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  • 描述了一种线性致动器, 其总体上具有质量块, 所述质量块可移动地安装在线性位移路径中, 所述质量块具有磁性段;驱动力发生器, 所述驱动力发生器被配置成在线性位移路径的取向上选择性地向质量块施加加速度;以及反作用力路径, 所述反作用力路径在质...
  • 一种变压器(1), 该变压器包括芯体(3)和用于电磁地变换电流的至少一个绕组(4, 10), 其中, 至少一个绕组(4, 10)相对于变压器(1)的侧向方向(B, C)包围芯体(3), 并且芯体(3)和绕组(4, 10)被配置成在变压器(1...
  • 本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电子部件包括主体, 该主体包括以陶瓷为主要成分的多个电介质层与多个内部电极层层叠而成的电容部, 在电容部内存在Al或Cr、Fe和Si的全部元素, 并且在内部电极层内析出有这些元素中的至少一种元素。
  • 本发明提供一种具备高电容量, 作为基材的铝箔与电介质层的密合性及电介质层中的阀金属氧化物颗粒彼此的密合性优异, 并且施加了反向电压时的耐久性优异的电极结构体。本发明提供一种电极结构体, 其特征在于, 具备多个阀金属氧化物颗粒形成三维网状结构...
  • 电容器元件(1)具备:电容器部(10), 其包括在芯部(11A)的至少一个主面具有多孔部(11B)的阳极板(11)、设于多孔部(11B)的表面的电介质层(13)、和设于电介质层(13)的表面的阴极层(12);以及密封层(20), 其以覆盖电...
  • 本发明的电化学器件具备一对电极和电解液, 一对电极中的至少一者包含集电体和设置于集电体的表面的活性层, 活性层包含第一活性炭和第二活性炭, 第一活性炭的表面官能团量与第二活性炭的表面官能团量之差小于0.14meq/g。
  • 滑动开关具备:外壳、滑动构件和传感器机构, 传感器机构具有:在滑动构件中设置于转动轴上的磁铁;和在外壳中设置于转动轴上且检测磁铁的磁场变化的传感器, 滑动构件具有:绕转动轴形成的有底的安装孔;和封闭安装孔的开口的盖构件, 安装孔具有:形成于...
  • 本发明涉及一种基于可根据温度被磁化的连接件的机动车辆隔离开关。
  • 一种慢波结构、行波管和通信装置, 慢波结构包括管壳、慢波线和多个支撑部, 慢波线与多个支撑部均位于管壳内, 管壳、慢波线及多个支撑部连为一体;多个支撑部沿慢波线依次间隔分布;每个支撑部的一端连接管壳, 另一端连接慢波线。本申请能够改善分体式...
  • 公开了一种带电粒子光学元件。该元件用于带电粒子光学模块, 该带电粒子光学模块被配置为将带电粒子沿至少一个束路径引导至样品。在一种布置中, 该元件包括芯片, 该芯片包括被形成在半导体衬底(61)中的集成电路(64)。该衬底限定至少一个孔径(6...
  • 提供了一种制备用于带电粒子束检查的样品的方法。该方法包含提供半导体结构样品并识别待检验样品区域中的电隔离区域。该方法更包含提供对该至少一个电隔离区域的电连接。
  • 本发明涉及用于等离子体工艺系统(10)的低阻抗大电流同轴线(1), 该低阻抗大电流同轴线具有:a)管状导热电绝缘体(2), 其例如由陶瓷制成, b)电外导体(3), 其以外层形式布置在绝缘体上, 以及c)电内导体(4), 其以内层形式布置在...
  • 示例性半导体处理系统可包括具有主体的腔室, 主体具有侧壁和基座。腔室可包括位于主体顶部的泵送衬垫和位于泵送衬垫顶部的面板。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括板和轴。腔室可包括密封板, 密封板与板下方的轴耦接。密封板可具有比板更大的直径。...
  • 质量分析装置(100)具备:离子源(101), 其使试样离子化;检测部(105), 其具有光电倍增管(105a), 对由离子源(101)离子化后的试样的质量进行分析;真空室(102), 其使离子源(101)与检测部(105)连通;真空计(1...
  • 基板接合装置具备接合单元。接合单元包括:第一夹具11, 保持第一基板W1;以及第二夹具21, 保持第二基板W2;致动器机构, 使第一夹具11与第二夹具21相对地动作, 由此将被第一夹具11保持的第一基板W1与被第二夹具21保持的第二基板W2...
  • 本发明描述了一种通过如下操作生产半导体基底的方法:利用sp3碳同素异形体(例如金刚石或类金刚石碳)的主体, 并且用电子供体离子处理所述主体, 以形成n型半导体5基底。供体离子的离子半径比sp3碳同素异形体的原子离子半径大或小15%以内。本发...
  • 一种基板层叠体的制造方法, 包括:准备第一层叠体(10)和第二层叠体(20)的工序;在第二层叠体的第二表面层(22)上设置表面保护层(27)的工序;在设置有表面保护层的第二层叠体的表面保护层侧粘贴切割带(42)并进行切割加工的工序;将带表面...
  • 提供了一种用于制造含石墨烯层压件(240)的方法, 该方法包括:(i)设置第一晶圆(220), 该第一晶圆包括在第一硅支承件(200)上的第一层(205), 其中, 第一层(205)是介电层并且具有远离第一硅支承件(200)的暴露生长表面(...
  • 本发明提供一种可以良好的位置精度向贴合基板的外周供给流体、且进行可靠的分离的基板分离装置、基板处理装置以及基板分离方法。实施方式的基板分离装置1具有:保持部10, 对贴合有一对基板Sa、Sb的贴合基板S进行保持并使其旋转;喷嘴30, 通过朝...
  • 本发明提供一种可降低分离后的基板的缺陷的基板分离装置、基板制造装置以及基板分离方法。实施方式的基板分离装置1具有:保持部10, 对贴合有一对基板Sa、Sb的贴合基板S进行保持并使其旋转;定位部20, 通过与停止旋转并从保持部10脱离的贴合基...
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