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最新专利技术
  • 微波预清洁设备及移除杂质的处理方法
    微波预清洁设备及移除杂质的处理方法_应用材料公司_202480027249.3
    本揭示案的实施例大体上系关于不含电浆的低温预清洁制程，以选择性地自基板的表面移除污染物，诸如含卤素及/或含金属氧化物的污染物。藉由使用微波源在低温下执行不含电浆的预清洁制程，该微波源经配置以向安置在处理腔室内的处理气体提供微波能量。无电浆低...
    2025-12-21
  • 半导体晶片处理装置
    半导体晶片处理装置_丰南半导体有限公司_202480001126.2
    根据本发明一实施例的半导体晶片处理装置包括：罐，其中填充有工艺所需的溶液；加热部，其用于对溶液进行初步加热；多个石英管，其用于将由加热部初步加热的溶液供给到每个半导体晶片；管加热单元，其位于每个石英管处且用于对经初步加热的溶液进行二次加热；...
    2025-12-21
  • 制造半导体装置的方法及固化性树脂组合物
    制造半导体装置的方法及固化性树脂组合物_株式会社力森诺科_202380097620.9
    一种制造半导体装置的方法，其具备如下步骤：通过利用预压接用头将具有第二绝缘膜的第二电路部件热压接于具有第二绝缘膜的第一电路部件来形成预压接体；及对预压接体进行加热并进行加压来形成第一绝缘膜与第二绝缘膜接合的接合体。第一绝缘膜或第二绝缘膜中的...
    2025-12-21
  • 压缩成形装置及压缩成形方法
    压缩成形装置及压缩成形方法_雅马哈智能机器株式会社_202480028871.6
    本发明提供一种能够实现压缩成形装置的紧凑化，而且，能够实现密封模具的维护性的提高，而且，能够实现加工时间的缩短以及生产性的提高的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，一种压缩成形装置(1)，使用密封模具(202)并利用密封树脂(R)对工...
    2025-12-21
  • 膜状黏合剂、胶黏剂膜、切割晶粒接合一体型膜及半导体装置的制造方法
    膜状黏合剂、胶黏剂膜、切割晶粒接合一体型膜及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480028825.6
    本发明的膜状黏合剂为由具有热固化性且含有橡胶成分的树脂组合物构成，并且为具有第一表面及第二表面的膜状黏合剂，所述膜状黏合剂具有如下区域：该膜状黏合剂的第一表面附近的区域且橡胶成分的含有率从第二表面侧向第一表面侧增加的区域，通过使用原子力显微...
    2025-12-21
  • 晶粒粘贴膜、切割晶粒接合膜及制造半导体装置的方法
    晶粒粘贴膜、切割晶粒接合膜及制造半导体装置的方法_株式会社力森诺科_202480028482.3
    一种晶粒粘贴膜，其用于对于配置于基板上且第一半导体芯片的周围的多个间隔件，将第二半导体芯片以第二半导体芯片横跨多个间隔件之间并且覆盖第一半导体芯片的方式黏合。晶粒粘贴膜在90～180℃的范围内显示2000Pa·s以上且9800Pa·s以下的...
    2025-12-21
  • 用于基板和表面安装器件的射频(RF)互连配置
    用于基板和表面安装器件的射频(RF)互连配置_西纳公司_202480025273.3
    本公开的各方面可以包括例如系统，所述系统包括：基板，所述基板具有位于所述基板的表面中或上的互连件；抬高件，所述抬高件设置在所述表面之上，所述抬高件被配置有用于联接到所述互连件的一个或多个抬高件通孔；器件，所述器件定位在所述表面之上，所述器件...
    2025-12-21
  • 基板处理方法和基板处理系统
    基板处理方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480022821.7
    一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括以下处理：向基板中的蚀刻对象的表面供给蚀刻液来对该表面进行蚀刻；进行用于将蚀刻后的所述蚀刻液回收以进行再利用的处理，来生成再利用蚀刻液；以及决定使用所述再利用蚀刻液对蚀刻对象的表面进...
    2025-12-21
  • 半导体药液及半导体药液的制造方法
    半导体药液及半导体药液的制造方法_株式会社德山_202480027193.1
    本发明提供实质上由异丙醇构成的半导体药液，其中，叔丁醇的含有率为1000质量ppb以下，乙醇的含有率为1000质量ppb以下。
    2025-12-21
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202380097658.6
    在本发明的半导体装置的制造方法中，首先，准备具有支撑基板(11)、设置于支撑基板(11)上的导电部(12)、以及设置于支撑基板(11)上及导电部(12)上的聚酰亚胺膜(13)的基板(10)。在所准备的基板(10)中，聚酰亚胺膜(13)具有覆...
    2025-12-21
  • 改善含硅材料质量的方法
    改善含硅材料质量的方法_应用材料公司_202480029369.7
    形成含硅及碳的材料的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前体。基板可容纳在所述半导体处理腔室的所述处理区域内。所述方法可包括向所述处理区域提供含氢前体。所述方法可包括在所述处理区域中产生所述含硅前体的等离子体流出物及所述含氢前...
    2025-12-21
  • 多通道前体输送系统
    多通道前体输送系统_朗姆研究公司_202480029151.1
    一种用于将前体供应到处理室的前体输送系统包括壳体和可拆卸前体分配组件，该可拆卸前体分配组件可拆卸地耦合至壳体且被配置成将前体供应到处理室，其中可拆卸前体分配组件包括：安瓿及第一阀组件，该第一阀组件流体耦合至安瓿，且包括第一阀、第二阀、第三阀...
    2025-12-21
  • 用于沉积稳定性增加的介电膜的方法
    用于沉积稳定性增加的介电膜的方法_应用材料公司_202480029088.1
    描述了包括用于在半导体基板上形成介电膜的半导体处理方法的实施方式。所述方法可包括将含硅前体及含氮前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可在所述处理区域内设置。所述方法可包括将惰性前体提供到所述半导体处理腔室的所述处理区域。所述方法可包括产...
    2025-12-21
  • 有机流出物减量的方法
    有机流出物减量的方法_应用材料公司_202480028749.9
    本文揭示了一种用于处理来自处理腔室的流出物的方法及系统。在一个实施例中，藉由使碳氢化合物处理气体流入在其中设置有基板的处理腔室中、使用会产生有机副产物的碳氢化合物处理气体在基板上执行工艺、将有机副产物自处理腔室排放至具有减量反应区域的前级管...
    2025-12-21
  • 晶片修整
    晶片修整_卡尔蔡司SMS有限公司_202480012876.X
    本发明有关于一种用于修整基板接合的方法。该方法包含：在第一基板内施加多个局部修改以将该第一基板接合至第二基板。本发明包含多个进一步修整方法、对应计算机程序及对应设备。
    2025-12-21
  • 采用预电离的光源
    采用预电离的光源_浜松光子学株式会社_202480029553.1
    本发明的EUV光源包括划定等离子体约束区的腔室。磁芯位于所述腔室周围，并且配置为在等离子体生成区中生成等离子体，使得所述等离子体会聚于所述等离子体约束区。电力输送部位于所述磁芯周围。电源包括充电电路、预电离电路以及具有耦合至所述磁芯输出的固...
    2025-12-21
  • 发光封装体
    发光封装体_浜松光子学株式会社_202380097508.5
    本发明的发光封装体具备：框体，其具有使第1光入射至等离子体区域的第1窗部、及使第2光自等离子体区域出射的第2窗部；及包围部，其划定包含等离子体区域的包围空间，具有与第1窗部对应的第1开口、及与第2窗部对应的第2开口。第1窗部相对于第1开口的...
    2025-12-21
  • 用于质量分析离子束的混合装置、系统和技术
    用于质量分析离子束的混合装置、系统和技术_应用材料股份有限公司_202480024147.6
    一种装置，包括电动质量分析(EDMA)总成。EDMA总成可包括：第一上部电极，设置于束轴线上方；以及第一下部电极，设置于束轴线下方且与第一上部电极相对，EDMA总成被布置成接收处于第一频率的第一RF电压信号。装置可包括设置于EDMA总成的下...
    2025-12-21
  • 用于利用时间分辨率执行电荷检测质谱法的方法
    用于利用时间分辨率执行电荷检测质谱法的方法_赛默飞世尔科技(不来梅)有限责任公司_202480028813.3
    一种用于电荷检测质谱法的过程包括：获取表示由俘获区域内的离子的振荡运动在检测器上感应的电流的时变信号；处理时变信号以导出振荡运动的频率；基于时变信号的振幅和振荡运动的所导出的频率来生成表示STORIreal值与时间的关系和STORIimag...
    2025-12-21
  • 用于在基板上沉积材料的方法和溅射沉积设备
    用于在基板上沉积材料的方法和溅射沉积设备_应用材料公司_202380097710.8
    提供了一种将材料沉积在基板上的方法。所述方法包括：在第一功率循环期间利用第一电源将第一溅射材料从第一旋转靶引向第二旋转靶，在所述第一功率循环期间利用第二电源将第二溅射材料从第三旋转靶引向所述第二旋转靶，将所述第一电源和所述第二电源从所述第一...
    2025-12-21
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