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  • 本申请实施例涉及直拉硅单晶技术领域,提供一种硅片以及硅片的制备方法,该硅片对角线上的电阻率偏差小于或等于10%,硅片包括砷元素,砷元素的浓度范围为1.38E+15at/cm3~1.56E+16at/cm3,硅片的氧含量小于或等于2.5E+1...
  • 本发明公开了一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法,该方法包括:在区熔高频加热线圈下方设置多匝线圈,多匝线圈上沿距离高频加热线圈的距离5‑15mm范围内可调,在单晶生长过程中,高频加热线通入高频交变电流,多匝线圈中通入冷却水,控制高频感应加...
  • 本发明提供一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法,包括以下步骤:S1、对置于所述气相沉积设备内的基底通入硅源气体,执行第一CVD工艺以在所述基底上形成多晶硅底晶层。本发明提供的一种改善多晶硅薄膜表面粗糙度的方法,通过第一CVD工艺形成多晶硅底晶...
  • 本发明提供了一种设有旋转组件的半导体生长设备,包括反应腔室、设于反应腔室内的基座、用于驱动基座旋转的旋转组件、气体注入装置、轴杆、压头结构和弹性组件;基座的顶面设有对接部;气体注入装置设于反应腔室并与基座的顶面相对,气体注入装置设有若干供气...
  • 本发明公开了一种用于生产金刚石半导体的MPCVD设备的腔体结构,包括从上至下依次连接设置的微波腔体组件、主腔体组件、下腔体组件和波纹管组件,微波腔体组件包括第一水冷组件和风冷组件,主腔体组件、下腔体组件和波纹管组件内升降设置有载物台组件,载...
  • 本发明提供了一种垂直液相外延生长石墨工装、生长装置及方法,该石墨工装包括样品架和传动杆,所述样品架包括样品架基座、用于固定衬底的衬底架以及用于带动衬底架在水平生长位和倾斜沥液位之间转动的调节组件,所述衬底架通过所述调节组件连接于所述样品架基...
  • 一种改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法,包括:在重掺拉制单晶硅棒时,当晶棒进入等径阶段时,依据第一预定等径长度对Gap值进行调整;所述第一预定等径长度包括第一一预定长度、第一二预定长度及第一三预定长度;在第一一预定长度内,保持第一...
  • 本发明提供了一种动态调节晶体生长过程中轴向温度梯度的装置及方法,属于碳化硅晶体生产技术领域。该装置包括坩埚主体、设有开口的坩埚盖、籽晶杆和温度调节装置;籽晶杆的一端连接承载籽晶的籽晶托,生长过程中籽晶托置于坩埚主体内,另一端套设有温度调节装...
  • 本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种单晶硅生长补锑方法、装置及系统,通过采集单晶硅棒埚的熔体电阻率、温度梯度值及锑浓度测量值;将熔体电阻率与温度梯度值输入预训练的LSTM时序预测模型,得到目标时段之后的锑浓度预测值;将锑浓度测量值与锑浓...
  • 本申请实施例涉及单晶生产技术领域,提供一种单晶炉、拉晶方法及硅片,单晶炉包括加热器结构,加热器结构包括主加热器和两个加热件,主加热器环绕坩埚的外周缘设置,以对坩埚进行加热;两个加热件分别与主加热器连接并设置在主加热器的下方,加热件包括第一避...
  • 本公开涉及冷却装置及单晶炉。在一方面中,提供了一种冷却装置,用于单晶炉,冷却装置包括盖板,设置在单晶炉内,并且开设有多个通孔;升降机构,与盖板连接,以驱动盖板在单晶炉的竖向方向上移动;以及阀门,设置于盖板,阀门能够运动,以选择性地开启及关闭...
  • 本发明公开了激光浮区装置及单晶生长方法,属于单晶制备技术领域。装置包括激光浮区炉、夹持组件和核心的双热源组件,激光浮区炉由石英筒和外部保温组件构成炉体,其内部形成炉腔;夹持组件包括分别夹持多晶料棒和籽晶的第一、第二夹杆;双热源组件包括用于局...
  • 本发明公开了一种形貌可控的BaTi2O5纳米线及其熔盐制备方法。采用BaCO3和TiO2为原料,KCl‑NaCl为熔盐,严格控制原料比例、原料与熔盐比例以及合成温度及时间,可以制备出形貌可控的BaTi2O5纳米线。制备方法简单高效。本发明制...
  • 本发明提供了一种具有(hk1)主导取向的锑基硫属化合物薄膜及其制备方法和应用,属于半导体光伏材料技术领域。本发明通过在简单的溶液法(水浴或水热)沉积条件下原位掺杂PbI2以调控锑基硫属化合物薄膜的晶体取向,研究结果表明,本发明采用溶液法引入...
  • 本发明公开了一种强化废旧镀板镀层金属快速脱除的方法,属于固废资源化利用技术领域。该方法是将废旧镀板置于超声场、电场和温度场的复合外场环境中,进行酸洗或碱洗,得到镀层金属溶液和基板。该方法利用超声场、电场和温场的复合外场来强化废旧镀板的镀层金...
  • 一种去除带钢镀锡层表面氧化膜的方法和装置,该方法包括如下步骤:在带钢软熔处理后,设置预处理工作槽;在所述预处理工作槽内设置电极板,预处理工作槽上方设置导电辊,并充满Na2CO3工作液;带钢位于对称设置的两组所述电极板之间,所述导电辊与带钢接...
  • 本发明涉及电镀技术领域,公开了一种用于电镀黑铬的阳极及其在不锈钢零件的电镀黑铬方法中的应用,阳极包括铅棒式阳极本体与宽幅包胶挂钩,阳极本体单边设置5~7根、直径8~12厘米、总表面积20~28平方分米,宽幅挂钩宽度8~12厘米且与阳极本体接...
  • 本发明涉及一种用于PCB电镀的飞巴结构及龙门电镀线,属于PCB电镀设备领域,包括支撑架以及架设于所述支撑架上的飞巴,飞巴上等间距地开设有若干安装槽,安装槽内安装有电镀夹;电镀夹包括挡杆和压杆,挡杆竖直设置并固定设置于安装槽的前侧壁,且挡杆的...
  • 本发明公开了一种间歇交替式导电机构,包括:传输装置,用于夹持并水平输送PCB板;驱动装置,用于驱动所述传输装置运动;阴极装置,设于所述传输装置的一侧或两侧,用于向所述PCB板提供阴极电流;其中,所述阴极装置包括至少两组导电组件和用于驱动所述...
  • 本发明公开了一种汽车合金管防腐处理的机械控制型电镀装置,涉及管材电镀领域,包括电镀箱、搭接板、架体、保护壳和防护壳,电镀箱的内部两侧转动安装有水平的搅动杆,电镀箱的内底壁转动安装有多个竖向的导流杆,搭接板放置在电镀箱的开口处,搭接板上表面固...
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