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最新专利技术
  • 氧化物复合涂层刀具及其制备方法
    氧化物复合涂层刀具及其制备方法_株洲钻石切削刀具股份有限公司_202610001926.5
    本发明公开了一种氧化物复合涂层刀具及其制备方法，该氧化物复合涂层刀具包括刀具基体和沉积于刀具基体上的氧化物复合涂层，氧化物复合涂层是以“(Cr1‑ySiy)(N1‑zOz)层到(Cr1‑bSib)(N1‑aOa)层到(Cr1‑xAlx)2O...
    2026-04-22
  • 一种晶体生长坩埚
    一种晶体生长坩埚_北京天科合达半导体股份有限公司_202610234262.7
    本申请公开了一种晶体生长坩埚，涉及晶体生长技术领域，该晶体生长坩埚包括底部和环绕底部的环形侧壁，环形侧壁包括相连接的第一环形侧壁区和第二环形侧壁区，第一环形侧壁区与底部连接，构成原料区；第二环形侧壁区位于第一环形侧壁区背离底部的一侧，第二环...
    2026-04-22
  • 一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置
    一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610199811.1
    本发明提供了一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅籽晶包括：碳面；碳面包括第一生长面以及第二生长面；第二生长面覆盖碳化硅籽晶的小面；碳化硅籽晶包括第一部分和第二部分，第一部分的碳面为第一生长面，第二部分的碳...
    2026-04-22
  • 带温梯金属浴晶体生长装置及方法
    带温梯金属浴晶体生长装置及方法_成都中微晶体材料有限公司_202610120258.8
    本发明提供了一种带温梯金属浴晶体生长装置及方法，涉及半导体技术领域。本带温梯金属浴晶体生长装置及方法通过金属浴方式加热坩埚进行长晶，可以制备内应力小，质量高的晶体。同时，通过设置第一限流块和第二限流块，在晶体生长区域形成边缘温度略高于中心温...
    2026-04-22
  • 一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法
    一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法_湖州东尼半导体科技有限公司_202610051384.2
    本发明涉及一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法，属于半导体材料制备技术领域。该原料处理方法，采用两种或两种以上不同规格的碳化硅原料，在碳化硅长晶设备的原料承载容器内铺设形成具有粒径梯度分布的多层结构。本发明通过梯度化原料设计，实...
    2026-04-22
  • P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件
    P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件_甬江实验室_202511875271.6
    本申请公开了P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，属于碳化硅衬底制备技术领域。以P型碳化硅晶体为原料，采用物理气相传输法在4H‑SiC籽晶的硅面上生长P型碳化硅衬底，其中，P型碳化硅晶体的粒径≥5mm。P型碳化硅晶体的粒径较大，大颗粒能够...
    2026-04-22
  • 一种降低石榴石膜磁各向异性的方法
    一种降低石榴石膜磁各向异性的方法_电子科技大学_202610073941.0
    一种降低石榴石膜磁各向异性的方法，属于液相外延单晶制备技术领域。本发明通过掺入Pr离子作为轻稀土离子，其4f电子云空间分布与主族离子Bi³+显著不同。当Pr³+部分取代十二面体上的Tb3+时，它引入的磁晶各向异性常数本身较小，且符号可能不同...
    2026-04-22
  • 提升液相外延碲镉汞薄膜表面质量和均匀性的装置及方法
    提升液相外延碲镉汞薄膜表面质量和均匀性的装置及方法_昆明物理研究所_202610067557.X
    本发明提供了一种提升液相外延碲镉汞薄膜表面质量和均匀性的装置及方法，该装置包括长杆、螺旋搅拌结构、衬底支撑结构等部分，螺旋搅拌结构和衬底支撑结构通过长杆实现相互连接及固定。外延生长过程中，可通过控制螺旋搅拌结构的旋转，使螺旋桨叶旋转搅动熔融...
    2026-04-22
  • 一种对羟基苯甲酸乙酯单晶的溶液法制备与X射线探测应用
    一种对羟基苯甲酸乙酯单晶的溶液法制备与X射线探测应用_西北工业大学_202512000407.5
    本发明公开了一种对羟基苯甲酸乙酯单晶的溶液法制备与X射线探测应用，涉及有机晶体技术领域。所述方法包括将对羟基苯甲酸乙酯粉末溶解于丙酮中，再加入石油醚形成混合溶液，随后经溶液挥发，得到籽晶；将籽晶置于丙酮溶液中，并置于密封容器中，于0~5℃条...
    2026-04-22
  • 一种基于改进后的氧化镓籽晶的晶体生长方法
    一种基于改进后的氧化镓籽晶的晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610304600.X
    本发明公开了一种基于改进后的氧化镓籽晶的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。该方法包括：在坩埚内形成氧化镓熔体并输送至模具生长面；使内部设有第一仓体的氧化镓籽晶与熔体接触熔接；熔接完成后不进行引晶，直接进入放肩前期，通过使进入第一仓体的挥发...
    2026-04-22
  • 一种用于导模法生长厚片高导电氧化镓单晶的模具及其单晶生长方法
    一种用于导模法生长厚片高导电氧化镓单晶的模具及其单晶生长方法_同济大学_202610126409.0
    本发明涉及一种用于导模法生长厚片高导电氧化镓单晶的模具及其单晶生长方法，从而得到大尺寸、高质量的高导电β‑Ga2O3单晶衬底。本发明通过将每块隔板的顶端形状设计为向下弯曲的圆弧，减小模具长度方向上中心和两端的传导热通量和辐射热通量差距，从而...
    2026-04-22
  • 单晶放肩工序基于直径速率预测的最优拉速控制方法、设备和存储介质
    单晶放肩工序基于直径速率预测的最优拉速控制方法、设备和存储介质_无锡唯因特数据技术有限公司_202610003830.2
    本发明提供一种单晶放肩工序基于直径速率预测的最优拉速控制方法、设备和存储介质；最优拉速控制方法应用于单晶炉中单晶放肩工序中对拉速的控制，所述方法包括：获取多根单晶在放肩工序的关键工艺参数历史数据和单晶生长标签；基于关键工艺参数历史数据和单晶...
    2026-04-22
  • 直拉单晶过程的控制方法、装置、设备和介质
    直拉单晶过程的控制方法、装置、设备和介质_隆基绿能科技股份有限公司_202511870246.9
    本申请公开了一种直拉单晶过程的控制方法、装置、设备及介质，属于直拉单晶领域。通过获取直拉单晶过程中的观测变量，包括亮环外圈半径、熔体质量和液口距。随后基于状态空间模型，根据观测变量，对直拉单晶过程的内部状态进行估计，得到估计变量，包括估计晶...
    2026-04-22
  • 功率控制方法、装置、电子设备和可读存储介质
    功率控制方法、装置、电子设备和可读存储介质_隆基绿能科技股份有限公司_202511596098.6
    本申请公开了一种功率控制方法、功率控制装置、电子设备及存储介质，属于直拉单晶领域。通过在直拉单晶过程中，获取晶体的实际生长速率，坩埚内熔液的物料质量和热场组件的组件质量。然后根据实际生长速率，物料质量和组件质量，确定实际生长速率对应的实际热...
    2026-04-22
  • 一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置
    一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020705.0
    本发明涉及晶圆制造设备技术领域，尤其是一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置，包括支撑环、安装在支撑环顶部的上部断热材，以及安装在支撑环底部的外热屏组件；所述外热屏组件包括热屏外罩、热屏内罩，内外罩均为环状结构且相互连接，中间形成一个腔体...
    2026-04-22
  • 单晶炉及拉晶方法
    单晶炉及拉晶方法_青海晶科能源有限公司_202610218121.6
    本发明提供了一种单晶炉及拉晶方法，涉及光伏技术领域，单晶炉包括单晶炉本体以及输送结构，输送结构包括盛装粉末状的掺杂剂的容纳主体，第一输送管路设置在容纳主体上并与容纳主体连通，处于容纳主体内的掺杂剂的至少部分流入第一输送管路内；第二输送管路，...
    2026-04-22
  • 一种二阶非线性光学晶体—锗酸镉钾的制备方法和用途
    一种二阶非线性光学晶体—锗酸镉钾的制备方法和用途_天津理工大学_202411442744.9
    本专利申请涉及一种新型二阶非线性光学晶体‑锗酸镉钾(K4Cd3Ge4O13)，属于光学晶体材料领域。晶体采用高温固相法和高温溶液法制备，属于正交晶系，C2空间群，晶胞参数精确测量，展现出优异的非线性光学特性和宽广的光透过范围。该晶体的紫外截...
    2026-04-22
  • 一种仿生疏水硅酸钙单晶骨架的制备方法及用途
    一种仿生疏水硅酸钙单晶骨架的制备方法及用途_苏州北美国际高级中学_202311473235.8
    本发明公布了一种仿生疏水硅酸钙单晶骨架的制备方法及其用途，将二氧化硅和氢氧化钙加水混匀，经过高温高压反应后得到浆料，将浆料经过压滤成片，再经过烧结得到硅酸钙单晶骨架，向硅酸钙单晶骨架表面持续通入不含氟的有机硅气体，同时利用直径为微米级的激光...
    2026-04-22
  • 一种碳化硅晶须的制备方法
    一种碳化硅晶须的制备方法_厦门钨业股份有限公司_202511223736.X
    本发明提供了一种碳化硅晶须的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：喷雾干燥法制备得到碳硅空心球前体；然后在保护气氛中进行烧结，除碳，得到碳化硅晶须团簇体；分散所述碳化硅晶须团簇体，得到所述碳化硅晶须。本发明使用残碳率40％以上的有机碳层作为硅...
    2026-04-22
  • 一种碳化硅晶须的制备方法
    一种碳化硅晶须的制备方法_厦门钨业股份有限公司_202511223735.5
    本发明涉及一种碳化硅晶须的制备方法，包括如下步骤：在空心二氧化硅球体的外表面生长有机碳层，得到所述碳硅空心球前体；然后在保护气氛中进行烧结，除碳，得到碳化硅团簇体；分散所述碳化硅团簇体，得到所述碳化硅晶须。本发明使用有机碳层作为硅碳空心球前...
    2026-04-22
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