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最新专利技术
  • 发光二极管及发光二极管的制作方法
    发光二极管及发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510891679.6
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构和电极焊盘；所述电极焊盘包括焊盘主体和锡球，所述焊盘主体位于所述外延结构上，所述锡球位于所述焊盘主体上，且所述锡球远离所述外延结构的一面为球面。电...
    2025-11-23
  • 提升Micro-LED光提取效率的结构及制造方法
    提升Micro-LED光提取效率的结构及制造方法_金华觉远创智科技有限公司_202511013731.4
    本发明涉及提升Micro‑LED光提取效率的结构及制造方法，包括由下至上依次设置的基础功能层、微透镜光学调控层和微纳二级结构，微透镜光学调控层与微纳二级结构构成核心光学功能单元；微透镜光学调控层为紧密排列的半球形微透镜阵列，微透镜底面为与基...
    2025-11-23
  • 一种LED封装结构及其制造方法
    一种LED封装结构及其制造方法_广东恒润光电有限公司_202511091873.2
    本发明公开了一种LED封装结构及其制造方法，LED封装结构包括支架、LED晶片，支架包括白胶结构件和间隔设置的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘具有第一焊接区，第二焊盘具有第二焊接区，白胶结构件包括白胶框和白胶底板，白胶底板的周缘连接白胶框，白胶...
    2025-11-23
  • 发光装置及制作方法
    发光装置及制作方法_京东方华灿华汇智造(广东)有限公司_202510849797.0
    本公开提供了一种发光装置及制作方法。发光装置包括：支架、发光二极管芯片和荧光片；支架包括：基板、线路层、第一玻璃层和第二玻璃层，第一玻璃层的热膨胀系数大于第二玻璃层的热膨胀系数，基板的热膨胀系数大于第一玻璃层的热膨胀系数；第一玻璃层位于基板...
    2025-11-23
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202510953835.7
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管的半导体叠层包括自上而下依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，半导体叠层内至少设置一个凹槽；部分第二半导体层下方设置透明导电层；未设置透明导电层的第二半导体层下方以及透明导电层下方设置...
    2025-11-23
  • 改善DBR脱落的发光二极管及其制备方法
    改善DBR脱落的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510891594.8
    本公开提供了一种改善DBR脱落的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和DBR层，所述DBR层位于所述外延层的表面上，所述DBR层包括交替层叠的多个第一材料层和多个第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层...
    2025-11-23
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511033549.5
    本公开公开了发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、晶格优化层与透明导电层；所述透明导电层为金属氧化物层，所述晶格优化层为Al掺杂层，所述晶格优化层与所述透明导电层的连...
    2025-11-23
  • 一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法
    一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511450762.6
    本申请公开了一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法，该芯片结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、非掺杂InGaP/量子阱结构、p型间隔层、p型A...
    2025-11-23
  • 一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构
    一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构_苏州大学_202511141840.4
    本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种适用于低工作电流密度的微型发光二极管外延结构，包括衬底以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层，多量子阱发光层的阱层和垒层的交替周期数在1~5之间，阱层的主要...
    2025-11-23
  • 一种LED封装结构的制备方法及LED封装结构
    一种LED封装结构的制备方法及LED封装结构_湖北瑞华光电有限公司_202511128900.9
    本发明涉及显示设备技术领域，特别涉及一种LED封装结构的制备方法及LED封装结构，制备方法包括以下步骤：提供荧光片，对荧光片进行边缘封装，形成荧光片组合结构，荧光片组合结构包括荧光片及设置在荧光片侧面的透明胶，透明胶与荧光片的侧面之间形成倾...
    2025-11-23
  • 透光性部件的制造方法、透光性部件及发光装置
    透光性部件的制造方法、透光性部件及发光装置_日亚化学工业株式会社_202510580965.0
    提供一种光提取效果良好的透光性部件、发光装置及透光性部件的制造方法。透光性部件的制造方法包括：准备透光性的基材的步骤，所述基材具有第1表面和位于所述第1表面的相反侧的第2表面，所述第1表面侧配置有第1膜，所述第1膜包含能被酸性物质去除的物质...
    2025-11-23
  • 一种带背射式芯片的探测器封装工艺
    一种带背射式芯片的探测器封装工艺_厦门贝莱信息科技有限公司_202511077869.0
    本发明公开了一种带背射式芯片的探测器封装工艺，包括备料、芯片与平面热沉键合、倒装芯片、管帽封焊等步骤，通过把芯片倒装式贴合到U型热沉上，带微透镜背面完全裸露与光接触，无需居中放置，安装精度低，操作简单效率高，劳动强度小，光利用率高，透光性好...
    2025-11-23
  • 光电探测器和电子设备
    光电探测器和电子设备_深圳市速腾聚创科技有限公司_202510871205.5
    本申请公开光电探测器和电子设备，光电探测器包括衬底、反光结构、多层膜滤波器以及环绕所述衬底设置的深沟槽隔离结构，其中：所述多层膜滤波器为由至少两种薄膜材料交替堆叠而成的多层薄膜结构，所述多层膜滤波器在深度方向上位于所述衬底的第一表面的第一侧...
    2025-11-23
  • 背接触太阳能电池、电池组件以及光伏系统
    背接触太阳能电池、电池组件以及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511468992.5
    本发明属于光伏技术领域，公开一种背接触太阳能电池、电池组件以及光伏系统。背接触太阳能电池包括硅基底，硅基底具有相对设置的受光面和非受光面，非受光面具有P区和N区；P区分布有若干第一凹槽，至少部分第一凹槽相互重叠形成第一重叠区域；N区分布有若...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511464225.7
    本发明适用于光伏电池技术领域，提供了一种太阳能电池，其包括硅衬底和介质膜层，硅衬底包括沿第一方向相对的第一侧面和第二侧面以及沿第二方向相对的第一表面和第二表面。介质膜层包括第一介质膜层、第二介质膜层，第一介质膜层覆盖在第一掺杂层以及第一侧面...
    2025-11-23
  • 一种钝化结构及其制备方法和太阳能电池
    一种钝化结构及其制备方法和太阳能电池_润马光能科技(金华)有限公司_202511067670.X
    本申请实施例提供了一种钝化结构及其制备方法和太阳能电池，所述钝化结构包括氧化硅层以及依次设置于氧化硅层表面的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层包括交替层叠设置的至少一层的第一氧化铝层和至少一层的第二氧化铝层，第二钝化层包括交替层叠设置的至少...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410548322.3
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池包括：硅基体、氧化硅层、氧化铝层、第一氮化硅层与第二氮化硅层，所述硅基体包括相对设置的第一表面与第二表面，所述氧化硅层设置于所述第一表面上，所述氧化硅层具有第一预设厚度，...
    2025-11-23
  • 太阳能电池和太阳能电池的制备方法
    太阳能电池和太阳能电池的制备方法_天合光能股份有限公司_202511478692.5
    本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，涉及光伏技术领域，该种太阳能电池包括：硅衬底，具有相对的第一表面和第二表面；第一掺杂层和第一钝化层，依次设置在第一表面上；第二掺杂层和第二钝化层，依次设置在第二表面上，第一掺杂层的掺杂类型与...
    2025-11-23
  • 电池片及光伏组件
    电池片及光伏组件_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511158902.2
    本发明公开了一种电池片及光伏组件，电池片包括电池片本体和多个栅线。电池片本体的厚度方向的至少一侧表面具有第一区和第二区，第二区位于电池片本体的沿第一方向的一侧边缘。第一栅线和第二栅线的极性相反，第一栅线和第二栅线沿第一方向延伸，其中，第一区...
    2025-11-23
  • 背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511138462.4
    本申请涉及光伏技术领域，本申请实施例提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件，背接触电池包括本体和主栅，主栅包括铜层和锡层，铜层设置于本体的背光面，锡层包覆于铜层的外表面；沿主栅的长度方向，主栅具有交替分布的主体部和连接部，连接部的高...
    2025-11-23
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