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最新专利技术
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510754296.4
    形成重构晶圆， 其包括彼此互连的中介层管芯的二维阵列和半导体管芯组的二维阵列。中介层管芯的二维阵列包括由介电负型光刻胶材料组成并嵌入远端重分布布线互连件的远端重分布介电层。光刻曝光工艺依序对介电负型光刻胶材料的区域进行光刻曝光。每个照明区域...
    2025-12-06
  • 半导体器件和制造晶圆级基板的方法
    半导体器件和制造晶圆级基板的方法_星科金朋私人有限公司_202510416506.9
    本发明涉及半导体器件和制造晶圆级基板的方法。一种半导体器件具有嵌入条和沉积在该嵌入条上的封装材料。后部研磨该封装材料的第一表面， 以暴露嵌入条。在该封装材料的第一表面上形成第一积层互连结构。在该封装材料的第二表面上形成第二积层互连结构。
    2025-12-06
  • 一种高功率芯片封装结构及封装方法
    一种高功率芯片封装结构及封装方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202511017081.0
    本发明公开了一种高功率芯片封装结构及封装方法， 该封装方法包括以下步骤：在硅晶圆的正面上制备重布线层；在所述重布线层上临时键合增厚支撑层， 所述增厚支撑层通过临时键合胶固定；对硅晶圆的背面进行减薄处理至目标厚度；在减薄后的硅晶圆背面制备介电...
    2025-12-06
  • 电磁屏蔽结构制作方法和封装结构
    电磁屏蔽结构制作方法和封装结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511002235.9
    本发明涉及半导体封装技术领域， 具体为电磁屏蔽结构制作方法和封装结构， 包括：提供设有第一元件的衬底， 利用3D打印技术在衬底上形成屏蔽部， 所述屏蔽部由柔性电磁屏蔽材料与纳米导电材料复合构成， 并设于第一元件的外围；该步骤包括构建三维模型...
    2025-12-06
  • 一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法
    一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法_北京理工大学_202510972772.X
    本发明公开了一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法， 属于模具制造技术领域， 包括以下步骤：S1、模具成形端面制备：采用微纳加工技术在单晶材料上加工出具有微纳结构的模具成形端面；S2、模具基底制备：选用多晶材料加工成模具基底， 并对基底表面进行...
    2025-12-06
  • 一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构
    一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构_贵州振华风光半导体股份有限公司_202510762180.5
    一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构， 属于集成电路封装技术领域。采用分块一次模块化集成， 将两颗集成电路芯粒背对背粘接成双芯粒堆叠组件， 将铜柱通过是电绝缘保护结构制成TXV结构件， 将TXV结构件与单颗集成电路芯粒互连形成单...
    2025-12-06
  • 一种半导体器件的封装控制方法及系统
    一种半导体器件的封装控制方法及系统_南通华隆微电子股份有限公司_202511357990.9
    本申请提供了一种半导体器件的封装控制方法及系统， 涉及半导体技术领域， 所述方法包括：以基于封装基板的芯片3D堆叠， 在半导体封装平台执行第一部署决策和第二部署决策， 确定器件封装模式；采用对称加工控制方式， 确定第一微孔对， 触发微控制器...
    2025-12-06
  • 一种垂直芯片封装方法及芯片封装件
    一种垂直芯片封装方法及芯片封装件_深圳瑞沃微半导体科技有限公司_202511028762.7
    本申请提供了一种垂直芯片封装方法及芯片封装件， 包括步骤：转动所述垂直芯片使所述第二电极朝向放置所述封装电路的水平面， 并将所述垂直芯片放置在所述芯片放置区域；其中， 所述垂直芯片与所述第一连接点和所述第二连接点的间距不同；通过增材制造方式...
    2025-12-06
  • 一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉
    一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉_北京中科同志科技股份有限公司_202510978535.4
    本发明涉及芯片封装技术领域， 提供一种TEC芯片封装压接方法及在线真空压力烧结炉。TEC芯片封装压接方法包括：包括：TEC工件及治具进入等离子清洗区， 执行等离子清洗步骤；TEC工件及治具进入甲酸清洗区， 执行甲酸清洗步骤；TEC工件及治具...
    2025-12-06
  • 半导体器件的形成方法及半导体器件
    半导体器件的形成方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202510978058.1
    本发明涉及一种半导体器件的形成方法及半导体器件。所述半导体器件的形成方法中， 先形成堆叠芯片单元， 再通过芯片‑晶圆键合将至少一个所述堆叠芯片单元键合到封装晶圆表面， 并在所述封装晶圆及其上的所述堆叠芯片单元表面形成第一填充覆盖层以进行晶圆...
    2025-12-06
  • 便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法
    便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法_江苏华创微系统有限公司_202511070437.7
    本发明公开了一种便于上板耐压隔离的加厚QFN封装管脚封装制备方法， 包括如下步骤：S1、将每个芯片固定在基板上；基板的多个引脚包括每个加固引脚和2n个第一类引脚， 2n个第一类引脚采用等间距排列；S2、将每个芯片均分别通过对应的焊线在经由装...
    2025-12-06
  • 一种多尺寸电子载运片以及通孔加工方法
    一种多尺寸电子载运片以及通孔加工方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511020671.9
    本发明提供的一种多尺寸电子载运片通孔加工方法， 包括以下步骤：提供第一载运片Core层， 于该小尺寸刚性基材上同步加工形成若干第一通孔及至少两个第一靶点， 所述第一靶点分布于基材两端；将所述第一载运片Core层嵌入中空框架状的第二载运片Co...
    2025-12-06
  • 一种高深径比玻璃通孔的填充方法及应用
    一种高深径比玻璃通孔的填充方法及应用_广东省科学院中乌焊接研究所_202511018619.X
    本发明公开了一种高深径比玻璃通孔的填充方法及应用， 涉及电子封装技术领域。填充方法包括将具有高深径比玻璃通孔的玻璃基板浸没于纳米级金属颗粒墨水中进行超声处理， 然后经过干燥处理和烧结处理后完成高深径比玻璃通孔的填充。基于超声激励墨水的填充方...
    2025-12-06
  • 一种集成无源器件及其封装方法
    一种集成无源器件及其封装方法_苏州苏纳光电有限公司_202510995720.4
    本公开提供了一种集成无源器件及其封装方法， 封装方法中分别制备无源器件模块和信号引出模块， 信号引出模块中的钝化层均采用热界面塑封材料制备而成， 再将信号引出模块贴合到无源器件模块上， 采用热界面塑封材料将无源器件模块与信号引出模块塑封到一...
    2025-12-06
  • 功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构
    功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构_浙江正泰电器股份有限公司_202510987705.5
    本申请涉及一种功率半导体器件、形成方法、封装方法以及封装结构， 其中形成方法包括：提供第一基板， 第一基板内具有多个导电结构， 导电结构沿第一基板的厚度方向贯穿第一基板；提供功率芯片， 将功率芯片与第一基板键合， 功率芯片与导电结构耦接；在...
    2025-12-06
  • 一种载板结构与封装载板的表面处理方法
    一种载板结构与封装载板的表面处理方法_福莱盈电子股份有限公司_202510963260.7
    本申请提供了一种载板结构， 包括：CCL层， CCL层具有相反的第一侧与第二侧；连接于CCL层第一侧的功能层， 功能层与CCL层平行设置且相互抵触；连接于功能层远离CCL层的外壁上的保护膜层， 保护膜层与功能层平行设置且相互抵触， 本发明通...
    2025-12-06
  • 一种基于双硬度铜层调控的AMB陶瓷基板翘曲控制方法
    一种基于双硬度铜层调控的AMB陶瓷基板翘曲控制方法_四川富乐华半导体科技有限公司_202510931494.3
    本发明公开了一种基于双硬度铜层调控的AMB陶瓷基板翘曲控制方法， 包括以下步骤：铜片分级预处理：对无氧铜片进行退火处理， 获得两种具有不同晶粒尺寸与硬度的铜材， 将经过退火处理前的同类铜材分别标记为X铜与Z铜；硬度差异化覆铜钎焊：将X铜与Z...
    2025-12-06
  • 封装件结构及形成封装件的方法
    封装件结构及形成封装件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510910641.9
    方法包括：形成封装衬底， 包括在玻璃衬底中形成贯穿开口；填充贯穿开口以在玻璃衬底中形成贯通孔；在玻璃衬底下面形成第一互连结构；以及在玻璃衬底上面形成第二互连结构， 该方法还包括在封装衬底上方形成中介层；以及通过中介层将封装组件接合在封装衬底...
    2025-12-06
  • 提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法
    提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法_宁波康强电子股份有限公司_202510769283.4
    本发明提供了提高铜合金表面结合力和锁锡能力的制备方法， 属于引线框架技术领域。本发明通过将经过表面初级处理的铜合金放入至活化混合溶液中进行表面活化， 在铜合金的表面形成轻微的凹凸结构并于凸起区域上形成一层金属转化膜， 再放入至粗化混合溶液中...
    2025-12-06
  • 半导体集成电路堆叠结构及其形成方法
    半导体集成电路堆叠结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410531410.2
    一种半导体集成电路堆叠结构及其形成方法， 包括：位于基底的芯片区和位于芯片区之间的切割道区；基底包括第一面以及与第一面相背的第二面；形成位于基底第一面邻近切割道区的第一沟槽；在第一沟槽内形成第一导电层；在基底第一面上形成与第一导电层相连的第...
    2025-12-06
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