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最新专利技术
  • 一种基于超高速激光熔覆的阻燃高熵合金涂层及其制备方法
    一种基于超高速激光熔覆的阻燃高熵合金涂层及其制备方法_中交第二航务工程局有限公司_202511421065.8
    本发明公开了一种基于超高速激光熔覆的阻燃高熵合金涂层，其设置在钛合金基材表面，所述阻燃高熵合金涂层由Al、Cr、Nb、Ti、V、Hf、Ho、La、Gd按照摩尔比为4.66：23.33：23.33：23.33：23.33：1.0：0.3：0....
    2026-03-12
  • 等离子辅助冷喷涂装置及进行等离子热辅助的冷喷涂修复2xxx铝合金构件的方法
    等离子辅助冷喷涂装置及进行等离子热辅助的冷喷涂修复2xxx铝合金构件的方法_哈尔滨工业大学_202511694648.8
    一种等离子辅助冷喷涂装置及进行等离子热辅助的冷喷涂修复2xxx铝合金构件的方法，涉及一种等离子辅助冷喷涂装置和冷喷涂修复铝合金构件的方法。方法：对待修复区域预加工和表面预处理，采用等离子喷枪对铝合金粉末和待喷涂区域进行同步加热，通过冷喷涂装...
    2026-03-12
  • 航空大尺寸耐腐蚀合金钝化工艺
    航空大尺寸耐腐蚀合金钝化工艺_上海一郎合金材料有限公司_202610048993.2
    本发明提供航空大尺寸耐腐蚀合金钝化工艺，本发明涉及金属材料表面处理技术领域，包括如下步骤：S1、将支撑杆组穿过待钝化工件侧壁的悬吊孔；S2、先通过竖直定位装置对待钝化工件支撑，控制支撑杆组与悬吊孔脱离接触，然后控制喷孔喷出钝化液体实现对悬吊...
    2026-03-12
  • 一种基于CO2一步原位氧-碳化制备耐氢蚀耐氯离子磨蚀钝化膜层的方法和应用
    一种基于CO2一步原位氧-碳化制备耐氢蚀耐氯离子磨蚀钝化膜层的方法和应用_广西海洋科学院(广西红树林研究中心)_202610052054.5
    本发明公开一种基于CO22一步原位氧‑碳化制备耐氢蚀耐氯离子磨蚀钝化膜层的方法和应用，属于金属腐蚀与防护技术领域。该方法包括：将Ti、Cr、Zr、Al或其合金基材经去污、研磨、抛光和干燥后，置于反应腔中，以CO22气体为氧‑碳化主组分，并可...
    2026-03-12
  • 一种不含氟镍磷的三价铬黑锌钝化液及其制备工艺
    一种不含氟镍磷的三价铬黑锌钝化液及其制备工艺_广东浩伦环保科技有限公司_202511522306.8
    本发明涉及钝化液领域，具体公开了一种不含氟镍磷的三价铬黑锌钝化液及其制备工艺，所述钝化液包括以下组分：纯水400‑600g、硝酸铬10‑15g、马来酸1‑3g、酒石酸2‑4g、柠檬酸3‑5g、硼砂1.5‑3g、磺基水杨酸3‑5g、硫酸亚铁5...
    2026-03-12
  • 一种环保型无磷高附着力的硅烷陶化成膜剂及其应用
    一种环保型无磷高附着力的硅烷陶化成膜剂及其应用_佛山市海化表面处理科技有限公司_202511514401.3
    本发明属于金属表面处理材料的技术领域，具体涉及一种环保型无磷高附着力的硅烷陶化成膜剂及其应用。所采用的氟锆酸钾在金属表面发生电化学反应，形成骨架颗粒，提供基础的物理屏障和耐蚀性，钼酸盐促进金属氧化成膜，硅烷偶联剂则提供三维网状结构，与氟锆酸...
    2026-03-12
  • 化学镀设备
    化学镀设备_合鸿新材科技有限公司_202310594388.1
    本发明涉及一种化学镀设备，其解决了现有技术针对管材的化学镀工艺形成的镀层各位置厚度不均匀，如何提高镀层厚度均匀性，如何改善镀液的稳定性的技术问题，其包括化学镀工作槽、旋转装置、右轴承座、左轴承座、丝杠、减速电机、导向轴、隔断板、可换插板和定...
    2026-03-12
  • 一种掺钨金刚石薄膜的制备方法
    一种掺钨金刚石薄膜的制备方法_西南科技大学_202511669378.5
    本发明提出了一种掺钨金刚石薄膜的制备方法，涉及金刚石领域。包括如下步骤：S1：选取异质衬底，清洗，然后对其进行预形核处理，使上述异质衬底表面形成金刚石生长的形核位点，备用；S2：将钨前驱体材料填充、压实于钼台凹槽内，将上述异质衬底放置于钼台...
    2026-03-12
  • 电极结构及镀膜设备
    电极结构及镀膜设备_常州捷佳创精密机械有限公司_202511712610.9
    本发明公开了一种电极结构及镀膜设备，包括可旋转的基座、电极座和电极杆；沿基座周向并间隔设置的多个电极座，电极座内设有容纳槽，容纳槽内设有一对电极连接件，电极连接件的起始侧与一组对应的电极杆电连接，终止侧具有突出于电极座顶面的电极接触部，一对...
    2026-03-12
  • 工艺腔室保护层的制备方法及半导体工艺设备
    工艺腔室保护层的制备方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511767295.X
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种工艺腔室保护层的制备方法及半导体工艺设备。所提供的工艺腔室保护层的制备方法，包括：共沉积步，将前驱体和反应气体供应到工艺腔室内，通过等离子体增强化学气相沉积技术，在工艺腔室内壁和/或工艺腔室内部件表...
    2026-03-12
  • 抽气面板组件，半导体器件的工艺设备和工艺方法
    抽气面板组件，半导体器件的工艺设备和工艺方法_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511688679.2
    本发明公开了一种抽气面板组件，半导体器件的工艺设备和工艺方法。抽气面板组件包括：抽气面板，位于反应腔内的抽气口上方，其上设有抽气孔；以及驱动电机，连接所述抽气面板，用于调整所述抽气面板的姿态，使其在沉积工艺抽气时减小抽气流阻，而在清洁工艺抽...
    2026-03-12
  • 一种导流环和化学气相沉积装置
    一种导流环和化学气相沉积装置_南昌中微半导体设备有限公司_202610046542.5
    本发明公开了一种导流环和化学气相沉积装置，装置包括反应腔、供气组件和导流环。反应腔包括顶盖，顶盖中央设有顶盖开口；供气组件包括气体传输部和喷嘴组件；气体传输部和顶盖开口之间设有清洁气体进气通道；导流环在顶盖下方环绕供气组件设置，在导流环的内...
    2026-03-12
  • 一种用于ALD工艺的固态前驱体输送系统
    一种用于ALD工艺的固态前驱体输送系统_江苏先科半导体新材料有限公司_202512001268.8
    本发明公开了一种用于ALD工艺的固态前驱体输送系统，涉及半导体技术领域。本发明包括固态前驱体源瓶、蒸气输送管路、气动阀门和反应室，还包括加热组件，加热组件包括进气口加热器、源瓶加热器、出气口的出气口加热器、蒸气输送管路加热器、气动阀门的阀门...
    2026-03-12
  • 一种调平装置、方法以及半导体设备
    一种调平装置、方法以及半导体设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511841906.0
    本申请涉及一种调平装置、方法以及半导体设备，调平装置包括永磁阵列、电磁绕组、转接板、调整板及传感器；电磁绕组设于转接板，调整板与转接板平行，永磁阵列安装于调整板且与电磁绕组对应；传感器检测两板之间距离及调整板倾斜状态，通过调整电磁绕组电流控...
    2026-03-12
  • 一种提升半导体薄膜均匀性的CVD用喷射气化装置及方法
    一种提升半导体薄膜均匀性的CVD用喷射气化装置及方法_无锡芯汉电子科技有限公司_202511718135.6
    本发明涉及半导体覆膜技术领域，且公开了一种提升半导体薄膜均匀性的CVD用喷射气化装置及方法，包括工作台；本发明在使用时，在抬升闭合机构的作用下，可以使得反应腔主体向上运动，从而使得反应腔主体和反应腔室盖完成密封，通过支撑架使得反应腔室盖处于...
    2026-03-12
  • 激光辅助化学气相沉积装置及加工方法
    激光辅助化学气相沉积装置及加工方法_合肥工业大学_202511689811.1
    激光辅助化学气相沉积装置及加工方法，属于集成电路以及核聚变部件加工领域，能够解决现有化学气相沉积系统所存在的可调控性差、应用受限等问题。该装置主要包括激光器组件、沉积腔室、负压组件以及进气组件，利用激光生成线型光斑作用于基板上，对试样进行局...
    2026-03-12
  • 一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备
    一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511643011.6
    本发明提供了一种背面沉积的分气盘及背面薄膜的沉积设备。该背面沉积的分气盘包括：匀气腔，其中，所述匀气腔被划分为多个匀气分区组，每一所述匀气分区组包括至少一个匀气分区；多根分气管，其中，每根所述分气管对应一个所述匀气分区组，并分别包括至少一个...
    2026-03-12
  • 基于单循环SiO2界面改性的Al2O3/HfO2纳米叠层薄膜缺陷抑制方法
    基于单循环SiO2界面改性的Al2O3/HfO2纳米叠层薄膜缺陷抑制方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511462359.5
    一种基于单循环SiO22界面改性的Al22O33/HfO22纳米叠层薄膜缺陷抑制方法，该方法为：采用原子层沉积技术，在结构为(Al22O33/HfO22)mm的Al22O33/HfO22纳米叠层薄膜的每个HfO22层表面沉积单循环SiO22...
    2026-03-12
  • 一种高电阻碳化硅涂层的制备方法及应用
    一种高电阻碳化硅涂层的制备方法及应用_湖南德智新材料股份有限公司_202511568047.2
    本发明涉及高电阻材料技术领域，具体涉及一种高电阻碳化硅涂层的制备方法及应用，包括对基材进行预处理；采用CVD法在基材的表面沉积待处理的碳化硅涂层；采用喷砂工艺处理待处理的碳化硅涂层的表面以去除待处理的碳化硅涂层表面由金属离子形成的导电层；酸...
    2026-03-12
  • 一种可动态调节气流分布的气相沉积炉
    一种可动态调节气流分布的气相沉积炉_浙江精工领航科技有限公司_202511536925.2
    本发明公开了一种可动态调节气流分布的气相沉积炉，包括内炉体、外炉体、载料平台、升降组件、调姿组件以及布气模组。内、外炉体之间形成装配腔。载料平台用于承载工件并升降实现上下料。升降组件安装于内炉体顶部，其下端集成有上层布气模组；载料平台上集成...
    2026-03-12
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