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  • 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种高双面率背接触电池及制备方法和应用,包括:S101、对硅片双面进行一次制绒,之后清洗,一次制绒后的绒面金字塔高度记为T1;S102、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层;S103、形成间隔排布的第...
  • 本发明涉及电池片生产技术领域,具体公开了一种电池片制造方法。该方法包括如下步骤:提供印刷有导电浆料的电池片;将电池片置于承载装置上;使用固化装置固化承载装置上电池片的导电浆料;“使用固化装置固化承载装置上电池片的导电浆料”包括第一步骤,第一...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种硼扩散方法、太阳能电池的制备方法,能够减少硅片的翘曲度,硼扩散方法包括:提供半成品硅片,所述半成品硅片包括依次层叠设置的硅基底、隧穿氧化层、非晶硅膜层;在第一温度下对所述非晶硅膜层进行晶化处理,使...
  • 本申请提供了一种光伏组件的制备方法和光伏组件,包括将多片电池片通过焊带串联形成电池串,位于电池串两端的端部电池片的背面分别只连接有一组焊带,电池串中的其余电池片的背面均连接有两组焊带;将若干个所述电池串进行排版,获得第一组件;将汇流条与多条...
  • 本发明公开了基于管式炉气相扩散沉积法的硒薄膜、制备方法及应用,属于薄膜太阳能电池技术领域,包括以下步骤:在衬底上制备致密TiO2薄膜;随后在致密TiO2薄膜上制备介孔TiO2缓冲层;采用单温区管式炉作为薄膜沉积装置,抽真空至0.1‑10 P...
  • 本发明涉及硅异质结太阳电池技术领域,尤其是涉及一种修复铜溅射损伤的异质结太阳电池制备方法。包括提供正面和背面已溅射铜种子层的硅片;将硅片进行非氧环境退火处理;对硅片的正面和背面同步形成栅线沟槽,为电镀铜栅线提供图形化掩膜;在栅线沟槽电镀铜栅...
  • 本发明公开了一种降低Topcon电池EL黑边比例的方法,经丝网印刷、烧结工序处理后电池硅片,采取包括以下步骤进行MCP激光处理:将电池硅片上待激光处理的图形划分为边缘图层和中间图层;采用不同输出功率的激光,分别对电池硅片的边缘图层和中间图层...
  • 本申请公开了一种光伏电池的边缘钝化方法以及钝化溶液。在执行本申请实施例提供的方法时,首先可以利用有机半导体和磺酸基聚合物制备钝化溶液。然后利用具备激子倍增效应的钝化溶液对待钝化的光伏电池进行边缘钝化,得到钝化层覆盖的光伏电池。最后对钝化层覆...
  • 本发明公开了一种基于等离子体沉积的TOPCon半片电池边缘钝化设备,包括机体,第一工作台、第二工作台、一对第一支架和等离子预处理机构,所述机体内设有所述第二工作台上设有钝化机构;所述第一工作台上设有清洗机构,所述第一支架转动连接在第一工作台...
  • 本发明提供了一种提升BC太阳能电池光电转换效率的方法及由其制备得到的BC太阳能电池、光伏组件,涉及太阳能电池的技术领域。所述提升BC太阳能电池光电转换效率的方法包括:对BC太阳能电池硅基底进行P区化学镀镍硼合金、N区化学镀镍磷合金、电镀铜和...
  • 本发明提供了一种晶硅太阳能电池的金属化方法及由其得到的晶硅太阳能电池、光伏组件,涉及太阳能电池技术领域。所述晶硅太阳能电池的金属化方法包括:在待金属化的半成品电池片的背面依次沉积铝和铜种子层,随后在金属化图形区域印刷树脂浆料,去除非金属化图...
  • 本申请实施例涉及光伏技术领域,并提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。该太阳能电池的制备方法包括:提供硅衬底,硅衬底包括相对的第一表面和第二表面;在硅衬底的第一表面所在侧形成第一掺杂层;在硅衬底的第二表面所在侧形成与第一掺杂层掺杂类型相...
  • 本发明涉及一种快速自驱动光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域,解决现有光电探测器中载流子在横向和耗尽区外的扩散时间会限制响应速度的问题。该方法包括:在清洗后的半导体衬底上顺序形成石墨烯层、二硫化钼层和二硫化钨层以制得石墨烯/二硫化钼...
  • 本发明公开了一种锡掺杂的氮化镓同质结、其制备方法及在β射线探测中的应用,属于半导体薄膜材料技术领域。本发明通过刮涂液态镓在衬底上形成氧化镓薄膜,随后刮涂液态锡镓合金在其上形成锡掺杂氧化镓薄膜,最后进行氮化处理转化为锡掺杂氮化镓同质结。该制备...
  • 本申请涉及一种光伏组件及其印胶工艺,光伏组件包括电池串,电池串包括多个电池片、多个焊带和多个胶点,相邻的电池片通过焊带电连接,电池片与焊带在焊点处被焊接固定,且电池片与焊带在胶点处被粘接固定;焊点包括第一焊点和第二焊点,至少一个胶点位于第一...
  • 本发明提供一种软X射线探测器制备工艺及软X射线探测器,该制备工艺包括:获取双面抛光带氮化硅/二氧化硅的硅片作为探测器基材;根据悬空区域大小在硅片背面开窗;在硅片正面溅射生长AlMn合金超导薄膜,通过光刻完成图形化,烘烤调整超导转变温度;Nb...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种光伏组件的制备方法、光伏组件。该制备方法包括以下步骤:在太阳电池半成品上印刷栅线浆料烧结成栅线前驱体;制备太阳电池:激光诱导接触处理形成金属栅线,且使金属栅线穿过钝化层与半导体层之间直接接触;金属栅线与半...
  • 本发明公开了一种太阳电池的生产工艺、辅助生产工装、太阳电池以及光伏组件,涉及太阳电池技术领域。该太阳电池的生产工艺通过先利用氧化液在硅片的背面形成第一介质层,再利用隔绝疏水液去除第一玻璃层和第一介质层上的水分,并紧密覆盖于第一玻璃层和第一介...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,包括:提供硅基底,硅基底的背光面上依次设有第一半导体层和图形化的第一掩膜层,第一掩膜层的图形化区域使对应位置的第一半导体层露出;第一掩膜层包括无掺杂氧化硅和/或掺杂氧化硅;湿法...
  • 本公开提供了一种太阳电池的制备方法,其包括如下步骤:提供经过分割后的电池基片;在所述电池基片的分割面上制备接触于所述分割面的钝化修复层;以及,通过化学气相沉积法或原子层沉积法在所述钝化修复层远离所述分割面的一侧制备防水牺牲层,所述防水牺牲层...
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