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最新专利技术
  • 一种超短对称弯转型束流均匀化传输线
    一种超短对称弯转型束流均匀化传输线_中国原子能科学研究院_202510554046.6
    本发明一种超短对称弯转型束流均匀化传输线，该束流线为分别包含二块四八级复合铁和一块共用二级铁的对称弯转型强流均匀化束流线；该对称弯转型强流均匀化束流线，由一条共用束流线和二条分支束流线组成；该共用束流线沿束流方向设有：加速器引出口、束流匹配...
    2026-02-26
  • 一种超短弯转型束流均匀化传输线
    一种超短弯转型束流均匀化传输线_中国原子能科学研究院_202510554047.0
    本发明公开了一种超短弯转型束流均匀化传输线，其特点是：该传输线为包含二块四八级复合铁和一块二级铁的超短弯转型强流均匀化传输线；该超短弯转型强流均匀化传输线为沿束流方向布设的超短弯转型强流均匀化传输线A，或沿束流方向布设的超短弯转型强流均匀化...
    2026-02-26
  • 一种超短弯转型束流均匀化结构
    一种超短弯转型束流均匀化结构_中国原子能科学研究院_202510554048.5
    本发明公开了一种超短弯转型束流均匀化结构，该超短弯转型强流均匀化结构通过在束流线上使用一块二级铁和多块四八级复合铁，实现弯转型强流均匀化子结构和对称弯转型强流均匀化子结构；该弯转型强流均匀化子结构用于实现弯转型强流均匀化束流线；该对称弯转型...
    2026-02-26
  • 一种超短直线型束流均匀化传输线
    一种超短直线型束流均匀化传输线_中国原子能科学研究院_202510554050.2
    本发明公开了一种超短直线型束流均匀化传输线，该直线型强流均匀化束流线沿束流方向依次设有：加速器引出口、束流匹配机构、四八极复合铁1、四八极复合铁2、束流均匀化效果观测机构、终端；该四八极复合铁1和四八极复合铁2用于分别同时产生四极磁场和八极...
    2026-02-26
  • 一种超短直线型束流均匀化结构
    一种超短直线型束流均匀化结构_中国原子能科学研究院_202510554051.7
    本发明公开了一种超短直线型束流均匀化结构，该直线型束流均匀化结构在传输线上使用两块四八极复合磁铁，在第一块四八极复合磁铁处，Y方向或X方向束流包络函数达到最大值，在第二块四八极复合磁铁处，X方向或X方向束流包络函数达到最大值；粒子在两块四八...
    2026-02-26
  • 基于四八极复合磁铁的直线型束流均匀化传输线调试方法
    基于四八极复合磁铁的直线型束流均匀化传输线调试方法_中国原子能科学研究院_202510554054.0
    本发明公开了一种基于四八极复合磁铁的直线型束流均匀化传输线调试方法，该方法包括：调整四极铁的电流，使得在四八极复合铁1附近X方向束流成腰；调整四八极复合铁1四极铁的电流，使得在四八极复合铁2附近Y方向束流成腰；在调整四八级复合铁1的八极场电...
    2026-02-26
  • 一种用于束流均匀化的四/八极复合铁系统
    一种用于束流均匀化的四/八极复合铁系统_中国原子能科学研究院_202510554060.6
    本发明公开了一种用于束流均匀化的四/八极复合铁系统，该复合铁系统包括复合磁铁电流控制装置、复合磁铁主电源以及四极/八极复合铁；该复合磁铁电流控制装置用于控制复合磁铁主电源对四极/八极复合铁的四极场线圈电流输出和八极场线圈电流输出；该四极/八...
    2026-02-26
  • 一种用于束流均匀化的单线圈缠绕型四八极复合铁系统
    一种用于束流均匀化的单线圈缠绕型四八极复合铁系统_中国原子能科学研究院_202510554066.3
    本发明公开了一种用于束流均匀化的单线圈缠绕型四八极复合铁系统，该复合铁系统包括复合磁铁电流控制装置、复合磁铁主电源、四极/八极复合铁；该四极/八极复合铁共有八个极头，每个极头上仅缠绕一种类型的励磁线圈；所述A型励磁线圈的电流值为：四极磁场励...
    2026-02-26
  • 一种电路模块及电子设备
    一种电路模块及电子设备_苏州源控电子科技有限公司_202510555627.1
    本申请公开了一种电路模块及电子设备，包括电路板、电子元件、均温板、背板以及第一连接件，通过均温板与背板位于电路板相对的两侧，并通过第一连接件连接均温板以及背板，保证相对均温板与背板相对电路板的固定，也能够避免直接连接在电路板上导致的应力集中...
    2026-02-26
  • 一种电气控制线路板
    一种电气控制线路板_四川中飞创新智能科技有限责任公司_202510557358.2
    本发明公开了一种电气控制线路板，包括介电基材和设置在介电基材上下表面的图案化导电层，所述图案化导电层和介电基材之间设有过渡金属层，所述图案化导电层的表面设有分区镀层结构，该分区镀层结构包括高频信号区的复合镀层、普通导电区的减薄镀层和接触焊盘...
    2026-02-26
  • 一种多层线路板的烘烤箱
    一种多层线路板的烘烤箱_四川中飞创新智能科技有限责任公司_202510553850.2
    本发明公开了一种多层线路板的烘烤箱，包括箱体，所述箱体内部通过支撑板分隔为上下间隔的烘烤隔间；所述支撑板镂空设置，所述支撑板上竖直设置有导柱，所述导柱上套设有压板，所述导柱的数量大于2个；每个烘烤隔间内均设置有热风通道和导流板，所述导流板均...
    2026-02-26
  • 一种多层线路板压合设备的定位机构
    一种多层线路板压合设备的定位机构_四川中飞创新智能科技有限责任公司_202510558227.6
    本发明公开了一种多层线路板压合设备的定位机构，包括开设在压台上表面的定位槽；所述定位槽中设置有透明耐压板，所述透明耐压板的下方，所述压台内部嵌入式的设置有光学定位传感器，所述光学定位传感器朝向透明耐压板设置；所述光学定位传感器、透明耐压板均...
    2026-02-26
  • NORD闪存的版图结构及形成方法
    NORD闪存的版图结构及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510559310.5
    本发明提供了一种NORD闪存的版图结构，包括：衬底，衬底包括邻接的阵列区和端头区；位于阵列区的衬底的表面的多行间隔的字线、多行间隔的第一控制线和多行间隔的第二控制线，每行字线的一侧为第一控制线，另一侧为第二控制线；位于端头区的衬底的表面的逻...
    2026-02-26
  • 金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件
    金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件_上海华力集成电路制造有限公司_202510559398.0
    本发明提供了一种金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件，属于半导体领域。该金属硅化物阻挡层的形成方法包括提供一半导体衬底。形成金属硅化物阻挡层。对所述光刻胶层进行曝光、显影处理，形成窗口，所述窗口暴露出所述第一栅极结构及其两侧的源漏区和第二...
    2026-02-26
  • 一种快软恢复二极管局域铂掺杂方法
    一种快软恢复二极管局域铂掺杂方法_国电投核力创芯(无锡)科技有限公司_202510552428.5
    本发明公开一种快软恢复二极管局域铂掺杂方法，涉及半导体制造技术领域。该快软恢复二极管局域铂掺杂方法，是利用氢离子和氦离子注入形成预制原子空位缺陷，诱导铂原子聚集停留在预制空位缺陷区域，实现铂原子局域掺杂的工艺方法，有机结合了传统全域铂掺杂寿...
    2026-02-26
  • 一种具有超结-AlGaN异质结复合栅增强型HEMT及其制备方法
    一种具有超结-AlGaN异质结复合栅增强型HEMT及其制备方法_西安电子科技大学_202510557503.7
    本发明公开了一种具有超结‑AlGaN异质结复合栅增强型HEMT及其制备方法，形成的器件结构包括从下至上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层；设置在AlGaN势垒层上表面中间栅区域对应位置处的p‑GaN层，其表面含有...
    2026-02-26
  • VDMOS器件的形成方法
    VDMOS器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510558995.1
    本发明提供了一种VDMOS器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括相对的正面和背面；在衬底的正面形成外延层；在部分厚度的外延层内形成凹槽，凹槽的底部与衬底的正面具有一定的距离；在凹槽内依次形成栅氧化层和栅多晶硅，栅氧化层覆盖凹槽的内壁，栅多...
    2026-02-26
  • 一种高质量铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法
    一种高质量铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法_西交利物浦大学_202510556171.0
    本申请涉及一种高质量铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上采用射频磁控溅射法生长介电层；S2、在射频磁控溅射设备中，将表面生长有介电层的所述衬底加热至200～250℃，在所述介电层上磁控溅射生长半导体层铟镓锌氧...
    2026-02-26
  • 控制栅和浮栅及其制作方法
    控制栅和浮栅及其制作方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510559525.7
    本发明提供了一种控制栅和浮栅及其制作方法，属于半导体领域。该控制栅和浮栅的制作方法包括提供一半导体基底；提供第一掩模版，所述第一掩模版上设置有存储区栅极图形和虚拟图形，所述第二光刻胶图形用于增加外围逻辑区图形密度；以所述第一光刻胶图形为掩膜...
    2026-02-26
  • 一种介电层为高K金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法
    一种介电层为高K金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法_西交利物浦大学_202510559668.8
    本发明公开了一种介电层为高K金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管依次包括第一功能层、第二功能层、高K金属氧化物介电层、金属氧化物半导体沟道层和顶电极，当衬底为高掺杂单晶硅时，所述第一功能层为第一栅电极，所述第二功能层为高掺杂单...
    2026-02-26
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