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  • 本发明提供了一种BC太阳能电池电镀方法及其应用,涉及太阳能电池的技术领域,所述BC太阳能电池电镀方法包括:(a)在待电镀电池片的正面氮化硅层和背面氮化硅层上开槽;(b)在待电镀电池片的背面开槽区制备金属镀层,其中,待电镀电池片的正面与电源阴...
  • 本发明提供了一种改善TOPCon电池磷扩推结的方法,包括以下步骤:磷源沉积、扩散推进和降温退火;其中,在源磷沉积过程中,低温通源温度为795~805℃;高温通源时间为120s~160s;降温退火时,温度为840℃~870℃。本发明提供的这种...
  • 本申请公开一种光电探测器的制备方法,涉及光电转换技术领域。制备方法包括利用快速热氧化方式在第一炉管中进行硅衬底的预氧化处理,以在硅衬底表面形成第一氧化层;利用管式热氧化方式在第二炉管中进行硅衬底的热氧化处理,制备获得热氧化硅衬底,热氧化硅衬...
  • 本发明提供了一种激光辅助TOPCon电池双面加工系统及方法,系统包括双波长激光源模块、三维振镜系统和真空反应腔,双波长激光源模块同时发射不同波长的激光用于电片正面栅线烧结和背面刻蚀,三维振镜系统设于真空反应腔内;真空反应腔上设有光学窗口,三...
  • 本发明实施例公开了一种电池的切片保护方法、电池和系统。电池的切片保护方法包括:对目标电池进行性能测试,以获取性能参数;向目标电池喷墨打印保护涂层和信息码,性能参数与信息码关联存储;对目标电池进行切片处理,使目标电池分为至少两个子片,信息码与...
  • 本发明关于一种封边修复装置,涉及光伏制造领域。本技术方案的封边修复装置与待封边的太阳能电池硅片沿第一方向作相对运动,封边修复装置包括封边轮,其外侧面上的绝缘材料与太阳能电池硅片的侧边部相接触;以及挡料块,其设置于封边轮不接触太阳能电池硅片的...
  • 本发明涉及一种室温稳定的黑相全无机钙钛矿柔性厚膜及制备方法和应用,包括以下步骤:将PbI2、CsI以及有机铵盐在有机溶剂中混合均匀,得到钙钛矿前驱体溶液;将钙钛矿前驱体溶液通过真空抽滤法填充于聚合物滤膜中,得到湿润的柔性厚膜;聚合物滤膜经过...
  • 本发明提供了一种导电背板制作方法,用于制作导电背板,导电背板包括玻璃、胶膜、金属箔和绝缘层,制作方法包括:将玻璃与胶膜相覆合;将经过图案镂空的金属箔覆合于胶膜上;将绝缘层覆合于金属箔上。本发明能够避免导电背板渗透水气,提高导电背板的可靠性。...
  • 本申请涉及一种太阳能电池组件及其制造方法。该方法包括:匹配待焊接电池串,提供可旋转载具;待焊接电池串包括:在第一方向上依序排列的多个电池片,电池片上设有多条第一栅线,多条第一栅线沿第一方向延伸,且在第二方向上间隔排布,第二方向与第一方向正交...
  • 本发明公开了一种基于双层印刷工艺的topcon电池及制备工艺,涉及太阳能电池生产技术领域,包括清洗、制绒、隧穿氧化层制备、多晶硅层沉积、扩散与激活、高温扩散、丝网印刷工艺和烧结与光注入处理;且在丝网印刷工艺中设置推压结构和回推结构,该制备工...
  • 本申请公开了一种电池片二次激光烧结的方法,属于太阳能电池领域。本申请的电池片二次激光烧结的方法包括在第一工位对电池片实施第一次激光烧结,包括向位于第一工位的电池片施加第一反向电压以及施加第一激光扫掠处理;在第二工位对电池片实施第二次激光烧结...
  • 本发明涉及异结双极晶体管材料技术领域,具体公开一种降低中间层二次钝化的HBT材料的制备方法及HBT材料。包括以下步骤:采用MOCVD方法,在n‑GaAs集电区层表面依次生长p‑GaAs:C中间基区层和n‑GaInP:Si发射区层;在所述n‑...
  • 本发明公开一种背接触太阳能电池及其制备方法,背接触太阳能电池的制备方法包括:提供硅基底;硅基底具有相对的正面和背面;在硅基底的背面形成P型半导体结构和N型半导体结构;P型半导体结构包括P型掺杂的单晶硅层;在P型半导体结构表面形成第一电极,以...
  • 本申请公开了一种塔基形貌关系模型建立方法、去绕镀方法及太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,该方法包括:选取去除电池表面绕镀膜层过程中的关键参数;对选取的关键参数进行变量调节,在调节后的当前变量情况下去除电池表面绕镀膜层,并检测每次变量调节对...
  • 一种治疗感测装置包括衬底、二极管、第一晶体管及第二晶体管。二极管设置于衬底上且包括第一端;第一晶体管设置于衬底上且包括第一端及第二端,其中第一晶体管的第一端电连接二极管的第一端;第二晶体管设置于衬底上且包括第一端及第二端,其中第二晶体管的第...
  • 本申请涉及电子设备技术领域,本申请提供一种具抗眩光特性的球栅阵列封装影像传感器模块,球栅阵列封装影像传感器模块包括基板、影像感测芯片、导线、盖板及阻胶体。其中,影像感测芯片的上表面边缘与盖板之间设置光学密度(OD)大于或等于2的阻胶体,且阻...
  • 本发明公开了一种纳米颗粒优化界面的宽谱探测器及其制备方法与应用,属于光电探测器技术领域,本发明通过垂直耦合结构将硅可见光探测器与HgTe量子点红外探测器进行耦合。借助溶液处理技术,HgTe胶体量子点能与以硅为基底的可见光探测器兼容,两种材料...
  • 一种固态图像感测器,包含绕射层及吸收层。绕射层包含多个绕射元件,绕射元件具有多个顶部中心间隙,而吸收层设置于绕射层的下方并包含多个吸收元件,吸收元件具有多个底部中心间隙。固态图像感测器的多个像素由绕射元件及吸收元件所定义。像素排列成一阵列。...
  • 本发明提供一种单光子雪崩二极管器件及其制造方法。该器件包括:第一导电类型的衬底;形成于衬底内的单光子雪崩二极管单元;设置于衬底表面局部区域的埋层氧化物层;以及形成于埋层氧化物层之上的薄膜全耗尽型绝缘层上硅晶体管。单光子雪崩二极管单元与薄膜全...
  • 本公开涉及红外高光谱成像探测器及其制备方法和成像方法,属于红外探测领域。该红外高光谱成像探测器包括:读出电路、胶体量子点红外探测单元以及滤光片阵列;该读出电路具有阵列排布的像素电路;胶体量子点红外探测单元耦合在读出电路的一侧,胶体量子点红外...
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