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  • 本发明公开了一种智能电网用光伏并网箱,包括并网箱及其内部的供气机构,所述冷却机构包括与供气机构相连接的膨胀部,所述膨胀部的外表面设有换热部,所述换热空间位于相邻的两个膨胀部之间;当所述供气机构向膨胀部内供气时,所述膨胀部扩张并向外推动膨胀部...
  • 本发明涉及电力设备技术领域,具体而言,涉及一种基于新能源的储能系统开关柜,包括:柜体,所述柜体内安装有若干电子器件,气流生成机构,所述气流生成机构设置在所述柜体上,所述气流生成机构适于在所述柜体内持续形成大范围流通气流,强冷机构,所述强冷机...
  • 本发明涉及船舶电气工程技术领域,尤其涉及一种船舶配电板保护装置,包括基础防护组件,所述基础防护组件的正面设置开关及防误触组件,所述基础防护组件的内部还设置有线路防脱组件;所述基础防护组件包含箱体、用于推拉位移的杆座、导杆、滑套、以及用于悬浮...
  • 本发明涉及电气设备材技术领域,且公开了一种电气设备隔离装置及电气设备,隔离装置包括隔音箱,其开口处设密封门,通过第一滑槽与插销连接;隔音箱内壁中部有第二滑槽及承托平台,平台两侧有插接轴;插接轴下方铰接摆臂,摆臂底部连触发杆;隔音箱两侧有铰接...
  • 本发明公开了一种便于现场维护的可拆卸配电柜门结构,涉及配电柜结构设计领域。针对现有柜门需钥匙把手解锁并人工拉拽、开启到位难保持且拆装维护耗时的不足,提出一种便于现场维护的可拆卸配电柜门结构:门体通过门侧转动座与主体转动连接并可拆卸紧固,主体...
  • 本发明涉及一种方便维修的电气柜,属于智能电网电气设备技术领域,该一种方便维修的电气柜,包括外壳组件、箱门、清洁组件、防尘传动组件、从动同步弹出组件及锁紧组件。外壳组件为承载基础,防尘传动组件的防尘罩滑动套设于外壳组件的光杆上,其通过连接块连...
  • 一种带有防护结构的低压成套配电柜及其使用方法,属于配电柜技术领域;本发明包括固定连接在连接杆内壁处的转动轴,转动轴的内壁处固定连接有螺栓,螺栓的外壁处固定连接有两个转动块;当一侧的连接块与连接轴在大风的影响下向着另一侧倾斜,此时,在惯性作用...
  • 本发明公开了一种矿用便于理线的低压配电箱,涉及低压配电箱技术领域,包括理线组件,理线组件包括矿用低压配电箱,矿用低压配电箱一侧设置有合页,通过合页安装有箱门, 矿用低压配电箱一侧内壁呈纵向水平排列设置有若干组支撑座。本发明通过设置理线组件能...
  • 本发明属于电器工程技术领域,具体公开了一种水电厂开关站设备的防雷装置,包括底盘、支撑柱、旋转驱动件、放电套、电极、电极组件和保护组件,支撑柱设置于底盘顶部,且支撑柱具有沿竖向延伸的通孔;旋转驱动件设于通孔内;放电套设于底盘顶部并位于支撑柱的...
  • 本发明涉及避雷安全装备领域,具体公开了一种便于快速搭建的智慧变电站避雷装置,包括避雷柱,避雷柱为多边棱台形,避雷柱由多根分柱体相互连接而成;主体引雷针固定安装在最上端的分柱体的上端;地线与最下端的分柱体固定连接,辅助引雷装置安装在最上端的分...
  • 本发明涉及直流输电技术领域,尤其涉及一种带串联间隙避雷器的优化方法以及相关装置,其中,优化方法包括:获取并根据待优化的带串联间隙避雷器的稳态绝缘电阻、串联间隙绝缘电阻和第一定值因子,确定目标最大阻值;获取并根据所述带串联间隙避雷器的动作等效...
  • 本公开提供了一种异质集成电吸收调制激光器结构及其制备方法,涉及新型半导体器件技术领域。该结构包括:电吸收调制器、半导体激光器以及抗反射层(114);其中,该电吸收调制器包括衬底(101)、依次叠设于衬底(101)上的第一N型半导体层(102...
  • 本发明提供一种自旋三重态谷极化调控器件及其制备方法。该器件包括衬底、衬底上的二维半导体层,及层上对应范德华异质结区域的二氧化硅微米球;其中,二维半导体层由至少两种单层半导体材料层叠成范德华异质结,二氧化硅微米球在激发光场下形成谐振腔,能增强...
  • 本申请涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种无铝外延半导体激光器倾斜侧壁脊波导的腐蚀制备方法,该方法通过硬掩膜加工、双腐蚀液配制、分阶段湿法腐蚀及掩膜去除等步骤,实现深度精准、侧壁光滑且具有特定倾斜角度的脊波导结构制备,其核心创新在于采用两...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,垂直腔面发射激光器包括:依次堆叠的衬底层、N型DBR结构、第一间隔层、有源层、第二间隔层、氧化限制层、第三间隔层、P型DBR结构以及二氧化钒吸收层;其中,所述氧化限制层包...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,垂直腔面发射激光器包括:依次堆叠的负极、衬底层、N型DBR结构、光耦合层、水平腔波导层、水平腔限制层、有源层、第一间隔层、氧化限制层、第二间隔层、P型DBR结构以及正极;...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,垂直腔面发射激光器包括:依次堆叠的第一电极、衬底层、N型DBR结构、第一间隔层、有源层、第二间隔层、氧化限制层以及第三间隔层;介质膜DBR结构以及第二电极,介质膜DBR结...
  • 本申请涉及芯片制备技术领域,并提供一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法。制备方法包括:在衬底上生长成核层;在成核层背离衬底的一侧生长超晶格结构;在超晶格结构背离成核层的一侧依次生长n型包覆层、n型波导层、量子阱和p型电子阻挡层;在p型电子...
  • 本发明公开了一种荧光波长转换器及其制造方法,其特征在于,所述荧光波长转换器依次包括:承载荧光波长转换器的衬底、反射膜、将单色入射光转换为白光的荧光膜、增透膜。所述荧光波长转换器的制造方法包括以下工序:准备衬底、在衬底的一面镀反射膜、在反射膜...
  • 本申请涉及半导体激光器的技术领域,尤其是涉及一种欧姆接触结构及用于其的半导体激光器及制造方法,包括欧姆接触层,所述欧姆接触层包括若干掺杂浓度不同的欧姆层,且欧姆层至少包括跃势弱层和穿势高层,所述跃势弱层的掺杂浓度小于等于1E19cm‑3,穿...
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