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最新专利技术
  • 具有降低的划线脆弱性的III-N半导体装置
    具有降低的划线脆弱性的III-N半导体装置_德州仪器公司_202510616643.7
    本公开的实施例涉及具有降低的划线脆弱性的III‑N半导体装置。本发明涉及一种半导体装置(100)，其包括：半导体衬底(102)；III‑N半导体层(104)，其在所述半导体衬底上方；介电层(110)，其沿着所述III‑N半导体层；第一沟槽及...
    2025-12-25
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202510688814.7
    提供了一种显示设备，包括第一显示区域，该第一显示区域包括像素电路和配置成向第一显示区域的像素电路提供扫描信号的扫描线。该显示设备包括第二显示区域，该第二显示区域位于第一显示区域的一侧处，并且包括像素电路和配置成向第二显示区域的像素电路提供扫...
    2025-12-25
  • 第一显示基板、第二显示基板、显示基板和显示面板
    第一显示基板、第二显示基板、显示基板和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410667458.6
    本公开提供第一显示基板、第二显示基板、显示基板和显示面板。第二显示基板，包括位于绑定区至少一侧的焊盘区，焊盘区设置有第一检测焊盘和第二检测焊盘；绑定区按照配列顺序设置有第一数据引脚和第二数据引脚，第一延伸走线和第二延伸走线分别从第一数据引脚...
    2025-12-25
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510700462.2
    根据本说明书的一个实施方式的显示装置，包括显示面板和设置在显示面板的侧表面上的模制件，该显示面板包括包含像素的显示区域和位于显示区域周围的非显示区域，其中，显示面板包括：基板；在基板上的至少一个面板无机层；在所述至少一个面板无机层上的发光部...
    2025-12-25
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410671517.7
    本公开提供一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域。本公开的显示面板包括衬底基板、设置在衬底基板上的栅极驱动电路和多条时钟信号线；时钟信号线通过连接部跨层与栅极驱动电路电连接；对于任意两相邻时钟信号线，其中一条记作第一时钟信号线，另一条记作...
    2025-12-25
  • 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法
    阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法_成都辰显光电有限公司_202410670354.0
    本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法，阵列基板包括：衬底；驱动电路层，设置于衬底一侧，驱动电路层背离衬底一侧设置有驱动电极；绝缘层，设置驱动电路层背离衬底一侧，绝缘层合围形成开口，驱动电极位于开口内；焊料，设...
    2025-12-25
  • 低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法
    低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202511203149.4
    本发明涉及半导体行业超大规模集成电路制造技术领域，具体提供一种低温多晶硅薄膜晶体管、显示面板及制备方法。旨在解决现有技术中针对界面缺陷的优化方法仍存在工艺复杂度高、成本增加或效果有限等问题。为此，本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511118016.7
    本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括从衬底突出并沿第一横向方向延伸穿过衬底的半导体鳍。半导体结构包括设置在衬底上的多个栅极结构，其中每个栅极结构沿垂直于第一横向方向的第二横向方向延伸。半导体结构包括设置在栅极结构上方的栅...
    2025-12-25
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410708119.8
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包括多个元件单元，其中元件单元包括一第一元件单元。第一元件单元包括一基板、一栅极电极层、一第一通道层以及2个空气间隙。基板包括2个源极/漏极区及一栅极区。栅极区设置于2个源极/漏极区之间。...
    2025-12-25
  • 芯片电池及其制备方法
    芯片电池及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511612900.6
    本申请提供了一种芯片电池及其制备方法，属于半导体技术领域，其包括衬底、n个电容结构和n‑1个常开型开关管，n≥2，电容结构位于衬底上，常开型开关管的至少部分位于衬底上；其中，第一个电容结构并联在一负载上，第i个电容结构与第i‑1个常开型开关...
    2025-12-25
  • 桥臂结构及其制备方法
    桥臂结构及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511188454.0
    本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种桥臂结构及其制备方法。该桥臂结构至少包括：供电电源，桥臂电阻，以及与所述桥臂电阻连接的开管器件，所述开关器件至少包括由下及上依次堆叠的：集电极；相互贴合平铺于所述集电极表面的P型柱和N型柱；其中，所...
    2025-12-25
  • 包括氮化镓功率晶体管的单片式组件
    包括氮化镓功率晶体管的单片式组件_意法半导体应用有限公司_202511185073.7
    本公开涉及包括氮化镓功率晶体管的单片式组件。单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
    2025-12-25
  • 用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成
    用于双极结晶体管(BJT)的半导体加工集成_德州仪器公司_202510610948.7
    本公开大体上涉及用于双极结晶体管BJT的半导体加工集成。在一实例中，一种半导体装置包含半导体衬底(102)、双极结晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述半导体衬底(102)包含BJT区(104)、互补FET(CFET)区(110、...
    2025-12-25
  • 形成半导体装置结构的方法
    形成半导体装置结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511087999.2
    本揭露的各种实施例提供一种用于形成半导体装置结构的方法。方法包括在两个相邻鳍片结构之间形成沟槽，鳍片结构各个包含交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层，移除每一鳍片结构中的第二半导体层以形成第一空腔，用牺牲介电层填充第一空腔，移除每一...
    2025-12-25
  • 改善HCI效应的半导体结构及其制作方法
    改善HCI效应的半导体结构及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511598774.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善HCI效应的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供基底，包括依次叠置的半导体衬底、衬底氧化层和硬掩膜层；半导体衬底中形成有与栅极位置相对应的浅沟槽；刻蚀去除衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的端部，刻蚀后衬...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511203753.7
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区和第二区，第一区及第二区均包括栅极结构、掩模层、第一氧化层及第一氮化层；形成牺牲材料层覆盖衬底表面，暴露部分高度的栅极结构，去除第一区及第二区上的栅极结构顶部的第一氮...
    2025-12-25
  • 一种光伏模块封装装置及其制作方法
    一种光伏模块封装装置及其制作方法_江苏全芯微半导体有限公司_202511175966.3
    本发明公开了一种光伏模块封装装置及其制作方法，包括：底板组件、电容、IC芯片和框架主体，底板组件包括绝缘底板和导电端子，导电端子呈片状，包括上表面和下表面，该导电端子水平铺设于绝缘底板上，导电端子下表面与绝缘底板接触并连接，导电端子上设置有...
    2025-12-25
  • 一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块
    一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511068160.4
    本发明提供了一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块，包括功率基板、驱动基板以及封装外壳；封装外壳包括容纳功率基板和驱动基板的主腔室，功率基板固定在封装外壳的底板上，驱动基板安装在封装外壳的侧壁并与功率基板平行，将主腔室分割为包括功率基板的...
    2025-12-25
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410674366.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中半导体元件包含一栅极结构，栅极结构由下而上包含一栅极绝缘层、一第一阻障层以及一栅极导电层。栅极绝缘层设置于一基底上，第一阻障层设置于栅极绝缘层上，其中第一阻障层包含一过渡金属氮化物，且第一阻障层邻近...
    2025-12-25
  • 一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法
    一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法_江苏东海半导体股份有限公司_202511043956.4
    本发明公开了一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法，具体涉及SiC制备技术领域，包括：第一导电类型衬底，其表面边缘5～10mm区域内设有同心圆排布的正六边形凹槽；第一导电类型缓冲层，填充凹槽的缓冲层填充衬底凹槽区域，凹槽侧面为SiC晶体...
    2025-12-25
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