_生态环境部卫星环境应用中心_202510602263.8
    本发明公开了一种乔灌草‑陆水生协同的多层次生境改造修复装置及方法，包括移动车体，设于移动车体上的陆地修复单元以及连接移动车体的水生生物投放单元；其中，所述陆地修复单元包括设于移动车体上的种植机构；所述种植机构包括：升降设备，连接有承载架，所...
    2025-12-07
  • 一种高产型杂交稻轻简栽培方法
    一种高产型杂交稻轻简栽培方法_常德市农林科学研究院_202510602217.8
    本发明涉及农业种植技术领域，尤其涉及一种高产型杂交稻轻简栽培方法，包括以下步骤：S1、适时播种，避过不良天气影响；S2、增加杂交稻用种和基本苗数，大幅度增加有效穗；S3、保持较高的用肥水平，科学的肥水管理；S4、抓好后期管理；S5、落实抗倒...
    2025-12-07
  • 一种提高幼龄茶树定植成活率的种植方法
    一种提高幼龄茶树定植成活率的种植方法_广西南亚热带农业科学研究所_202510604794.0
    本发明专利公开了一种提高幼龄茶树定植成活率的种植方法，具体涉及植物栽培方法领域。包括如下步骤：选择平地、缓坡或山地，按梯面宽度1.0m～1.5m开垦成等高梯级园地；若坡度＞25°的山地茶园，应顺坡等高种植；在茶树定植7天前，选择扦插1～2年...
    2025-12-07
  • 一种果树种植用水肥一体化滴灌装置及使用方法
    一种果树种植用水肥一体化滴灌装置及使用方法_临汾市乡村振兴研究院(临汾市果蔬药茶发展指导中心)_202510606515.4
    本发明提供一种果树种植用水肥一体化滴灌装置及使用方法，属于果树滴灌种植技术领域。包括机体，所述机体的表面安装有控制中心，所述机体的内部安装有混合搅动桶，所述混合搅动桶的一端安装有进水口，所述混合搅动桶的底部安装有出液管，所述机体的一端安装有...
    2025-12-07
  • 一种可调整深度的中药种植用高效播种装置
    一种可调整深度的中药种植用高效播种装置_怀化市万福药业有限公司_202510605884.1
    本发明公开了一种可调整深度的中药种植用高效播种装置，涉及农业种植机械技术领域，包括具有扶手的车架；所述车架上通过两连杆转动安装有多个车轮，靠近所述扶手的连杆上转动安装有滚轴，远离所述扶手的连杆上安装有松土结构；所述车架上固定安装有储水箱，所...
    2025-12-07
  • 苄酯盐酸盐在钙钛矿电池中的应用、钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸光层、钙钛矿电池及制备方法
    苄酯盐酸盐在钙钛矿电池中的应用、钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸光层、钙钛矿电池及制备方法_天合光能股份有限公司_202510613465.2
    本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，具体提供苄酯盐酸盐在钙钛矿电池中的应用、钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸光层、钙钛矿电池及制备方法。旨在解决现有技术中传统添加剂或钝化剂的单一功能无法同时解决结晶控制、界面优化和稳定性增强的多重需求的问题。为此...
    2025-12-07
  • 含有重构界面的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    含有重构界面的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510614111.X
    本发明提供了一种含有重构界面的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括：步骤S1，提供导电基底层，并在导电基底层的一侧表面上依次制备电子传输层和钙钛矿吸光层；步骤S2，将界面重构盐配制为盐溶液，界面重构盐中含有氨基胍结构；步骤S3，将盐...
    2025-12-07
  • 一种显示面板、显示装置、PIN二极管的制备方法
    一种显示面板、显示装置、PIN二极管的制备方法_武汉天马微电子有限公司_202510616537.9
    本发明提供了一种显示面板、显示装置、PIN二极管的制备方法，涉及半导体技术领域。由于显示面板的阵列层在制备过程中本身就会采用离子注入的方式形成一些膜层，因此在本申请中首先将PIN二极管集成设置在阵列层中，其次在制备阵列层的过程中，通过阵列层...
    2025-12-07
  • 光电探测器、光电探测系统及光电探测方法
    光电探测器、光电探测系统及光电探测方法_西湖大学_202510611745.X
    本申请公开了一种光电探测器、光电探测系统和光电探测方法。该光电探测器包括至少两个透明光电探测阵列；至少两个透明光电探测阵列沿光轴方向以预设间距平行堆叠设置，形成至少两层透明光电探测阵列；在光源的光信号穿透每层透明光电探测阵列的情况下，每层透...
    2025-12-07
  • 钙钛矿异质结太阳能电池及其制备方法
    钙钛矿异质结太阳能电池及其制备方法_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510614015.5
    本申请提供了一种钙钛矿异质结太阳能电池及其制备方法。本申请提供的钙钛矿异质结太阳能电池包括依次层叠设置的衬底电极、空穴传输层、二维材料功能层、钙钛矿吸光层、电子传输层和顶电极；其中，所述二维材料功能层为WSe2薄膜，所...
    2025-12-07
  • 太阳能电池及其制备方法和光电器件
    太阳能电池及其制备方法和光电器件_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202510614110.5
    本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法和光电器件。该太阳能电池包括依次层叠设置的衬底电极、空穴传输层、二维材料吸光层、电子传输层和顶电极，其中，二维材料吸光层为ReSe2薄膜，ReSe2薄膜中Re...
    2025-12-07
  • 一种LED显示屏
    一种LED显示屏_东营文翊教育科技有限公司_202510609039.1
    本发明公开了一种LED显示屏，涉及到LED显示屏技术领域，包括模组基板，所述模组基板的底部两侧均设置有卡接头，所述模组基板的内部设置有散热板块，所述模组基板的内腔底部设置有安装模版，所述安装模版的内部开设有若干个呈矩形阵列分布的基座槽，所述...
    2025-12-07
  • 一种AM玻璃基小间距显示屏的柔性封装工艺
    一种AM玻璃基小间距显示屏的柔性封装工艺_深圳市艾森视讯科技有限公司_202510608357.6
    本发明提供一种AM玻璃基小间距显示屏的柔性封装工艺，包括基板预处理：使用体积比为3：1的去离子水和异丙醇混合溶液在45‑55℃条件下超声清洗5min后，使用去离子水冲洗2min干燥处理后，通过等离子体活化基板表面；LED芯片巨量转移：将LE...
    2025-12-07
  • 发光二极管中基材的减薄工艺
    发光二极管中基材的减薄工艺_苏州元脑智能科技有限公司_202510615321.0
    本申请公开了一种发光二极管中基材的减薄工艺，涉及LED技术领域，首先对基材的第二表面的边缘进行预减薄处理，可以减少因基材边缘厚度差异导致的贴片后蜡层不均匀现象，进而使得减薄过程较为可控，减薄厚度较为均匀，另外，通过在基材的第一表面上形成蜡层...
    2025-12-07
  • 一种氧化镓紫外光突触器件及其制备方法
    一种氧化镓紫外光突触器件及其制备方法_苏州实验室_202510609630.7
    本发明提供了一种氧化镓紫外光突触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，所述氧化镓紫外光突触器件包括从下到上依次设置的衬底层、氧化镓吸光层和图形化电极；所述氧化镓吸光层，用于在紫外光信号的激励下产生光生载流子，而且，所述氧化镓吸光层具有铁电特...
    2025-12-07
  • 一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的底电池的制备方法、底电池及其叠层太阳电池
    一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的底电池的制备方法、底电池及其叠层太阳电池_滁州捷泰新能源科技有限公司_202510614893.7
    本发明公开了一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的底电池的制备方法，提供表面重掺杂硅层和/或发射极层暴露出来的底电池前驱体，采用ALD法在底电池前驱体的正面或双面上沉积富氢金属氧化物层；采用PECVD法在底电池前驱体背面的发射极层上沉积注氢钝化层；...
    2025-12-07
  • 一种具备复合传导层的电池片的制备方法
    一种具备复合传导层的电池片的制备方法_苏州捷得宝机电设备有限公司_202510609966.3
    本发明提供一种具备复合传导层的电池片的制备方法，包括以下步骤：对电池片本体的P面和N面分别进行图形化开槽，形成电极开口区域，露出P电极和N电极；在电池片本体的P面制备钝化隧穿层；在电池片本体的P面和/或N面的电极开口区域制备欧姆接触层；在电...
    2025-12-07
  • 功率半导体器件及其制造方法
    功率半导体器件及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202510615722.6
    本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：衬底，所述衬底包括沿第一方向相对分布的正面和背面；正面器件结构，包括位于所述衬底的正面上的堆叠器件层、至少沿所述第一方向贯穿所述堆叠器件层的第一沟槽栅极以及位于所述堆叠器件层...
    2025-12-07
  • 基于重构芯片的Chiplet立体集成结构及其制备方法
    基于重构芯片的Chiplet立体集成结构及其制备方法_西安微电子技术研究所_202510611136.4
    本发明公开了基于重构芯片的Chiplet立体集成结构及其制备方法，属于半导体封装技术领域，所述结构包括：基板、嵌入芯粒、铜柱、功能芯粒和有机干膜；所述基板上具有芯片嵌入凹槽，所述嵌入芯粒的Pad面向下设置在所述芯片嵌入凹槽内，所述铜柱贯穿所...
    2025-12-07
  • 一种碳化硅器件及其形成方法
    一种碳化硅器件及其形成方法_飞锃半导体(上海)有限公司_202510614938.0
    本申请提供一种碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底表面形成有碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有漂移区，所述漂移区中形成有沟槽；碳化硅掺杂层，位于所述沟槽底部和侧壁以及所述漂移区表面，所述碳化硅掺杂层的掺...
    2025-12-07
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