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最新专利技术
  • 发光器件
    发光器件_株式会社半导体能源研究所_202510645468.4
    提供一种发光效率良好的发光器件。此外，提供一种可靠性良好的发光器件。此外，提供一种发光效率良好且可靠性良好的显示装置。该发光器件包括第一电极、第二电极、位于第一电极及第二电极之间的发光层以及盖层，第二电极位于发光层与盖层之间，盖层至少包含第...
    2025-12-24
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202510149081.X
    本发明提供一种显示装置。显示装置包括：显示面板，包含折叠区域及布置在所述折叠区域的一侧的非折叠区域；窗口复合层，布置在所述显示面板的一表面上，并且包含窗口、布置在所述窗口上的树脂；上部保护膜，布置在所述窗口复合层上；以及面板支撑层，布置在所...
    2025-12-24
  • 复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置
    复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410698082.5
    本申请公开了一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置，涉及显示技术领域。复合薄膜包括层叠设置的第一膜层和第二膜层；其中，第一膜层包括钝化子膜，钝化子膜的材料包括钝化剂，第二膜层的材料包括第一N型半导体。本申请提供的复合薄膜中的钝化子膜可...
    2025-12-24
  • 复合薄膜、光电器件及显示装置
    复合薄膜、光电器件及显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410694384.5
    本申请公开了一种复合薄膜、光电器件及显示装置，涉及显示技术领域。复合薄膜包括层叠设置的第一分离膜、多孔膜和第二分离膜。本申请提供的复合薄膜有利于封锁氧气。
    2025-12-24
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_北京夏禾科技有限公司_202410698206.X
    公开了一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括：阳极，阴极，以及设置在阳极和阴极之间的第一有机层；所述第一有机层包含LUMO能级小于等于‑5.18eV的P型掺杂材料和具有由式1表示的特定结构的第一有机材料。这种由第一有机材料和P型掺杂...
    2025-12-24
  • 薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置
    薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410698897.3
    本申请公开一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。薄膜的材料包括有机P型半导体材料和掺杂剂，掺杂剂包括多氰基类共轭化合物、多三氟甲基类共轭化合物中的一种或几种。本申请提供的薄膜具有较高的空穴迁移率。
    2025-12-24
  • 薄膜及其制备方法及光电器件
    薄膜及其制备方法及光电器件_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410693963.8
    本申请公开了一种薄膜及其制备方法及光电器件，所述薄膜的材料包括P型有机化合物以及多齿膦配体。本申请技术方案提供的薄膜中掺入有多齿膦配体，使得薄膜的能级可调控。
    2025-12-24
  • 显示器件和包括显示器件的电子装置
    显示器件和包括显示器件的电子装置_三星显示有限公司_202510717976.9
    本申请涉及显示器件和包括显示器件的电子装置。显示器件包括包含显示区域和非显示区域的基板、设置在显示区域中的发光元件以及设置在非显示区域中的虚设印刷区域，其中发光元件包括量子点，并且其中酸性油墨设置在虚设印刷区域中。
    2025-12-24
  • 一种基于热激子蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法
    一种基于热激子蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法_电子科技大学_202511207758.7
    本发明公开了一种基于热激子蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法，属于有机光电子技术领域，有机双功能器件包括透明衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、激子调控层、有机活性层、电子传输层和阴极层，其中有机活性层采用热激子蓝光材料PyAnTph，...
    2025-12-24
  • 一种基于手性超表面和手性分子钙钛矿的圆偏振发光二极管
    一种基于手性超表面和手性分子钙钛矿的圆偏振发光二极管_北京工业大学_202510962145.8
    一种基于手性超表面和手性分子钙钛矿的圆偏振发光二极管，属于手性发光二极管技术领域。具有Z型凹槽阵列的非晶硅层，Z型凹槽内填充有钙钛矿材料，形成对应的硅和钙钛矿层即手性超表面调控发光层；分为正Z型凹槽和反Z型凹槽，左手结构Z型凹槽对应填充左手...
    2025-12-24
  • 一种钙钛矿顶发射发光二极管及其制备方法
    一种钙钛矿顶发射发光二极管及其制备方法_南开大学_202511198817.9
    本发明为一种钙钛矿顶发射发光二极管及其制备方法。所述二极管从下到上依次为衬底、金属反射底电极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、缓冲层和透明顶电极；所述的透明顶电极的材质为氧化铟锡或氧化铟锌，所述的缓冲层材质为高分子聚合物。本发明顶部电...
    2025-12-24
  • 叠层电池
    叠层电池_英利能源发展有限公司_202511252929.8
    本发明涉及电池技术领域，提供一种叠层电池，包括：底电池、顶电池和互联层，互联层设于底电池和顶电池之间；互联层包括透明导电复合层和硅基隧穿层。本发明通过在顶电池和底电池之间设置互联层，互联层包括透明导电复合层和硅基隧穿层，硅基隧穿层具有较低的...
    2025-12-24
  • 激光电池及制备方法、光电转换器件
    激光电池及制备方法、光电转换器件_甬江实验室_202511535934.X
    本申请提供一种激光电池及制备方法、光电转换器件。该激光电池包括多个子电池结构，多个子电池结构沿第一方向层叠设置；每个子电池结构均包括衬底以及设置于衬底上的外延结构层；在任意相邻的两个子电池结构中，其中一个子电池外延结构层与另外一个子电池结构...
    2025-12-24
  • 太阳能电池组件及其制备方法、光伏设备、用电装置和发电装置
    太阳能电池组件及其制备方法、光伏设备、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202510264636.5
    本申请涉及一种太阳能电池组件及其制备方法、光伏设备、用电装置和发电装置，在光伏层组对应接线盒的位置设置镂空区域，并贯穿吸光层，使得接线盒所对应的位置消除至少部分吸光层，可有效降低吸光层出现局部降解的几率。由于镂空区域沿第一方向的至少一侧具有...
    2025-12-24
  • 一种基于交联界面钝化层的钙钛矿太阳能电池
    一种基于交联界面钝化层的钙钛矿太阳能电池_广东工业大学_202511566436.1
    本发明公开了一种基于交联界面钝化层的钙钛矿太阳能电池，涉及光伏电池材料技术领域。所述的钙钛矿太阳能电池从下至上依次为：透明导电基底、电子传输层、钙钛矿光吸收层、交联界面钝化层、空穴传输层、金属电极；所述交联界面钝化层为4‑[10‑(4‑{(...
    2025-12-24
  • 基于多位点螯合配体的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    基于多位点螯合配体的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_昆明理工大学_202511273427.3
    本发明公开了一种基于多位点螯合配体的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池自下而上包括ITO导电玻璃层、空穴传输层、钙钛矿光活性层、钝化层、电子传输层和金属电极。其创新在于，在钙钛矿光活性层中掺入了多齿螯合配体N, N'‑乙二胺二琥珀酸(ED...
    2025-12-24
  • 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及制备方法_极电光能有限公司_202410698703.X
    本发明涉及钙钛矿太阳能电池领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及制备方法。钙钛矿太阳能电池包括依次设置的电荷传输层、钝化层、钙钛矿层；其中，所述钝化层的材料包括聚合氯化铝。聚合氯化铝对埋藏界面的缺陷处理效果好；聚合氯化铝钝化了电荷传输层的界面...
    2025-12-24
  • 一种透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
    一种透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统_比亚迪股份有限公司_202511047307.1
    本发明涉及钙钛矿太阳能电池领域，具体涉及一种透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该透明钙钛矿太阳能电池包括光电转换单元，所述光电转换单元具有至少一个通光孔，所述通光孔中填充有绝缘透光材料，所述绝缘透光材料包括第一绝缘透光材...
    2025-12-24
  • 一种光敏晶体管及其制备方法
    一种光敏晶体管及其制备方法_郑州大学_202511219183.0
    本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种光敏晶体管及其制备方法。本发明提供的光敏晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、介电层、复合半导体层和源漏电极；所述复合半导体层为稠环芳烃和聚[茚并二噻吩‑共‑苯并噻二唑]共混形成的共混半导体层，或者为位于介...
    2025-12-24
  • 一种宽带隙钙钛矿太阳能电池
    一种宽带隙钙钛矿太阳能电池_晶鹏能源(深圳)有限公司_202511212684.6
    本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，尤其涉及一种宽带隙钙钛矿太阳能电池。本发明提供了一种宽带隙钙钛矿太阳能电池，包括依次层叠设置的基底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、界面钝化层、电子传输层和电极层；所述钙钛矿吸光层的材料为(FA0.98MA0....
    2025-12-24
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