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最新专利技术
  • 半导体材料及其制备方法
    半导体材料及其制备方法_重庆欣晖材料技术有限公司_202511336061.X
    本公开实施例提供了一种半导体材料及其制备方法，其中，半导体材料包括第一碳化硅层；第一碳化硅层包括孪晶结构和非孪晶结构；孪晶结构嵌入在非孪晶结构中；孪晶结构的生长方向在第一碳化硅层的厚度延伸方向上的投影大于零；孪晶结构的尺寸大于非孪晶结构的晶...
    2025-12-26
  • 半导体结构和半导体结构的制备方法
    半导体结构和半导体结构的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511202325.2
    本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法。该半导体结构包括基底层、中间层以及外延层，基底层的材料包括硅；中间层位于基底层的一侧，中间层的材料包括AxByP1‑x‑yQ，其中，A的摩尔比沿预定方向逐渐增大，B和P的摩尔比分别沿预定方向...
    2025-12-26
  • 离子调控诱导二维半导体产生铁电性的方法及应用
    离子调控诱导二维半导体产生铁电性的方法及应用_华东师范大学_202511035305.0
    本发明公开了一种离子调控诱导二维半导体产生铁电性的方法及应用，该方法包括步骤：S1，将碱金属和芳香烃化合物加入到醚类溶剂中，溶解后形成混合溶液；S2，对混合溶液进行稀释，获得碱金属‑芳香烃预掺杂溶液；S3，将二维半导体材料完全浸没于S2制备...
    2025-12-26
  • 提升金属-氧化物-半导体晶体管性能的方法
    提升金属-氧化物-半导体晶体管性能的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511140714.7
    本发明提供一种提升金属‑氧化物‑半导体晶体管性能的方法。该方法包括：确定MOS晶体管的沟道长度(Lg)与应力金属栅的厚度(TMG)的比值；并根据晶体管类型，调节该Lg/TMG比值，以在沟道中产生目标类型的应力。本发明关键在于揭示并利用了拉伸...
    2025-12-26
  • 一种碳化硅功率器件
    一种碳化硅功率器件_深圳平湖实验室_202511648669.6
    本申请公开了一种碳化硅功率器件，包括：有源区，形成有碳化硅功率器件的有源结构。终端区围绕有源区的外围设置，终端区包括：碳化硅外延层和叠层设置于碳化硅外延层上的至少一层无机绝缘层。其中，终端区包括至少一个一级沟槽，一级沟槽在厚度方向上贯穿各无...
    2025-12-26
  • 功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法
    功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511586028.2
    本申请提供了一种功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法，功率半导体器件包括衬底；外延层位于衬底的一侧；栅极结构至少部分位于外延层内，栅极结构的至少部分结构的形状为半球形；肖特基接触区位于外延层内，并且位于相邻的两个所述栅极结构之间；源极结...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_新电元工业株式会社_202510697315.4
    本发明提供一种能够提高PRSM耐受量的半导体装置。本发明的半导体装置100包括：半导体基体110；绝缘层120，形成在半导体基体110的表面上并且具有使半导体基体110的表面露出的开口122；以及表面电极130，至少形成在与开口122重叠的...
    2025-12-26
  • 一种基于SiC超结的快速反向恢复方法及系统
    一种基于SiC超结的快速反向恢复方法及系统_深圳市美浦森半导体有限公司_202511287661.1
    本发明涉及器件恢复优化技术领域，一种基于SiC超结的快速反向恢复方法及系统，包括：对工作电压集进行频次统计，得到电压单位时长集，基于超结参数集对碳化硅晶圆进行超结掺杂，得到超结器件，利用工作电压及恢复时长测试装置对超结器件进行反向恢复时长测...
    2025-12-26
  • 二维材料的转移和堆叠方法
    二维材料的转移和堆叠方法_中国人民解放军国防科技大学_202511100108.2
    本发明提供了一种二维材料的转移和堆叠方法。本发明提供的方法实现了以微小面积精准接触二维材料从扎堆材料、衬底边缘材料中精准拾取目标材料并实现转移材料、堆叠异质结，保证最终器件周围无其他材料影响；本发明提供的方法还可实现目标材料周围不想要材料的...
    2025-12-26
  • 二维材料的转移和堆叠方法
    二维材料的转移和堆叠方法_中国人民解放军国防科技大学_202511100098.2
    本发明提供了一种二维材料的转移和堆叠方法。相较于传统的将PVA方条带粘贴在PDMS片上，本发明的方法在自制的PDMS半球上直接成膜，减少了二维材料转移前的准备工作，简化了准备流程，同时增大了PVA薄膜与PDMS之间的结合力，可以在PVA薄膜...
    2025-12-26
  • 用于调节功率器件的转折电压的方法
    用于调节功率器件的转折电压的方法_清华大学_202510969340.3
    本公开提供了一种用于调节功率器件的转折电压的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：测量功率器件的实际转折电压；和基于实际转折电压，对功率器件执行质子辐照处理和退火处理，以改变功率器件中的缓冲区的掺杂浓度，从而调节功率器件的实际转折电压。该方...
    2025-12-26
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_三星显示有限公司_202510608464.9
    提供了包括在显示装置中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：缓冲层，在基底上；有源图案，在缓冲层上；栅电极，在有源图案上；栅极绝缘层，在有源图案与栅电极之间；以及源电极和漏电极，电连接到有源图案并且在第一方向或与第一方向交叉的第二方向上间隔开。...
    2025-12-26
  • 半导体器件
    半导体器件_深圳市鹏进高科技有限公司_202511233303.2
    本公开提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，用于降低半导体器件的欧姆接触电阻；半导体器件包括：衬底、外延层、第一掺杂部、第二掺杂部和欧姆接触层；外延层设于衬底的一侧，外延层包括碳化硅外延层；第一掺杂部嵌入外延层远离衬底的表面；第二掺杂部嵌...
    2025-12-26
  • 集成温度传感单元和电流传感单元的芯片结构、制作方法
    集成温度传感单元和电流传感单元的芯片结构、制作方法_中国第一汽车股份有限公司_202511202814.8
    本发明提供了一种集成温度传感单元和电流传感单元的芯片结构、制作方法。芯片结构包括：芯片本体，芯片本体的中部区域设置有源区，有源区向外依次设置过渡区和终端区，过渡区和终端区围绕有源区设置；沿有源区的预设方向依次设置有工作区单元、电流传感单元和...
    2025-12-26
  • 集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆
    集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511202792.5
    本发明提供了一种集成温度传感器的芯片结构及具有其的制作方法、车辆。该集成温度传感器的芯片结构，包括：芯片本体和温度传感器，芯片本体包括碳化硅层和设置于碳化硅层外层的栅极结构，芯片本体的中部区域设置有源区和非有源区，有源区和非有源区位于栅极结...
    2025-12-26
  • 芯片结构及具有其的制作方法、车辆
    芯片结构及具有其的制作方法、车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511202751.6
    本发明提供了一种芯片结构及具有其的制作方法、车辆。该芯片结构包括：衬底层、外延层和栅极焊盘，外延层设置于衬底层的上表面，在外延层上表面至少设置有多晶硅层、金属层、第二绝缘介质层和多晶硅结构，其中，金属层位于多晶硅层的外层，第二绝缘介质层位于...
    2025-12-26
  • 一种优化雪崩的超结MOSFET结构及其制备方法
    一种优化雪崩的超结MOSFET结构及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511155305.4
    本发明公开了一种优化雪崩的超结MOSFET结构及其制备方法，该超结MOSFET结构包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型体区以及源极结构；第一导电类型外延层内纵向分布有若干第二导电类型柱，每个第二导电类型柱均具有垂直部和偏...
    2025-12-26
  • 一种集成横置的肖特基二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
    一种集成横置的肖特基二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法_扬州大学_202511123072.X
    本申请公开了一种集成横置的肖特基二极管的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，包括：N型衬底；位于衬底的漏极；位于衬底上方的N型外延层；位于外延层靠近上表面中间位置的沟槽栅极；位于栅极左侧的N型源区与P型基区；位于栅极下方的N型电流扩展...
    2025-12-26
  • 具有第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的半导体器件以及制造方法
    具有第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的半导体器件以及制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202510743401.4
    提供一种半导体器件，包括第一导电类型下部半导体衬底层、上部半导体衬底层和内插在之间的第二导电类型掩埋半导体衬底层。半导体器件包括第一隔离沟槽，形成在上部半导体衬底层第一主表面并延伸穿过上部半导体衬底层和掩埋半导体衬底层进入下部半导体衬底层。...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510735750.1
    半导体装置(1、2)具备：绝缘膜(42)，具有朝向有源区域(10A)的端部(43)；栅极布线(36)，设置在绝缘膜(42)上；以及栅极引出部(38)，将栅极电极(32)与栅极布线(36)连接，跨上绝缘膜(42)的端部(43)而延伸。半导体基...
    2025-12-26
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