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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510554167.0
    本发明的目的在于提供一种提高在高温高湿下的可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置包括半导体基板、第一电极、绝缘层间膜和至少一个第二电极。半导体基板包括流过主电流的有效区域和设置在该有效区域的周围的终端区域。第一电极设置在有效区域中。绝缘层间...
    2025-11-23
  • 三维半导体装置中的栅极结构
    三维半导体装置中的栅极结构_长江存储科技有限责任公司_202410567460.6
    提供了用于三维半导体装置中的栅极结构的装置和系统。在一方面，一种半导体装置，包括第一晶体管，其中，第一晶体管包括源极、漏极、和栅极结构。栅极结构包括第一区域和从第一区域的第一角部沿第一方向朝向源极或漏极突出的第二区域。
    2025-11-23
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510159227.9
    本公开涉及半导体器件及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：第一源极/漏极区域、与第一源极/漏极区域相邻的第一纳米结构、第二源极/漏极区域、与第二源极/漏极区域相邻的第二纳米结构、栅极结构、间隔件、和电介质层。...
    2025-11-23
  • 半导体模块
    半导体模块_罗姆股份有限公司_202511100210.2
    半导体模块具备导电基板、多个第一半导体元件以及多个第二半导体元件。上述导电基板包含与上述多个第一半导体元件电接合的第一导电部、以及与上述多个第二半导体元件电接合的第二导电部。上述半导体模块还具备设置在上述第一导电部的附近的第一输入端子、第二...
    2025-11-23
  • 一种共源共栅GaN器件及其制备方法
    一种共源共栅GaN器件及其制备方法_润新微电子(大连)有限公司_202511460325.2
    本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅GaN器件及其制备方法，共源共栅GaN器件包括引线框架基岛、MOS芯片和GaN芯片；引线框架基岛上设有作为GaN器件的源极的第一导电区；MOS芯片的源极设在背面、栅极和漏极设在其正面；MOS芯片背面的...
    2025-11-23
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510605187.6
    在实施例中，方法可以包括在衬底上方形成多层堆叠件。多层堆叠件具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。方法也可以包括去除第一半导体层。此外，方法可以包括在第二半导体层之间形成一次性材料。另外，方法可以包括对一次性材料和第二半导体层实施第一注入...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510742618.3
    本揭露的一些实施例提供一种半导体结构及其形成方法。形成半导体结构的方法包括以下步骤。在第一导电特征上方形成第一介电层、在第一介电层上方形成第二介电层、在第二介电层上方形成图案化遮罩、执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过第一介电层及第二介电层的沟槽...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510914189.3
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。在实施例中，一种方法可以包括：在衬底之上形成多层堆叠，该多层堆叠具有第一半导体层和第二半导体层的交替层。该方法还可以包括：在第一区域中形成与第一半导体层和第二半导体层相邻的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极...
    2025-11-23
  • 一种CMOS器件的制作方法
    一种CMOS器件的制作方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511058567.9
    本发明涉及一种CMOS器件的制作方法，所述CMOS器件的制作方法优化了张应力薄膜和压应力薄膜的制作过程，保证了NMOS和PMOS能够同时采用应力技术。而且分别对NMOS区域和PMOS区域对应的应力薄膜(张应力薄膜和压应力薄膜)进行紫外线固化...
    2025-11-23
  • 一种金刚石层和氮化镓异质集成CMOS的制备方法及CMOS器件
    一种金刚石层和氮化镓异质集成CMOS的制备方法及CMOS器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511062876.3
    本发明公开了一种金刚石层和氮化镓异质集成CMOS的制备方法及CMOS器件，提供晶圆，在晶圆上生长金刚石层；在晶圆表面制备第一图形结构；在第一图形结构的表面生长GaN/AlGaN材料层，GaN/AlGaN材料层内形成二维电子气；在GaN/Al...
    2025-11-23
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511479796.8
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一包括第一器件区、第二器件区的衬底；于衬底上表面形成依次堆叠的栅极堆叠材料层及保护材料层，位于第一器件区上方的保护材料层的厚度小于第二器件区上方的保护材料层的厚度；基于对栅极堆叠材料层...
    2025-11-23
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_中芯南方集成电路制造有限公司_202410551969.1
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：衬底，所述衬底包括中心区和环绕所述中心区的边缘区；在所述中心区的所述衬底表面形成初始伪栅结构，在所述边缘区的所述衬底表面形成保护层；刻蚀所述初始伪栅结构，在所述中心区的所述衬底的表面形成多个分立的伪...
    2025-11-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410557509.X
    提供了半导体结构和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体结构包括下半导体层、上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的绝缘层。第一区域中的上半导体层的第一厚度大于第二区域中的上半导体层的第二厚度。
    2025-11-23
  • 改善射频器件分压均匀性的器件结构及其制造方法
    改善射频器件分压均匀性的器件结构及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510970579.2
    本发明提供一种改善射频器件分压均匀性的器件结构，包括SOI衬底；形成于SOI衬底上的多级串联射频开关器件；设置在每级分流测试结构与金属焊盘之间的金属连线路径中的到地公共电阻；到地公共电阻用于阻断射频信号泄露路径。本发明通过设置到地公共电阻显...
    2025-11-23
  • 射频器件及其制备方法
    射频器件及其制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510969391.6
    本申请提供一种射频器件及其制备方法，其中在制备方法中，提供第二基底结构，将第一基底结构所在的半导体结构倒置并键合在第二基底结构上，接着从底层硅背面，对底层硅进行减薄、去除并停止在中间绝缘层的背面。本申请利用第二基底结构作为射频器件新的基底，...
    2025-11-23
  • 应用于半导体器件制作过程中的工艺方法
    应用于半导体器件制作过程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049893.3
    本申请公开了一种应用于半导体器件制作过程中的工艺方法，包括：提供一SOI衬底，该SOI衬底包括硅衬底和形成于硅衬底中的绝缘层，绝缘层将硅衬底隔离为位于上方的顶层衬底和位于下方的底层衬底，顶层衬底上表面形成有栅介质层，栅介质层上形成有多晶硅栅...
    2025-11-23
  • ECO基础单元和ECO逻辑单元
    ECO基础单元和ECO逻辑单元_广州增芯科技有限公司_202511103094.X
    本申请提供一种ECO基础单元和ECO逻辑单元，ECO基础单元包括：第一有源区和第二有源区，第一多晶条，第一多晶条位于第一有源区和第二有源区的上方，横跨第一有源区和第二有源区；第二多晶条，位于第一有源区和第二有源区的外侧，第二多晶条用于在多个...
    2025-11-23
  • 静电放电保护器件
    静电放电保护器件_瑞萨设计(英国)有限公司_202411138074.1
    本申请涉及一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD保护器件包括：N型阱层，其具有耦合到阳极端子的第一正N型扩散区；P型阱层，其具有耦合到阴极端子的第二正N型扩散区；衬底层；N型埋层，其设置在P型阱层和衬底层之间；以及介电层，其耦合到栅极端子...
    2025-11-23
  • 第三类半导体封装结构
    第三类半导体封装结构_义隆电子股份有限公司_202510915821.6
    本发明公开一种第三类半导体封装结构，包括一第一导电界面、一第二导电界面、一第三类半导体功率元件以及一静电放电保护元件。该第三类半导体功率元件具有一闸极端及一源极端，其中该闸极端电性连接该第一导电界面，该源极端电性连接该第二导电界面。该静电放...
    2025-11-23
  • 一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法
    一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511132691.5
    本发明提供一种高效率背接触太阳能电池及其制备方法，电池背面依次包括基板、复合背钝化层、交错排列于电池背面的P型电极和N型电极；所述复合背钝化层为SiO2/Al2O3双层钝化层；所述复合背钝化层上刻蚀形成接触窗口，并在接触窗口区域形成P型掺杂...
    2025-11-23
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