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最新专利技术
  • 一种非易失性存储器读打断测试系统
    一种非易失性存储器读打断测试系统_芯合电子(上海)有限公司_202511901761.9
    本申请提供了一种非易失性存储器读打断测试系统，通过判断所述读打断请求的读出数据与所述测试期望值是否相同，如果相同，则所述非易失性存储器支持读打断操作，这样表明了非易失性存储器具备动态中断响应能力，可在读取过程中无缝切换至高优先级任务，显著提...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置、半导体存储装置的控制方法以及计算机可读取的记录介质
    半导体存储装置、半导体存储装置的控制方法以及计算机可读取的记录介质_株式会社东芝_202510099702.8
    本发明的实施方式提供半导体存储装置、半导体存储装置的控制方法以及计算机可读取的记录介质，即使在通过功能动作进行熔丝元件的写入前/写入后的可否判定的情况下，也能够在所谓灰色区域中可靠地进行判定。实施方式所涉及的半导体存储装置具备：数据锁存电路...
    2026-04-12
  • 存储器管理方法与存储装置
    存储器管理方法与存储装置_深圳星火半导体科技有限公司_202511911254.3
    本申请属于存储技术领域，其提供一种存储器管理方法与存储装置，其响应于对目标页的数据读取请求，获取目标页的质量评分；将质量评分与第一阈值进行比较；若质量评分不大于第一阈值，则启动使用一候选读取电压对目标页执行读取感应操作，在不将目标页的完整数...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510197334.0
    提供具有良好的数据保持特性、可靠性的半导体存储装置。半导体存储装置具备包含第一及第二子存储区块的存储区块、位线及源极线、控制电路。第一及第二子存储区块各自具备第一及第二存储单元、第一及第二字线。控制电路在存储区块的擦除动作中执行判定第二存储...
    2026-04-12
  • 管理存储器装置中的编程时间
    管理存储器装置中的编程时间_长江存储科技有限责任公司_202411320857.1
    提供了用于管理存储器装置的方法、设备和系统。在一个方面中，一种方法包括：在编程操作的第一循环期间，将第一编程电压施加到第一字线；以及在第一循环的第一阶段期间，将第一通过电压施加到第二字线，并且在第一循环的第二阶段期间，将第二通过电压施加到第...
    2026-04-12
  • 管理存储装置中的编程时间
    管理存储装置中的编程时间_长江存储科技有限责任公司_202411320794.X
    提供了用于管理存储装置的方法、装置和系统。在一个方面中，一种方法包括：在编程操作的第一循环期间，将第一编程电压施加到第一字线，在第一阶段期间，将第一通过电压施加到第二字线，并且在第二阶段期间，将第二通过电压施加到第二字线；在第二循环期间，将...
    2026-04-12
  • 低漏电高速电压平转电路
    低漏电高速电压平转电路_瑞昱半导体股份有限公司_202411303512.5
    本申请公开一种低漏电高速电压平转电路。本申请的低漏电高速电压平转电路包含电压平转主电路。本申请的低漏电高速电压平转电路还包含正向输出电路、反向输出电路或两者。正向输出电路包含正向电压平转电路以及正向端缓冲电路。电压平转主电路连接正向电压平转...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置、存储器系统、半导体存储装置的控制方法
    半导体存储装置、存储器系统、半导体存储装置的控制方法_铠侠股份有限公司_202510201038.3
    本发明提供一种半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法，所述半导体存储装置能够提升块效率。本发明的半导体存储装置具备第1存储器面及第2存储器面、信号线、判定电路及控制部。信号线对与第1存储器面的第1块的第1存储单元晶体管连接的第...
    2026-04-12
  • 一种存储器装置及其操作方法、存储器系统
    一种存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411303767.1
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括：存储单元阵列；多条字线；外围电路，通过所述多条字线耦合至所述存储单元阵列，所述外围电路被配置为：在编程操作的第一阶段，对所述多条字线中的第一字线和第二字线施加第一...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510190345.6
    本发明提供一种能够抑制漏电流的半导体装置。本发明的半导体装置包含：第1电源线，被供给第1电压；第2电源线，被供给比第1电压低的第2电压；第1逻辑电路，包含第1电极，且与第1电源线电连接；第2逻辑电路，包含与第1电极相隔而设的第2电极，且与第...
    2026-04-12
  • 基于浮栅晶体管的存内计算电路、计算阵列以及读出方法
    基于浮栅晶体管的存内计算电路、计算阵列以及读出方法_中山大学_202511743398.2
    本发明公开了一种基于浮栅晶体管的存内计算电路、计算阵列以及读出方法。存内计算电路，包括选择管阵列、浮栅晶体管阵列和比例电容阵列；其中所述选择管阵列包括多个独立的选择管；所述浮栅晶体管阵列包括多个独立的浮栅晶体管；所述比例电容阵列包括多个独立...
    2026-04-12
  • 存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备
    存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511656430.3
    本公开提供存储器控制器及其操作方法、存储系统及电子设备。所述存储器控制器被配置为：根据第一存储块的读取次数，判断是否对第一存储块进行读干扰处理；所述读干扰处理为采用单状态读取电压读取第一存储块的第一物理页，根据第一物理页空状态存储单元数量，...
    2026-04-12
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510205161.2
    本发明提供能够抑制消耗电力的半导体存储装置。半导体存储装置(2)具备输入输出用焊盘组(32)、包含多个存储单元的存储单元阵列(21)、设置于输入输出用焊盘组(32)和存储单元阵列(21)之间的输入输出电路(22)。输入输出电路(22)具备：...
    2026-04-12
  • 相变存储器及其操作方法
    相变存储器及其操作方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511722493.4
    本申请实施例提供一种相变存储器及其操作方法。该相变存储器包括：存储单元阵列和与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括第一区域和第二区域；第二区域位于第一区域的远离第一区域中部的至少一侧；外围电路被配置为：响应于第一区域相应的误码率超过...
    2026-04-12
  • 时钟生成电路及静态随机存取存储器
    时钟生成电路及静态随机存取存储器_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511887866.3
    本申请提供一种时钟生成电路及静态随机存取存储器，该时钟生成电路架构简单且易控制，其包括第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第一逻辑控制电路、第一锁存模块、延时模块以及反馈模块，其能利用反馈模块将内部时钟信号反馈至第一上拉晶体管，...
    2026-04-12
  • 半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统
    半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统_三星电子株式会社_202511345459.X
    公开了半导体装置、半导体装置的编程方法和数据存储系统。所述半导体装置包括：串阵列，包括并联连接到位线的多个单元串；多个地选择晶体管，包括在所述多个单元串的每个中，在第一方向上堆叠并且彼此串联连接；以及多条地选择线，在第二方向上延伸并且被配置...
    2026-04-12
  • 一种适用于顺序读取场景的功耗优化SRAM电路及其控制方法
    一种适用于顺序读取场景的功耗优化SRAM电路及其控制方法_南京起跑线穿戴电子科技有限公司_202511729513.0
    本发明公开了一种适用于顺序读取场景的功耗优化SRAM电路及其控制方法，该SRAM电路包括地址处理模块、时序模块、读操作通路选择电路和支持多种读模式的SRAM模块；地址处理模块输出的结果可以切换读取模式，时序模块生成SRAM内部时序控制信号，...
    2026-04-12
  • 存储器系统及存储器系统的控制方法
    存储器系统及存储器系统的控制方法_铠侠股份有限公司_202510273679.X
    本发明涉及一种存储器系统及存储器系统的控制方法。实施方式的存储器系统提高数据读出的可靠性。实施方式的存储器系统具备存储器装置及存储器控制器，该存储器装置包含与多个字线中的每一个连接的多个存储单元，存储器控制器获取和与选择字线连接的多个选择单...
    2026-04-12
  • 一种数据读取电路、方法、存储器和电子设备
    一种数据读取电路、方法、存储器和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411323646.3
    本公开提供一种数据读取电路、方法、存储器和电子设备，该电路包括：比较电路和控制电路；比较电路用于将目标电流与N个第一电流分别进行比较，生成N个第一比较信号；N个第一电流划分出N+1个电流区间；N个第一比较信号指示N+1个电流区间中的目标电流...
    2026-04-12
  • 字线驱动电路及其控制方法、存储器、电子设备
    字线驱动电路及其控制方法、存储器、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411308730.8
    本申请实施例提供了一种字线驱动电路及其控制方法、存储器、电子设备，涉及半导体电路设计技术领域。该字线驱动电路包括：至少一个子字线电压调节模块和至少一个共用电压调节模块；每个子字线电压调节模块与一个字线对应设置，每个子字线电压调节模块用于与一...
    2026-04-12
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