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最新专利技术
  • 一种基于线性化理论的融合连接-非连接效应的异质性全脑模型构建方法
    一种基于线性化理论的融合连接-非连接效应的异质性全脑模型构建方法_电子科技大学_202511153205.8
    本发明属于生物医学工程和脑科学的交叉技术领域，具体为一种基于线性化理论的融合连接‑非连接效应的异质性全脑模型构建方法，该方法通过构建异质性全脑模型，使用真实的纤维束追踪得到的结构连接作为模型输入，并且基于真实神经影像数据对异质性参数进行压缩...
    2026-02-03
  • 一种用于萜类促渗剂筛选的角蛋白混合脂质膜模型的构建方法及其应用
    一种用于萜类促渗剂筛选的角蛋白混合脂质膜模型的构建方法及其应用_南京中医药大学_202511146158.4
    本发明公开了一种用于萜类促渗剂筛选的角蛋白混合脂质膜模型的构建方法及其应用，其中构建包括如下步骤：将角蛋白嵌入脂质模型中，构建高仿生透皮模型，利用导向穿膜法优化导向拉力参数，平衡蛋白完整性与分子穿透效率，构建角质层脂质模型，并计算模型脂膜参...
    2026-02-03
  • 用于全智能自动化类器官药敏实验方案的风险评估方法及系统
    用于全智能自动化类器官药敏实验方案的风险评估方法及系统_嘉士腾医疗科技(重庆)有限责任公司_202511145529.7
    本发明公开了一种用于全智能自动化类器官药敏实验方案的风险评估方法及系统，通过在类器官培养的全过程中设置多个关键阶段，并对每个阶段的关键指标进行动态评估，从而实现对类器官培养风险的实时监控和预测，该方法引入了多种风险评估指标，如类器官数量指标...
    2026-02-03
  • 基于Mamba与双编码策略的多流融合基因序列预测方法
    基于Mamba与双编码策略的多流融合基因序列预测方法_广东工业大学_202511140273.0
    本发明提出一种基于Mamba与双编码策略的多流融合基因序列预测方法，旨在提升对DNA序列的语义理解与建模能力，从而提高对蛋白质表达值预测的准确性和泛化性能。该方法同步处理DNA序列的正向链与反向互补链：采用BPE编码对反向互补链进行分词与向...
    2026-02-03
  • 基于链间残基距离分布的抗体抗原复合物结构建模方法
    基于链间残基距离分布的抗体抗原复合物结构建模方法_浙江工业大学_202510909405.5
    一种基于链间残基距离分布的抗体抗原复合物结构建模方法，首先，利用抗体结构数据库SAbDab构建抗体抗原数据集用于训练深度学习模型，以学习抗体抗原间特殊的相互作用模式；然后，提取抗体和抗原的理化特征、结构几何特征和序列及进化特征，并输入多列卷...
    2026-02-03
  • 一种UFS设备的测试数据管理方法、系统、装置及存储介质
    一种UFS设备的测试数据管理方法、系统、装置及存储介质_珠海妙存科技有限公司_202511060008.1
    本发明公开了一种UFS设备的测试数据管理方法、系统、装置及存储介质，方法包括：将UFS设备的存储单元划分为至少一个存储分区，以及建立存储分区所对应的第一映射表；根据存储分区的操作命令实时更新所述第一映射表的映射数据；在UFS设备断电的情况下...
    2026-02-03
  • 闪存数据解码恢复方法及其装置、电子设备、存储介质
    闪存数据解码恢复方法及其装置、电子设备、存储介质_珠海妙存科技有限公司_202511059475.2
    本申请公开了一种闪存数据解码恢复方法及其装置、电子设备、存储介质，涉及闪存数据解码恢复方法及其装置、电子设备、存储介质。其中该方法包括：从闪存存储器的数据存储块的多个数据存储页中确定待解码的第一数据页；对第一数据页进行第一数据读取处理和第一...
    2026-02-03
  • 用于三维存储器的混合奇偶校验
    用于三维存储器的混合奇偶校验_美光科技公司_202510698036.X
    本公开的实施例涉及用于三维存储器的混合奇偶校验。各种实例针对涉及存储器装置的系统及方法，所述存储器装置包括布置成数个页、数个行及数个列的数个存储器单元的存储器阵列。所述数个存储器单元中的每一相应存储器单元可为所述数个列中的列、所述数个行中的...
    2026-02-03
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202411633695.7
    本公开涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储单元阵列，其包括正常单元块和至少一个纠错码(ECC)单元块，正常单元块和至少一个纠错码(ECC)单元块包括多个行；清理控制电路，其被配置为对多个行中的每一行执行错误检查操作；以及写回...
    2026-02-03
  • 一种存储模块寿命数据获取方法、装置、电子设备及车辆
    一种存储模块寿命数据获取方法、装置、电子设备及车辆_北京罗克维尔斯科技有限公司_202410704344.4
    本申请提供了一种存储模块寿命数据获取方法、装置、电子设备及车辆，涉及电数字处理领域。对flash模块中目标存储模块不断进行擦写，直至该目标存储模块到达使用寿命，计数不断擦写的可执行次数。在目标存储模块在不断执行擦写的过程中，擦写的执行时间会...
    2026-02-03
  • 存储器的读刷新能力的测试方法以及存储器、电子设备、计算机存储介质
    存储器的读刷新能力的测试方法以及存储器、电子设备、计算机存储介质_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946635.9
    本申请公开了一种存储器的读刷新能力的测试方法以及存储器、电子设备、计算机存储介质。方法包括：向存储器的样本地址写入数据；经过预设写读延迟时间后，基于预设读取信息对样本地址执行多次读取操作，获取多个读取数据组，每个读取数据组包括读取操作次数和...
    2026-02-03
  • 移位寄存器单元、栅极驱动器、显示设备
    移位寄存器单元、栅极驱动器、显示设备_合肥京东方光电科技有限公司_202410686827.6
    提供了一种移位寄存器单元，包括：输入电路、第一输出电路、第一节点放电电路、第一输出放电电路、第一节点电位控制电路、第一复位电路和第一输出控制电路。输入电路电连接至输入端和第一节点，第一输出电路电连接至时钟信号接收端、第一节点和第一输出端；第...
    2026-02-03
  • 由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡
    由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡_硅存储技术股份有限公司_202511150881.X
    本发明题为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”。本发明涉及用于在模拟EEPROM的闪存装置中实现损耗均衡的系统和方法。实施方案利用索引阵列，该索引阵列存储仿真EEPROM中的每个逻辑地址的索引字。每个索引字中的每一位都与仿真E...
    2026-02-03
  • 三维仅选择存储器及数据操作方法、电子设备和存储介质
    三维仅选择存储器及数据操作方法、电子设备和存储介质_新存科技(武汉)有限责任公司_202510946642.9
    本申请公开一种三维仅选择存储器的数据操作方法、三维仅选择存储器、存储电子设备及介质，属于半导体技术领域，该方法先施加初始电流脉冲，通过验证读取检测单元电学特性参数；若未达预设目标状态阈值，则根据增量步脉冲编程模式或恒步脉冲编程模式生成补偿脉...
    2026-02-03
  • 用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法
    用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510231755.0
    本公开涉及一种用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括与多条字线和多条位线连接的多个存储器单元；外围电路，被配置为执行第一编程电压施加操作和验证操作，第一编程电压施加操作增加选定存储器单元的阈值电压...
    2026-02-03
  • 存储器设备和优化读取重试表的方法
    存储器设备和优化读取重试表的方法_瑞昱半导体股份有限公司_202410682380.5
    本公开涉及存储器设备和优化读取重试表的方法。优化读取重试表的方法包括下列操作：配置存储器操作在预设操作条件；利用预设读取电压值与原始读取重试表读取该存储器，以产生测试读取重试表；以及利用该测试读取重试表读取该存储器，以重新排序该测试读取重试...
    2026-02-03
  • 读干扰处理方法、检测方法及存储设备
    读干扰处理方法、检测方法及存储设备_上海江波龙数字技术有限公司_202410695073.0
    本申请公开了一种读干扰处理方法、检测方法及存储设备。该方法包括响应于开始对目标存储块进行擦除，获取目标存储块的擦除温度，并基于擦除温度确定第一等效读取次数值；响应于开始对目标存储块进行编程，获取目标存储块在编程过程中的编程温度，并基于所有编...
    2026-02-03
  • 存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法
    存储器装置、包括存储器装置的存储装置及其操作方法_三星电子株式会社_202510131861.1
    一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括第一存储器块；控制逻辑电路，所述控制逻辑电路被配置为从外部控制器接收擦除命令并且响应于所述擦除命令而控制对所述第一存储器块的擦除操作；擦除到编程间隔(EPI)计时器，其被配置为响应于所述擦除命令而开...
    2026-02-03
  • 将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法
    将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法_科洛斯巴股份有限公司_202510720180.9
    本发明涉及将弱编程状态定义为擦除状态的非易失性存储器的擦除算法，其改进的擦除技术延长了双端非易失性存储器的寿命，并可减轻或避免擦除状态存储故障。擦除操作可包括对双端存储单元执行擦除操作，然后是弱编程操作。擦除验证操作可以确定存储单元的读取电...
    2026-02-03
  • 闪存存储器的数据编程方法和装置
    闪存存储器的数据编程方法和装置_中国科学院微电子研究所_202410686931.5
    本申请公开一种闪存存储器的数据编程方法和装置，方法包括，对闪存存储器的任一物理页进行细编程前，根据物理页的原始数据和当前数据确定物理页中无效逻辑页的数量；其中，原始数据为完成物理页的粗编程时物理页对应的数据，当前数据为对物理页进行细编程前物...
    2026-02-03
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