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最新专利技术
  • 半导体器件和制造晶圆级基板的方法
    半导体器件和制造晶圆级基板的方法_星科金朋私人有限公司_202510416506.9
    本发明涉及半导体器件和制造晶圆级基板的方法。一种半导体器件具有嵌入条和沉积在该嵌入条上的封装材料。后部研磨该封装材料的第一表面， 以暴露嵌入条。在该封装材料的第一表面上形成第一积层互连结构。在该封装材料的第二表面上形成第二积层互连结构。
    2025-12-06
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510754296.4
    形成重构晶圆， 其包括彼此互连的中介层管芯的二维阵列和半导体管芯组的二维阵列。中介层管芯的二维阵列包括由介电负型光刻胶材料组成并嵌入远端重分布布线互连件的远端重分布介电层。光刻曝光工艺依序对介电负型光刻胶材料的区域进行光刻曝光。每个照明区域...
    2025-12-06
  • 连接器和半导体组件
    连接器和半导体组件_上海易卜半导体有限公司_202510776465.4
    本发明公开了一种连接器和半导体组件， 连接器包括连接板， 连接板具有本体和多个柱状触点， 每个柱状触点均包括导电段和焊接段， 导电段与本体相连， 焊接段包括第一子段和第二子段， 第一子段连接于导电段远离本体的一端， 第二子段连接于第一子段远...
    2025-12-06
  • 一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统
    一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统_深圳中宝新材科技有限公司_202510778215.4
    本发明提供一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统， 涉及电子封装技术领域。该一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统， 包括S1：基于铜丝键合生产线， 采用多传感器数据采集方法， 并通过数据清洗与归一化处理对实时采集的温度、压力、...
    2025-12-06
  • 一种基于液态金属的新型芯片封装方法
    一种基于液态金属的新型芯片封装方法_南宁桂电电子科技研究院有限公司_202510839161.8
    本发明提供一种基于液态金属连接芯片和基板的新型封装方法， 核心组件包括一种基于液态金属连接芯片和基板的新型封装方法。该方法的核心组件主要由环氧树脂(1)、芯片(2)、聚酰亚胺模具(3)、硅胶(4)和PCB基板(5)组成。其中， 芯片底部设计...
    2025-12-06
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510910097.8
    本申请的实施例公开了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括在介电层上形成第一光刻胶层；使用第一光刻掩模在第一光刻胶层上执行第一曝光工艺， 其中在第一曝光工艺期间， 阻挡第一光刻胶层的第一区域被曝光， 曝光第一光刻胶层的第二区域， 并曝光第...
    2025-12-06
  • 一种半导体封装结构及其制作方法
    一种半导体封装结构及其制作方法_成都奕成集成电路有限公司_202510955697.6
    本申请提供一种半导体封装结构及其制作方法， 方法包括：提供第一重布线层；在所述第一重布线层的一侧连接至少一个桥接芯片；提供目标芯片封装结构；将所述导电柱远离所述第二重布线层一侧的端面与所述第一重布线层电连接， 以使所述目标芯片封装结构与所述...
    2025-12-06
  • 一种高可靠性封装方法及其封装产品
    一种高可靠性封装方法及其封装产品_广东气派科技有限公司_202510991102.2
    本发明公开一种高可靠性封装方法及其封装产品， 高可靠性封装方法包括以下步骤：在金属板上蚀刻出若干异形金属片， 通过绝缘件对所述异形金属片进行固定， 得到金属片复合件；在芯片上具有焊盘的一面涂覆绝缘层， 绝缘层上形成有凹槽， 凹槽与焊盘一一对...
    2025-12-06
  • 一种半导体结构及其制作方法、电子设备
    一种半导体结构及其制作方法、电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202510994425.7
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备， 半导体结构的制作方法用于制作多个并联芯片的叠层半导体结构， 制作时由于并未使用倒装芯片工艺(Flip Chip Bonding， 简称FC)， 因此减少了高温暴露次数， 避免FC工艺中多次高...
    2025-12-06
  • 一种电容3D封装工艺方法
    一种电容3D封装工艺方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511027866.6
    本发明涉及电容封装技术领域， 尤其涉及一种电容3D封装工艺方法；技术问题：在日常使用电容封装工艺在3D封装中存在的基板面积利用率低、层间焊接不良及后处理复杂的问题；技术方案：一种电容3D封装工艺方法， 包括基板预处理、第一层电容焊接、第二层...
    2025-12-06
  • 半导体器件及其结晶缺陷去除方法、电子设备
    半导体器件及其结晶缺陷去除方法、电子设备_上海华力微电子有限公司_202511044663.8
    本发明公开了一种半导体器件及其结晶缺陷去除方法、电子设备， 属于半导体技术领域， 该半导体器件的结晶缺陷去除方法， 包括提供铝焊盘， 所述铝焊盘上覆盖有多个介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶， 通过曝光、显影和刻蚀形成所需的光刻胶图案， 以所...
    2025-12-06
  • 一种高密度封装体层间导通互联方法及结构
    一种高密度封装体层间导通互联方法及结构_厦门四合微电子有限公司_202511225006.3
    本发明涉及芯片封装技术领域， 公开了一种高密度封装体层间导通互联方法及结构， 包括：步骤S100：在载板的一面或两面制作线路层， 所述线路层上包括金属框体、若干个第一连接筋和若干个封装区， 所述封装区设置于所述金属框体内， 所述封装区内设有...
    2025-12-06
  • 测试结构及形成方法
    测试结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410519818.8
    本发明提供一种测试结构及形成方法， 其中测试结构包括：基底；位于所述基底上的若干分立排布的栅极结构， 所述栅极结构沿着第一方向延伸；位于所述基底上的至少一个栅极切断层， 所述栅极切断层沿着第二方向位于至少一个所述栅极结构内， 所述第一方向与...
    2025-12-06
  • 半导体结构的缺陷测试方法
    半导体结构的缺陷测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410530313.1
    一种半导体结构的缺陷测试方法， 包括：提供衬底， 所述衬底上具有若干开口；在所述衬底上形成测试涂层， 且所述测试涂层填充满所述开口；设定所述测试涂层在开口内的标准厚度；根据开口内所述测试涂层厚度与所述标准厚度， 获取所述开口内是否具有缺陷。...
    2025-12-06
  • 一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质
    一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质_海光信息技术(成都)有限公司_202510869667.3
    本申请的实施例公开了一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质， 涉及半导体技术领域， 便于测试验证被测器件与TSV的安全距离。所述方法包括：将TSV以矩形阵列方式排布为TSV阵列；在所述TSV阵列周围， 将被测器件排布为多个矩形...
    2025-12-06
  • 一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统
    一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统_苏州大学_202510939941.X
    本发明涉及太阳能电池领域， 尤其是指一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统， 所述方法包括：产生波长可调节的激光光源， 将所述激光光源分离成泵浦光和参考光；将所述泵浦光聚焦至针尖， 使针尖靠近样品的金属化区域表面， 在其表面和针...
    2025-12-06
  • 一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法
    一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法_西安微电子技术研究所_202510973558.6
    本发明公开了一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法， 具体步骤如下：在衬底上依次淀积薄膜电阻下介质层、铬硅电阻层、钨钛阻挡层、铬硅薄膜金属上介质层后， 退火处理， 得到第一产物；通过湿法腐蚀去除第一产物的钨钛阻挡层、铬硅薄膜金属上介质层， 得到...
    2025-12-06
  • 一种监控BPSG中硼磷含量的方法
    一种监控BPSG中硼磷含量的方法_安徽北方微电子研究院集团有限公司_202510997498.1
    本发明涉及一种监控BPSG中硼磷含量的方法， 包括二次离子质谱仪检测BPSG膜层中的硼磷含量， 其特征在于包括如下步骤：在确定BPSG膜层中的硼磷含量正常后， 通过氧化， CVD， 光刻， 刻蚀， 湿法步骤制备有台阶的晶圆， 淀积测试过后硼...
    2025-12-06
  • 一种外延生长温度的检测方法
    一种外延生长温度的检测方法_北京智慧能源研究院_202511008948.6
    本申请涉及一种外延生长温度的检测方法， 包括：提供测试晶圆， 测试晶圆包括标定晶片和测温晶片；对标定晶片和测温晶片进行缺陷处理， 以在其中引入晶体缺陷；在不同目标标定温度下对标定晶片进行缺陷修复处理， 并获取对应温度下的缺陷修复信息；依据目...
    2025-12-06
  • 一种基于EL灰度值的晶硅太阳能电池分档方法
    一种基于EL灰度值的晶硅太阳能电池分档方法_安徽中清新能源科技有限公司_202511018863.6
    本发明提供一种基于EL灰度值的晶硅太阳能电池分档方法， 属于太阳能电池技术领域， 采用了先依据电池转换效率进行初级分档， 随后对同一效率档位内的电池片进行EL灰度值的二次分选方法， 实现了同一分档单元内电池片电致发光特性的一致性优化， 有效...
    2025-12-06
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