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最新专利技术
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_杭州士兰集成电路有限公司_202511230059.4
    本发明提供了一种功率器件及其制备方法，其中功率器件的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，并在第一衬底上依次生长氮化物层和外延层，外延层的第一表面位于氮化物层上，氮化物层包括氮化硼层；提供临时键合片，并将外延层的第二表面与临时键合片键合；去除...
    2025-12-26
  • 一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法
    一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511214560.1
    本发明提供一种分裂栅MOSFET器件及其制作方法，该方法先在衬底中形成开口宽度自上而下逐渐增大的沟槽，之后形成介质填充部于沟槽中，并形成凹槽于介质填充部中以得到屏蔽栅介质层，其中，位于沟槽侧壁的屏蔽栅介质层的厚度自上而下逐渐增大，位于沟槽底...
    2025-12-26
  • 一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用
    一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用_东南大学_202511213619.5
    一种基于碘化铅薄膜的二维半导体p型掺杂方法及其应用，在衬底表面预先沉积碘化铅薄膜作为掺杂层，将二维半导体材料转移至所述碘化铅薄膜的表面，形成垂直异质结构；用于通过界面掺杂实现对所述二维半导体材料载流子类型及浓度的调控。本发明与传统离子注入或...
    2025-12-26
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186967.8
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，在制备方法中，通过回刻蚀露出一定高度的第一多晶硅层，然后利用两次热氧化工艺将一定高度的第一多晶硅层氧化成隔离氧化层，将剩余的第一多晶硅层埋入场氧化层和隔离氧化层中，构成屏蔽栅，最后在屏蔽...
    2025-12-26
  • 屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186910.8
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，在制备方法中，通过多次热氧化和回刻蚀工艺，将源极多晶硅层设计成T型并且将部分第二多晶硅层热氧化为隔离氧化层，最后在源极多晶硅(源极/屏蔽栅)顶部的隔离氧化层和第一沟槽侧壁上的隔离氧化层之...
    2025-12-26
  • 形成半导体结构及场效晶体管的方法
    形成半导体结构及场效晶体管的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511120823.2
    一种形成半导体结构及场效晶体管的方法。半导体结构可以通过以下方式形成：在基板上方形成多个半导体纳米线，其中半导体纳米线及基板通过间隙彼此垂直间隔开，且其中半导体纳米线通过支撑结构悬挂在基板上方；执行一系列的多个处理步骤的至少两迭代，处理步骤...
    2025-12-26
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511065495.0
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在部分有源区的表面形成栅极，在浅沟槽隔离结构的表面形成多个间隔设置的条状多晶硅，多个条状多晶硅与栅极在第一方向上间隔设置，多个条状多晶硅与栅极均沿着第二方向延伸；形成第一介质层；在第一介质层内形成...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202510922350.1
    本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底，多个鳍片，多个鳍片包括相邻的第一鳍片和第二鳍片，隔离区，以及伪栅结构；形成覆盖衬底结构的表面的第一绝缘层，第一绝缘层具有填充第一鳍...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510746080.3
    本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。形成半导体层的堆叠件。在截面侧视视角下半导体层在垂直方向上彼此间隔开多个间隙。在半导体层上方形成多个栅极介电层。在截面侧视视角下，每个栅极介电层周向地围绕半导体层中的相应一个半导体层，并且栅极介电...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411818500.6
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底，衬底包括半导体主体；形成包覆半导体主体部分区域的牺牲结构；半导体主体沿第一方向延伸、且贯穿牺牲结构，牺牲结构沿第二方向延伸；第二方向与第一方向相交；形成至少覆盖牺牲结...
    2025-12-26
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411419353.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构。该方法包括提供包括多个鳍状结构以及隔离结构的衬底，待处理区中的鳍状结构包括凸出于隔离结构的预设子部。形成第一介质层，形成牺牲合并结构，牺牲外延层覆盖第一介质层及预设子部的顶部及覆盖预设...
    2025-12-26
  • pMOS器件的制造方法
    pMOS器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708730.0
    本发明提供一种pMOS器件的制造方法，在钴金属层与锗硅源漏之间设置层叠厚度较薄、硼掺杂浓度自下而上逐渐减小的至少三层富硼层并在最上层的富硼层上形成厚度较大且无硼和无锗掺杂的硅盖帽层，拉大了锗硅源漏和钴金属层之间的距离，使钴只与硅盖帽层中的S...
    2025-12-26
  • 一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件
    一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511200398.8
    本发明涉及一种具有场截止层的高压半导体器件的制造方法及器件，所述制造方法包括步骤：晶棒切片，得到预设厚度的单晶片；在单晶片的正面和背面生长场氧化层，在正面的场氧化层上覆盖光刻胶；刻蚀背面的场氧化层，从背面向单晶片的内部注入磷离子；退火处理，...
    2025-12-26
  • 一种高短路能力的功率器件及其制作方法
    一种高短路能力的功率器件及其制作方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511236785.7
    本申请提供一种高短路能力的功率器件及其制作方法，该功率器件包括半导体层、至少部分嵌入半导体层中的至少一沟槽、位于半导体层中的第一导电类型掺杂单元及第二导电类型掺杂单元。第一导电类型掺杂单元包括多个第一阱区及多个第二阱区。第一阱区及第二阱区分...
    2025-12-26
  • 一种高栅控低EMI噪声的SiC双沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法
    一种高栅控低EMI噪声的SiC双沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法_长沙理工大学_202511157030.8
    本发明公开了一种高栅控低EMI噪声的SiC双沟槽栅IGBT器件结构及其制备方法，本发明方案为了抑制EMI噪声，通过引入侧栅形成一个p通道MOSFET, 在器件开启瞬态过程中，随着集电极注入的空穴积累在P‑shield中，P‑shield的电...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510655255.X
    本公开的目的在于得到能够提高短路耐量的半导体装置。本公开的半导体装置包括：半导体基板，该半导体基板具有主面、及与所述主面相反一侧的背面；主电极，该主电极形成在所述半导体基板的所述主面；栅极电极，该栅极电极形成在所述半导体基板的所述主面侧；以...
    2025-12-26
  • 混合PIN肖特基二极管
    混合PIN肖特基二极管_珠海格力电子元器件有限公司_202511230258.5
    本申请提供了一种混合PIN肖特基二极管，包括：外延层，具有第一表面；位于外延层中且沿第一方向和第二方向阵列分布的多个掺杂区，掺杂区包括第一掺杂部以及在第二方向上凸出于部分第一掺杂部的第二掺杂部，第一方向和第二方向平行于第一表面且第一方向和第...
    2025-12-26
  • 具有场板结构的二极管器件
    具有场板结构的二极管器件_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510424825.4
    本公开涉及具有场板结构的二极管器件。一种二极管器件包括：第一阱，其位于半导体衬底中；第二阱，其位于半导体衬底中且围绕第一阱；以及低掺杂区，其位于半导体衬底中且在第一阱和第二阱之间。第一阱和第二阱具有相反的导电类型，从而形成PIN二极管。该二...
    2025-12-26
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410718207.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，依次层叠设置衬底、GaN漂移层以及保护层；刻蚀保护层形成贯穿保护层的开口；形成至少位于开口中的金属层；高温退火使金属层中的金属离子扩散进入开口下方的GaN漂移层中，形成P型区。本公开通过Mg扩散的方法...
    2025-12-26
  • MIM电容器及其制造方法
    MIM电容器及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159013.8
    本申请公开了一种MIM电容器及其制造方法。本申请通过采用组合介质层结构替代原有的单一的氮化硅层结构，其中组合介质层结构可以作为下极板金属的阻挡扩散层有效阻挡下极板金属的扩散，同时组合介质层与相关技术的膜层相比更致密且介电常数高，降低了MIM...
    2025-12-26
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