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最新专利技术
  • 氮化硅硬掩膜沉积方法
    氮化硅硬掩膜沉积方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002292.7
    本发明公开了一种氮化硅硬掩膜沉积方法，所述氮化硅硬掩膜用于锗硅硬掩膜，炉管原子层沉积系统沉积氮化硅时，关闭Plasma。本发明通过关闭Plasma能有效减少Si‑H键提高氮化硅硬掩膜沉积均匀性，通过控制成膜温度保证沉积速率的平衡，通过增加N...
    2025-12-01
  • 氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件
    氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511047940.0
    本发明公开一种氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件，该方法包括：提供用于生长目标III族氮化物的模板层所需的异质衬底；在异质衬底上依次生长成核层、目标III族氮化物的缓冲层以及目标III族氮化物的第一N型层，得第一外延结构；预处理第...
    2025-12-01
  • 一种硅片及其处理方法
    一种硅片及其处理方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511045215.X
    本申请公开了一种硅片及其处理方法，属于半导体制造技术领域。硅片为电子注入后的硅片，处理方法包括：对硅片进行减薄；对减薄后的硅片进行酸洗；对酸洗后的硅片进行热处理，得到处理后的硅片；其中，电子注入后的硅片的电阻率大于或等于300Ω·cm。本申...
    2025-12-01
  • 单层石墨烯/氮化镓异质结的物理性质的调控方法及应用
    单层石墨烯/氮化镓异质结的物理性质的调控方法及应用_赣南医科大学_202511027686.8
    本发明公开了一种单层石墨烯氮化镓异质结的物理性质的调控方法及应用。所述方法包括：提供具有选定极性面的氮化镓基底，所述选定极性面包括氮化镓晶体的c面、r面或a面；在所述选定极性面上覆盖单层石墨烯，形成单层石墨烯氮化镓异质结。本发明所提供的技术...
    2025-12-01
  • 一种硅片处理方法、装置、处理设备、程序产品及介质
    一种硅片处理方法、装置、处理设备、程序产品及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510965838.2
    本发明提供了一种硅片处理方法、装置、处理设备、程序产品及介质，属于半导体制造技术领域。包括：对硅片进行3D形貌扫描，获得硅片对应的三维点云数据；根据三维点云数据，确定目标标记在硅片上对应的至少两个目标位置点的二维坐标；根据三维点云数据和至少...
    2025-12-01
  • 沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构
    沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构_ASMIP私人控股有限公司_202510907848.0
    公开了用于将氮化钼膜沉积在衬底表面上的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；以及通过执行循环沉积工艺的一个或多个单元沉积循环将氮化钼膜直接沉积在衬底表面上，其中单元沉积循环可以包括使衬底与包含卤化钼前体的第一气相反应物接触，并且使衬...
    2025-12-01
  • 用于晶圆的清洗方法以及晶圆
    用于晶圆的清洗方法以及晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510852496.3
    本公开提供了一种用于晶圆的清洗方法以及晶圆；清洗方法包括：向待清洗晶圆供应含HF的清洗液以执行蚀刻旋转清洗；向待清洗晶圆供应含O3的清洗液以执行氧化旋转清洗；以及依次交替执行蚀刻旋转清洗和氧化旋转清洗多次；其中，首次执行的蚀刻旋转清洗的持续...
    2025-12-01
  • 控温流体分配组件、工艺腔室及半导体工艺设备
    控温流体分配组件、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511023189.0
    本申请公开了一种控温流体分配组件、工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种控温流体分配组件，用于工艺腔室，所述控温流体分配组件设有进气口、第一通气口、流道和出气口；所述进气口和所述出气口分别设于所述控温流体分配组件的一端，所述第一通气...
    2025-12-01
  • 下电极组件和半导体工艺腔室
    下电极组件和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202510998260.0
    本发明公开一种下电极组件和半导体工艺腔室，所公开的下电极组件包括接口盘、支撑结构和承载盘，其中，承载盘位于接口盘的上方，接口盘用于接收射频信号，接口盘的中心具有通孔；支撑结构包括第一金属筒和第二金属筒，第一金属筒的第一端口与承载盘连接，并支...
    2025-12-01
  • 控制晶圆温度的装置
    控制晶圆温度的装置_成都高真科技有限公司_202510910116.7
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种控制晶圆温度的装置，所述装置包括晶圆的支撑部件；所述支撑部件包括静电卡盘和聚焦环，所述聚焦环设置于所述静电卡盘的外圈，环绕在静电卡盘周围；所述装置包括的第一温度控制单元和第二温度控制单元；所述第一温度控...
    2025-12-01
  • 一种多片式装载锁定模块的粉尘粒子控制方法
    一种多片式装载锁定模块的粉尘粒子控制方法_芯嵛半导体(上海)有限公司_202511061338.2
    本发明公开一种多片式装载锁定模块的粉尘粒子控制方法，其属于半导体制造技术领域，其中装载锁定模块内部具有晶圆支架，晶圆支架为在上下方向上的多层结构，其中每一层均形成一个能够对晶圆边缘进行支撑的放置位；在晶圆支架上放置有多个晶圆，在每两个上下相...
    2025-12-01
  • 一种样品探测装置和样品探测方法
    一种样品探测装置和样品探测方法_国仪量子技术(合肥)股份有限公司_202511046939.6
    本发明公开了一种样品探测装置和样品探测方法。该样品探测装置包括：发射模块、样品台、衬度调节组件、至少一个探测器、至少一组电极对和处理模块。发射模块用于发射电子束；样品台用于承载待测样品，电子束轰击待测样品产生探测粒子；衬度调节组件用于调节探...
    2025-12-01
  • 一种可施加微波场的透射电子显微镜电镜样品杆
    一种可施加微波场的透射电子显微镜电镜样品杆_复旦大学_202511015804.3
    本发明涉及一种可施加微波场的透射电子显微镜电镜样品杆，包括：内部中空的样品杆身；设于所述样品杆身一端的样品杆头；安装在所述样品杆身另一端的手握柄，其为中空结构，并布置有气密同轴连接器；设置在所述样品杆头上的微波加载电路板，其用于为样品放置区...
    2025-12-01
  • 一种冷阴极射线检测控制系统
    一种冷阴极射线检测控制系统_四川赛康智能科技股份有限公司_202511019708.6
    本申请公开了一种冷阴极射线检测控制系统，包括具有冷阴极的射线管，电源模块，以及将电源模块进行调制升压并向射线管提供激发X射线以进行检测的控制模块，所述控制模块包括主控与计算模块MCC，所述主控与计算模块MCC通过高速数字控制总线双向通信连接...
    2025-12-01
  • 一种平顶脊加载电子注通道开口型折叠波导慢波结构
    一种平顶脊加载电子注通道开口型折叠波导慢波结构_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202511050685.5
    本发明提供一种平顶脊加载电子注通道开口型折叠波导慢波结构，该慢波结构包括由上下交错排列的栅体所限定形成的多周期性的腔体结构，所述慢波结构包括连通的直波导段、连接波导段以及电子注通道；连接波导段内边界位于电子注通道所限定边界内；所述栅体包括：...
    2025-12-01
  • 一种高品质微波产生O型器件的制备方法
    一种高品质微波产生O型器件的制备方法_西北核技术研究所_202510861018.9
    本发明公开了一种高品质微波产生O型器件的制备方法，解决现有技术制备的O型器件，因表面存在机械损伤和污染物等介质物质，而影响其产生微波的波形品质及使用寿命的技术问题。本发明包括：根据设计要求确定O型器件的参数并加工；制作小样品；采用M0种清洗...
    2025-12-01
  • 一种通过外部有氧燃烧加热的热电二极管阴极组件
    一种通过外部有氧燃烧加热的热电二极管阴极组件_王书方_202511042524.1
    本发明提供了一种通过外部有氧燃烧加热的热电二极管阴极组件，包括：金属导热杯、陶瓷封接管、隔热组件和阴极；所述陶瓷封接管外壁面与金属导热杯的立面封接环内壁面通过钎焊工艺实现真空封接，所述阴极同轴设置在金属导热杯的内侧底板中央，所述隔热组件环绕...
    2025-12-01
  • 一种用于高压配电系统的熔断器
    一种用于高压配电系统的熔断器_内蒙古西库电气有限公司_202511410263.4
    本发明提供一种用于高压配电系统的熔断器及其导电熔体更换方法，涉及电力设备技术领域，该熔断器的安装底板上安装有上绝缘座、下绝缘座和绝缘防护罩板，绝缘防护罩板内壁固定有上、下导电块，上绝缘座、下绝缘座之间设有第一弹性件，其中导电熔体下端固定于下...
    2025-12-01
  • 一种户外隔刀内置环保型断路器
    一种户外隔刀内置环保型断路器_常州博瑞电力自动化设备有限公司_202511436068.9
    本发明公开了开关设备技术领域的一种户外隔刀内置环保型断路器，旨在解决现有技术通常不具有隔离开关的功能，必须在其旁边安装独立的隔离开关配合其使用；同时现有开关设备的结构较为分散，安装过程较为复杂，占用空间较大的问题。其包括箱体，箱体内设有深融...
    2025-12-01
  • 继电器脱扣行程的调节方法
    继电器脱扣行程的调节方法_浙江正泰电器股份有限公司_202511139927.8
    本发明属于低压电器技术领域，具体公开了一种继电器脱扣行程的调节方法。本发明提供的继电器脱扣行程的调节方法，获取继电器的产品信息，根据继电器的产品信息确定脱扣行程调节参数，根据脱扣行程调节参数对继电器的脱扣行程进行预调节，然后再对继电器进行脱...
    2025-12-01
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