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最新专利技术
  • 一种基于多参数反馈的纤维上油装置及其控制方法
    一种基于多参数反馈的纤维上油装置及其控制方法_中复神鹰碳纤维股份有限公司_202511864350.7
    本发明为一种基于多参数反馈的纤维上油装置及方法。本发明在于构建一个“感知‑决策‑执行‑回收”的全流程闭环系统，实现对油剂用量的精确、自适应控制。该装置包括油剂流量控制机构，设有精密计量泵与电动调节阀；纤维张力监测模块，设有张力传感器和速度传...
    2026-04-16
  • 一种聚丙烯纳米纤维及其制备方法
    一种聚丙烯纳米纤维及其制备方法_深圳市珂莱蒂尔服饰有限公司_202511623818.3
    本发明涉及聚丙烯纤维制造技术领域，公开一种聚丙烯纳米纤维的制备方法，包括：将聚丙烯熔体分为核层熔体与壳层熔体，使壳层熔体流经内置静态混合单元的强化传热通道进行降温均化处理，并基于旁路流变监测信号前馈调节该降温处理的强度；将均化后的壳层熔体同...
    2026-04-16
  • 一种高强型对位芳纶纤维的制备方法
    一种高强型对位芳纶纤维的制备方法_山东海化集团有限公司_202511401757.6
    本发明属于芳纶纤维技术领域，具体涉及一种高强型对位芳纶纤维的制备方法，在惰性气体环境下，将对位芳纶粉末与浓硫酸混合搅拌、过滤，得到纺丝原液；将纺丝原液通过干喷湿纺工艺制成初生纤维；将初生纤维烘干、热定型后，在冷却辊上进行淬火处理；将经过淬火...
    2026-04-16
  • 一种超疏水的氨纶面料及其制备方法
    一种超疏水的氨纶面料及其制备方法_武汉纺织大学_202511593216.8
    本发明涉及一种超疏水的氨纶面料及其制备方法。该面料可采用如下方法制得：首先，从荷叶中提取低表面能物质；其次，将氨纶面料进行等离子体辐照处理；再次，将低表面能物质溶于二甲基甲酰胺，制得纺丝液；最后，采用静电纺丝技术将纺丝液喷涂于氨纶面料表面，...
    2026-04-16
  • 一种竹提取液莱赛尔纤维的生产工艺以及生产设备
    一种竹提取液莱赛尔纤维的生产工艺以及生产设备_上海中禛网络科技有限公司_202511522051.5
    本发明公开了竹提取液莱赛尔纤维的生产设备，尤其涉及一种竹提取液莱赛尔纤维的生产工艺以及生产设备，包括用于物料混合的混合罐，所述混合罐内部设置有搅拌机构，所述搅拌机构主要由安装于所述混合罐上的搅拌组件和驱动组件组成，其中，所述搅拌组件的侧面设...
    2026-04-16
  • 异性纤维清理装置及籽棉处理系统
    异性纤维清理装置及籽棉处理系统_山东天鹅棉业机械股份有限公司_202511918453.7
    本发明公开了一种异性纤维清理装置及籽棉处理系统，其中异性纤维清理装置，包括：异性纤维图像识别部，具有自下至上设置的监测通道和布置在监测通道两侧的监测组件；出棉通道，连接于监测通道的上端，具有喷吹口和与喷吹口相对的出杂口；进棉通道，连接于监测...
    2026-04-16
  • 一种羽绒高效清洗设备
    一种羽绒高效清洗设备_四川圣山白玉兰实业有限公司_202511651352.8
    本发明涉及羽绒加工技术领域，公开了一种羽绒高效清洗设备，包括：清洗槽，用于装载羽绒；羽绒分散部，用于对清洗槽中的羽绒进行打散；羽绒输送部，用于对清洗槽中的羽绒进行输送；清洗槽包括排出管以及多个单元清洗槽，多个单元清洗槽串联。本发明将清洗槽划...
    2026-04-16
  • 单晶材料晶面取向的补偿方法
    单晶材料晶面取向的补偿方法_杭州弘晟智能科技有限公司_202512041888.4
    本申请提供一种单晶材料晶面取向的补偿方法，包括：控制晶锭的端面法线与旋转载台的旋转轴共线，执行三次旋转，第i次旋转包括：将载台绕旋转轴旋转至预定角度ωi，转动射线发射器与探测器，若探测器信号出现衍射峰，确定射线发射器的入射光向量Vi对应的发...
    2026-04-16
  • 一种含铝草酸盐压电晶体的制备方法
    一种含铝草酸盐压电晶体的制备方法_三明学院_202511385915.3
    本发明提供了一种含铝草酸盐压电晶体的制备方法，所述含铝草酸盐压电晶体的化学式为NaBaAl(C₂O₄)₃·5H₂O，分子量为541.45，结晶于正交晶系极性空间群Pca2₁(No.29)，晶胞参数为a=19.0829(4) Å, b=10....
    2026-04-16
  • 一种具有反蛋白石结构的有序多级孔ZSM-5分子筛单晶及其合成方法与应用
    一种具有反蛋白石结构的有序多级孔ZSM-5分子筛单晶及其合成方法与应用_武汉理工大学_202511275807.0
    本发明公开了一种具有反蛋白石结构的有序多级孔ZSM‑5分子筛单晶及其合成方法与应用，该有序多级孔ZSM‑5分子筛单晶具有反蛋白石孔道结构，其内大孔为蛋白石笼形且有序分布，分子筛单晶内还分布有介孔和微孔，并且大孔、介孔和微孔相互贯通。本发明提...
    2026-04-16
  • 一种碲镉汞垂直液相外延设备混合比例控温方法及系统
    一种碲镉汞垂直液相外延设备混合比例控温方法及系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511444243.9
    本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延设备混合比例控温方法及系统，方法包括步骤：获取内热偶温度InnerPV和外热偶温度OuterPV；根据预设的混合比例系数r，计算混合反馈温度值PV，其中：PV=InnerPV×(1‑r)+OuterPV×r...
    2026-04-16
  • 一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法
    一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法_北京晶格领域半导体有限公司_202512034598.7
    本发明涉及晶体生长技术领域，特别是涉及一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法。本发明提供了一种导流生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚、第一旋转升降轴和涡轮液泵套件；所述涡轮液泵套件包括导流挡板，所述导流挡板上部连接所述第一旋转升降轴，下部安装带有籽...
    2026-04-16
  • 一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置
    一种液相法生长碳化硅单晶的方法及装置_北京晶格领域半导体有限公司_202512034551.0
    本发明涉及碳化硅制备技术领域，特别涉及一种液相法生长碳化硅单晶的方法。本发明实施例提供一种液相法生长碳化硅单晶的方法，包括：将斜面籽晶托通过与籽晶旋转升降轴连接的支撑架设置在坩埚内部靠近内壁的部位；其中，所述坩埚内装盛有高温熔体；将偏角籽晶...
    2026-04-16
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202511945790.5
    一种晶体生长装置，包括：坩埚，所述坩埚上设置有可拆卸的坩埚盖，所述坩埚盖上具有籽晶；过滤结构，所述过滤结构位于所述坩埚内，且所述过滤结构可拆卸安装于所述坩埚的内壁表面；导流结构，所述导流结构可拆卸安装于所述过滤结构靠近所述坩埚盖一侧的表面，...
    2026-04-16
  • 一种钙镁锆掺杂钆镓石榴石的生长方法
    一种钙镁锆掺杂钆镓石榴石的生长方法_安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司_202511843006.X
    本发明公开了一种钙镁锆掺杂钆镓石榴石的生长方法，涉及晶体材料制备领域，包括如下步骤：(1)原料制备与预处理：选取纯度≥99.99%的Gd22O33、Ga22O33、CaCO33、MgO、ZrO22粉末，按化学计量比分为核心层、过渡层、表层三...
    2026-04-16
  • 单斜晶型(310)晶面氧化镓单晶薄膜及其制备方法
    单斜晶型(310)晶面氧化镓单晶薄膜及其制备方法_山东大学_202511615978.3
    本发明涉及单斜晶型(310)晶面氧化镓单晶薄膜及其制备方法，Ga22O33单晶薄膜是单斜结构的外延单晶薄膜，生长晶面是Ga22O33的(310)。所选衬底为热导率高、成本低的三方结构蓝宝石、六方氮化镓和六方碳化硅等衬底。薄膜与衬底间的面外和...
    2026-04-16
  • 导模法生长氧化镓单晶的模具结构与方法
    导模法生长氧化镓单晶的模具结构与方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511431089.1
    本发明公开一种导模法生长氧化镓单晶的模具结构与方法，旨在解决因坩埚形变导致的模具位置变化及热场波动问题。模具结构包括对称设置的两块隔板，其间形成宽度为0.1～0.5mm的狭缝，用于氧化镓熔体毛细上升；隔板顶部设有台阶结构用于引晶与支撑，底部...
    2026-04-16
  • 一种锗外延方法、锗探测器的制备方法及锗探测器
    一种锗外延方法、锗探测器的制备方法及锗探测器_上海新微技术研发中心有限公司_202511554300.9
    本发明公开了一种锗外延方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一个衬底，所述衬底中形成有沟槽结构；S2、在第一目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第一厚度的锗外延层；S3、在第二目标温度下进行锗外延工艺，在所述沟槽结构中形成第二...
    2026-04-16
  • 单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片
    单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片_青海晶科能源有限公司_202511952926.5
    本申请涉及一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法及硅片，该单晶炉包括水冷屏和多个冷媒介质管道，水冷屏包括内筒体和外筒体，外筒体设于内筒体的外周；多个冷媒介质管道设于内筒体和外筒体之间，冷媒介质管道环绕内筒体的周壁设置，且呈螺旋状延伸，其中，多个冷媒...
    2026-04-16
  • 一种具有温度补偿功能的晶体生长炉
    一种具有温度补偿功能的晶体生长炉_常州瞻驰光电科技股份有限公司_202511889307.6
    本申请涉及一种具有温度补偿功能的晶体生长炉，涉及晶体生长炉领域。其包括支撑件、直拉单晶炉、分区温度补偿件和底部温度补偿件，支撑件包括支承架，支承架的内部竖直设置有直拉单晶炉，且直拉单晶炉用于晶体成长，支承架的内部位于直拉单晶炉的下侧设置有底...
    2026-04-16
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