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最新专利技术
  • 用于在衬底上形成外延结构的方法和衬底处理设备
    用于在衬底上形成外延结构的方法和衬底处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202511367679.2
    本公开涉及用于在衬底上形成外延结构的方法、衬底处理设备、计算机程序以及非暂时性计算机可读介质。该方法包括在处理室中提供衬底，并且通过在存在活性物质的情况下将处理室中的衬底暴露于至少一种前体来在衬底上形成外延层。
    2026-04-16
  • 一种衬底表面处理方法及多晶硅沉积方法
    一种衬底表面处理方法及多晶硅沉积方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511856301.9
    本发明提供一种硅衬底表面处理及多晶硅沉积方法，所述硅衬底表面处理方法包括以下步骤：依次通过热氧化工艺、湿法腐蚀、表面脱气及离子体对衬底进行表面处理。本发明提出的硅衬底表面处理方法，各个工艺之间相互配合，前置氧化‑腐蚀工艺为后续离子处理工艺打...
    2026-04-16
  • 无源器件和集成无源器件
    无源器件和集成无源器件_京东方科技集团股份有限公司_202411357870.4
    本公开提供一种无源器件和集成无源器件。无源器件包括衬底基板和位于衬底基板一侧的电感电感包括第一导电层和第二导电层，第一导电层设置于衬底基板一侧；第二导电层设置于第一导电层远离衬底基板的一侧，第一导电层和第二导电层的厚度不同；第一绝缘层，设置...
    2026-04-16
  • 一种基于晶界工程的多晶金刚石忆阻器及其制备方法
    一种基于晶界工程的多晶金刚石忆阻器及其制备方法_郑州大学_202512048137.5
    本发明公开了一种基于晶界工程的多晶金刚石忆阻器及其制备方法，涉及半导体电子器件技术领域；为了解决现有氧化物或硫化物忆阻器难以适应高温、高频及高功率等极端工况，以及现有金刚石忆阻器开关比低、导电通道随机性大导致稳定性差的问题，提出以下技术方案...
    2026-04-16
  • 铁电调控的垂直结构二极管及阵列
    铁电调控的垂直结构二极管及阵列_华中科技大学_202511969499.1
    本申请公开了一种铁电调控的垂直结构二极管及阵列，无需设置栅极结构，利用双极性二维半导体的偏压使铁电极化翻转，从而在另一侧的二维半导体内部诱导可切换的载流子调控，实现整流方向的可重构整流翻转特性及光电响应的动态调节，通过垂直堆叠结构可有效减小...
    2026-04-16
  • 全无机电解质门控突触阵列及其全光刻制备方法
    全无机电解质门控突触阵列及其全光刻制备方法_北京科技大学_202511953698.3
    本发明公开了一种全无机电解质门控突触阵列及其全光刻制备方法，涉及神经形态计算及半导体器件的技术领域，本发明旨在解决有机电解质与光刻工艺不兼容、以及现有技术难以实现全无机材料体系晶圆级高密度集成的问题，本发明包括有晶圆级衬底，所述衬底上设置有...
    2026-04-16
  • 一种基于聚电解质构象迟滞效应的纳米流体忆阻器及其制备方法
    一种基于聚电解质构象迟滞效应的纳米流体忆阻器及其制备方法_山东大学_202511734950.1
    本发明涉及纳米流体忆阻器，公开了一种基于聚电解质构象迟滞效应的纳米流体忆阻器及其制备方法，忆阻器包括玻璃基底，玻璃基底中央沉积有多层介质纳米薄膜层，多层介质纳米薄膜层上依次覆盖有流道层和密封层；流道层包括两个流道，两个流道通过多层介质纳米薄...
    2026-04-16
  • 一种基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件及其制备方法
    一种基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件及其制备方法_南方科技大学_202511267376.3
    本申请仿生突触器件技术领域，具体公开一种基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件及其制备方法，基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件包括：纳米通道层；门控电极层，所述门控电极层与所述纳米通道层连接，用于施加栅极电压脉冲，模拟突触前膜；包覆在所...
    2026-04-16
  • 动态可编程的纳米流体忆阻器件及其制备方法和测试方法
    动态可编程的纳米流体忆阻器件及其制备方法和测试方法_厦门大学_202411358386.3
    本发明公开了一种动态可编程的纳米流体忆阻器件，包括管状通道和柔性的内置块，管状通道内填充电解质溶液，管状通道内表面和内置块外表面具有亲水性；所述管状通道和内置块的尺寸均逐渐变化且具有相反的变化方向，内置块间隙配合于管状通道内形成双锥嵌套结构...
    2026-04-16
  • 一种铁基超导异质结及其制备方法
    一种铁基超导异质结及其制备方法_南京大学_202511989999.1
    本发明公开一种铁基超导异质结及其制备方法，属于拓扑超导异质结领域。所述的铁基超导异质结，为层状结构，包括依次生长于钛酸锶衬底表面的二氧化钛缓冲层、铁硒碲超导层、碲化锑拓扑绝缘层。所述的铁基超导异质结的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Sb2...
    2026-04-16
  • 约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备
    约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411343823.4
    本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该方法包括，利用直蒸发工艺，在衬底的第一表面形成第一绝缘层；沿第一方向制备第一超导层，第一超导层的表面形成有势垒层；沿第二方向制备与第一超导层存在重叠部分的第二超导...
    2026-04-16
  • 三维霍尔器件及其制备方法、霍尔传感器
    三维霍尔器件及其制备方法、霍尔传感器_东南大学_202411347866.X
    本申请涉及一种三维霍尔器件及其制备方法、霍尔传感器。三维霍尔器件包括：阻挡层，设于衬底内；隔离结构，设于衬底内，且位于阻挡层靠近衬底正面的一侧；浅阱层，设于器件区内；浅阱层内设有间隔排布的多个第一掺杂层和多个第二掺杂层；每一第一掺杂层上连接...
    2026-04-16
  • 一种用于自旋轨道矩器件的双电流磁矩翻转方法、装置及自旋轨道矩器件
    一种用于自旋轨道矩器件的双电流磁矩翻转方法、装置及自旋轨道矩器件_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511597956.9
    本发明提供一种用于自旋轨道矩器件的双电流磁矩翻转方法、装置及自旋轨道矩器件，所述方法包括：在第一时间将第一电流脉冲沿第一方向输入自旋轨道矩通道层，并且在第二时间沿第二方向输入第二电流脉冲；其中，第一方向和第二方向相交形成的平面垂直于垂直磁矩...
    2026-04-16
  • 一种高响应石墨烯霍尔力传感器及其制备方法
    一种高响应石墨烯霍尔力传感器及其制备方法_江苏费曼半导体科技有限公司_202511997964.2
    本发明涉及一种霍尔传感器，尤其是一种高响应石墨烯霍尔力传感器及其制备方法。高响应石墨烯霍尔力传感器，从下至上依次包括：第四衬底、应变放大层、底h‑BN层、石墨烯层、顶h‑BN层以及金属电极；金属电极与所述石墨烯层形成边缘接触，霍尔电极区域以...
    2026-04-16
  • 致动器
    致动器_株式会社村田制作所_202511199186.2
    致动器具备压电振动体(100)和支承体(ST1)。压电振动体由包含板部材(31)与压电元件(21)的层叠体构成，具有相互对置的第一主面和第二主面。支承体(ST1)在俯视时为环形状且具有规定的厚度。支承体(ST1)具备环形状的内周面(FiST...
    2026-04-16
  • 一种1-3型偏铌酸铅压电复合材料及其制备方法与应用
    一种1-3型偏铌酸铅压电复合材料及其制备方法与应用_江瓷电子(苏州)有限公司_202511984478.7
    本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种1‑3型偏铌酸铅压电复合材料及其制备方法与应用。该复合材料以钨青铜结构的偏铌酸铅陶瓷为一维压电相，以环氧树脂为三维聚合物相。陶瓷柱的横向周期尺寸(λ)与复合材料厚度(T)的比值λ/T为0.1‑0.6。...
    2026-04-16
  • 一种用于提高陶瓷/聚合物基压电复合材料极化效率的“流态极化”工艺
    一种用于提高陶瓷/聚合物基压电复合材料极化效率的“流态极化”工艺_安徽工程大学_202511875845.X
    本发明涉及一种用于提高陶瓷/聚合物基压电复合材料极化效率的“流态极化”工艺，属于柔性压电复合材料技术领域。该复合材料所选取的压电纳米棒在介观尺度下电偶极子取向一致(可由熔盐法、水热法或静电纺织法制备而成)，以热固性聚合物作为基质(例如聚二甲...
    2026-04-16
  • π型热电转换组件
    π型热电转换组件_琳得科株式会社_202511372971.3
    本发明提供具有热的逆流得到了抑制的优异的冷却性能的π型热电转换组件，其在相对的一对具有第1电极的第1基板与具有第2电极的第2基板之间交替隔开地配置有包含热电转换元件M的热电转换构件A和包含热电转换元件K的热逆流抑制构件B，且上述热电转换构件...
    2026-04-16
  • 一种具有高效热管理功能的柔性热电器件及其制备方法
    一种具有高效热管理功能的柔性热电器件及其制备方法_江西理工大学_202512016089.1
    本发明提供了一种具有高效热管理功能的柔性热电器件及其制备方法，包括低导热材料，低导热材料上矩形状阵列排列有P/N型热电单元，P/N型热电单元包括多组串联的P/N型热电对，串联的结构为P/N/P串联结构，P/N型热电单元具有间隙，间隙由低导热...
    2026-04-16
  • 柔性基带差分原子层热电堆热流传感器及制备方法
    柔性基带差分原子层热电堆热流传感器及制备方法_电子科技大学_202511690293.5
    柔性基带差分原子层热电堆热流传感器及制备方法, 属于热流传感器技术领域，本发明的柔性基带差分原子层热电堆热流传感器包括在柔性基带上沿y轴方向并列设置的第一传感结构和第二传感结构，所述第一传感结构中第一定向生长层(3)、第一界面修饰层(4)和...
    2026-04-16
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