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  • 本申请涉及一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法,结构包括异质结有源区、第一导电层、第二导电层、第一反射镜、第二反射镜、第一电极以及第二电极,其中第一导电层包括凸起的光波导限制结构,光波导限制结构向背离异质结有源区的一侧凸起,用于光场能量...
  • 本发明公开了一种面发射激光器及面发射激光器制备方法,应用于激光器领域,该面发射激光器包括:信号区、放大区和面发射区;信号区、放大区和面发射区,均包括衬底,在衬底的表面生长制备的外延层,在外延层的表面和衬底的表面制备形成的后工艺层;面发射区内...
  • 本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,其中垂直腔面发射激光器的制备方法包括以下步骤:提供衬底,且在衬底上依次形成外延层以及第一介质层;形成贯穿第一介质层并与外延层接触的P极金属层;形成第二介质层于第一介质层上并延伸覆盖P极金属层;...
  • 本发明公开一种DBR结构及其制备方法、光电器件,该DBR结构的制备方法包括如下步骤:提供衬底;在衬底上依次生长多个DBR结构层;DBR结构层包括依次叠置生长的AlxInyN层、低温GaN保护层和高温GaN主层;其中,0<x<1,且x+y=1...
  • 一种固态激光装置,包含增益电路单元;及硅光子电路单元,与增益电路单元连接,并包含:基板,具有输入端及输出端,输入端与增益电路单元连接;光波导通道,连续地设置于输入端及输出端之间,具有第一区段及第二区段,第一区段连接于输入端与第二区段之间;至...
  • 一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器。涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器技术领域。本发明采用1nm~2nm的薄势垒隔开不同的两个量子阱,得到隧穿耦合非对称量子阱结构,再通过电子跃迁,实现双波长输出。所...
  • 本发明公开了一种基于多孔氮化镓包覆层的GaN‑DFB激光器及制备方法,属于半导体激光器领域,所述GaN‑DFB激光器从下至上依次包括衬底层、底层GaN层、GaN‑n层、多孔GaN层、下本征GaN层、量子阱有源层、上本征GaN层、AlGaN‑...
  • 一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器。涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器。本发明在光场扩展区刻蚀形成抛物线形波导结构并引入金属反射镜实现新型光场扩展与金属反射镜集成的结构,通过波导末端的扩展结构降低激光模...
  • 本申请涉及包装盒的技术领域,尤其是涉及一种微通道制冷边发射激光器及制备方法,包括衬底,衬底上设有过渡层和外延层,衬底朝向过渡层的一面为正面,衬底背离过渡层的一面为背面,正面上刻蚀有扩散通道,背面刻蚀有水循环进出口通道,水循环进出口通道与扩散...
  • 本发明涉及激光器技术领域,公开一种激光器模组,包括半导体激光器和盖体,半导体激光器具有从其底面贯穿至顶面的进水孔和出水孔,且进水孔、出水孔位于半导体激光器的相对两端,半导体激光器的底部还设有连通进水孔和出水孔的过流通道;多个半导体激光器从下...
  • 一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法,涉及半导体激光器工艺技术领域,解决了现有技术中刻蚀含In化合物半导体激光器材料时挥发性InClx沉积导致刻蚀速率下降、腔体污染,以及高温辅助刻蚀引起掩膜损耗、形貌劣化和工艺不稳定的问题。本发明通...
  • 本发明涉及光电器件技术领域,公开了一种用于分布式反馈激光器芯片的划片方法及其应用,所述用于分布式反馈激光器芯片的划片方法包括:在所述分布式反馈激光器芯片的背面设置预设切割区域,在所述预设切割区域处进行干法刻蚀和湿法腐蚀,形成引导裂片的应力集...
  • 本发明公开了一种激光设备输出能量的自适应调节方法及系统,涉及激光调节技术领域,方法包括:获取激光设备的第一脉冲序列,根据激光中控内嵌的编码器确定第一能量序列,解码器接收并执行第二初始化脉冲序列的生成,进行调节原则和注意力机制约束下的自适应调...
  • 本发明公开了一种应用于干涉仪的短相干稳频光路装置,可调谐激光单元产生连续的可调谐激光;相位调控单元将低频的参考信号、高频射频信号混合后,加载于可调谐激光相位;相位调控后的信号经非线性调控单元输出短相干光,包括同光轴依次布置的光纤放大器、高非...
  • 本公开的实施例公开了脉宽可调节的固体激光器。该固体激光器的一具体实施方式包括外壳,以及在外壳的内部设有泵浦源、增益介质、控制器、脉宽调控组件、第一腔镜、第二腔镜、调Q单元和监测反馈器,其中,泵浦源安装在第一腔镜的前方;增益介质安装在第一腔镜...
  • 本发明涉及激光技术领域,提供了一种脉宽可调激光器,包括光发射组件以及谐振腔腔长调节组件,所述光发射组件,用于发出激光;所述谐振腔腔长调节组件,用于调整激光通过的谐振腔的长度。还提供一种激光器的脉宽调制方法,包括如下步骤:S1,准备光发射组件...
  • 本申请公开了一种温度驱动可调谐的全固态1.5微米正交偏振双波长激光器,属于固体激光器技术领域。该激光器包括沿光路依次设置的激光泵浦源、光束整形装置、激光谐振腔;所述激光谐振腔外部安装有冷却装置;所述激光谐振腔中包括设置在光路上的激光晶体;激...
  • 本申请涉及一种谐振腔装调方法、装置、可读存储介质和程序产品,涉及激光吸收光谱技术领域,能够提高谐振腔装调效率。所述谐振腔对不同偏振态的光束对应有不同精细度,不同偏振态的光束与所述谐振腔的耦合率随所述精细度的下降而上升;所述方法包括:基于第一...
  • 本发明提出了一种高信噪比掺铒光纤放大器的设计方法及系统,涉及光纤放大器技术领域,通过泵浦激光器将电学系统和光学系统进行连接,获得高信噪比掺铒光纤放大器;通过电学系统对泵浦激光器进行温度误差控制和电流供给;通过光学系统对泵浦激光器输出的光信号...
  • 本发明公开了一种超稳定重频的全光纤非线性光谱仪快调谐超短脉冲种子源,包括全保偏线型腔,所述全保偏线型腔进一步包括泵浦激光二极管(1)、波分复用器(2)、保偏增益光纤(3)、保偏光纤法布里‑珀罗电调谐滤波器(4)、反射式半导体可饱和吸收镜(5...
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