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  • 本发明提供一种液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质。液处理装置的一例包括:构成为能够保持基片的基片保持部;构成为能够向基片的表面供给处理液的处理液供给部;构成为能够向基片的表面供给气体的气体供给部;控制部。气体供给部包括扩散喷嘴,...
  • 本发明提出了一种红外双面套刻的独立自动被测物焦距与透射光焦距调节结构, 包括:载物台, 其用于承载晶圆, 其为一中空结构, 其与载物台对焦单元的输出端连接;所述载物台对焦单元, 其可沿基座且沿Z向移动;成像光路单元, 其设置于载物台的上方;...
  • 本发明提供了一种匀光控制方法、复眼透镜单元及光刻系统, 该方法基于LED紫外光源对应的光斑入射参数在光刻系统中设置与光源对应的复眼透镜单元;其中, 复眼透镜单元中包含双排复眼透镜和聚光透镜;然后获取双排复眼透镜对应的第一焦距、双排复眼透镜与...
  • 本发明公开了DBC陶瓷覆铜基板专用曝光机, 属于曝光机技术领域, 其包括机台, 所述机台顶部设置有热交换散热端口, 所述机台一侧固定连接有照明板, 所述照明板的底部设置有LED灯板, 所述机台对应照明板一侧开设有台框交换口, 所述台框交换口...
  • 本发明公开了制造掩膜版的方法, 包括对料带进行曝光, 得到具有多个第一图形的第一带段, 其中, 所述料带包括带状箔材和形成在所述带状箔材表面的光刻胶层, 相邻两个所述第一图形之间存在间隔区, 所述第一图形包括多个母标记图形和多个像素孔图形;...
  • 本发明公开了一种光罩辐射型线宽差异的改善方法, 属于半导体光罩技术领域。本发明通过选取一片光罩基板, 依次经过预设曝光量的曝光、显影、蚀刻以及去光阻处理, 获得光罩测试片;测量光罩测试片中十字图形阵列中每个十字图形的线宽, 根据光罩测试片中...
  • 提供了一种用于光刻设备的防护膜隔膜, 所述隔膜包括未被覆盖的碳纳米管。还提供一种再生防护膜隔膜的方法, 所述方法包括分解前体化合物, 并且将至少一些分解产物沉积到防护膜隔膜上。还提供一种降低防护膜隔膜的蚀刻速率的方法, 所述方法包括在防护膜...
  • 本申请公开了一种大曝光场的光刻技术实现方法、芯片级芯片互连方法以及光刻设备。该大曝光场的光刻技术实现方法应用于光刻设备, 光刻设备包括0.1至2.5倍缩小倍率的投影系统, 包括:将有图形的待曝光衬底装载至载物台, 通过衬底上的对准标记进行对...
  • 本发明提供了一种导孔层版图及导孔层辅助图形添加方法, 属于半导体领域。该导孔层辅助图形添加方法包括获取导孔层的原始版图, 所述导孔层包括若干导孔图形;在优先顺序排列高的两个目标图形之间添加第一辅助图形, 所述第一端部和第二端部分别靠近优先顺...
  • 本发明的课题是提供用于形成膜密度、硬度、杨氏模量、扭曲耐性(图案的弯曲耐性)高, 由此具有高的蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物, 其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂...
  • 本发明公开了一种包含蒽基查尔酮光敏剂的感光树脂组合物及应用。所述感光树脂组合物包括有蒽基查尔酮光敏剂, 所述蒽基查尔酮光敏剂至少包含一种通式(Ⅲ)所示的蒽类衍生物;其中:R1为C1‑C5的直链或支链烷基、N‑甲基吡咯‑2‑基、呋喃‑2‑基、...
  • 本发明公开了一种紫外光钝感陶瓷粉末及基于其制备的高精度陶瓷光固化浆料, 所述陶瓷粉末由硅烷偶联剂接枝于陶瓷粉体后, 再与酰基化改性的具有磺酸盐基团的紫外光钝感色素进行取代反应并后处理得到。本发明的紫外光钝感陶瓷粉末能够实现粉体本征光学性能调...
  • 本发明提供一种感光性树脂组合物、图案固化物的制造方法、固化物、层间绝缘膜、覆盖涂层、表面保护膜及电子部件。本发明的感光性树脂组合物, 其含有:(A)具有聚合性不饱和键的聚酰亚胺前体、(B)聚合性单体、(C)光聚合引发剂、(D)环化催化剂、和...
  • 本发明公开一种高韧性的感光树脂组合物及其制备方法, 高韧性的感光树脂组合物按重量份数包括:环氧树脂低聚物52‑58份;丙烯酸酯低聚物22‑28份;聚氨酯丙烯酸酯4‑6份;表面接枝丙烯酸酯基团的DOQDS0.3‑0.4份表面改性纳米二氧化硅1...
  • 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中, 感度、分辨率及LWR优良、稳定且操作也容易的抗蚀剂组成物, 以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物, 含有锌四核团簇...
  • 本发明提供一种正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜, 所述正型感光性树脂组合物含有下述的成分A~成分C。成分A:酚醛清漆型酚树脂, 包含衍生自间甲酚和/或邻甲酚的酚结构单元a1、衍生自乙醛的醛结构单元a2、以...
  • 本发明涉及光刻胶技术领域, 具体是指耐黄变负性厚膜光刻胶组合物的制备方法与应用, 包括如下百分比重量份的组分:SU8树脂45%‑70%、脂环族环氧树脂7%‑30%、交联剂5‑10%、光致产酸剂2‑10%、溶剂10‑20%, 还包括流平剂, ...
  • 本申请涉及光学元件制备技术领域, 旨在解决纳米压印时在基材表面残留较多光刻胶的技术问题, 提供一种压印机构及光栅成型设备。压印机构包括滚压件。滚压件被构造为可卷绕且被配置为沿其延伸方向滚动刮印。滚压件包括多个压印结构。多个压印结构沿延伸方向...
  • 本发明提供一种掩模版制版数据生成方法、制版工具、介质及设备, 通过对待排版版图做唯一化命名, 然后开发脚本自动生成掩模版制版工具中版图相关信息, 可显著节省人力, 提高效率, 并降低手动操作导致的错误。
  • 该发明提供一种硅化钼层干法刻蚀方法, 涉及半导体掩模版领域。该方法用于对相移掩模版中的硅化钼相移层进行干法刻蚀图形转移。其包括以下步骤:1、将图形化的硅化钼层放入ICP干法刻蚀机;2、向刻蚀腔体中通入混合后的SF6和Ar气体;3、通过控制I...
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