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最新专利技术
  • 一种抑制X射光管高压打火的自适应调控方法及装置
    一种抑制X射光管高压打火的自适应调控方法及装置_瑞茂光学(深圳)有限公司_202511110497.7
    本申请提供了一种抑制X射光管高压打火的自适应调控方法及装置，涉及抑制控制技术领域，所述方法包括：构建与X射光管输入端连接的双SEPIC电压调控模块；提取X射光管的高压打火特征数据，进行调控目标分解；基于双SEPIC电压调控模块将调控目标集合...
    2025-12-07
  • 一种校正方法、电子显微镜、介质和程序产品
    一种校正方法、电子显微镜、介质和程序产品_蔡司科技(苏州)有限公司_202511104939.7
    本申请涉及电子显微镜技术领域，公开了一种校正方法、电子显微镜、介质和程序产品。该方法包括：获取电子显微镜的目标工作参数和当前工作参数；向第一模型输入目标工作参数和当前工作参数，并获取第一模型输出的第一调整参数，其中，第一模型基于电子显微镜的...
    2025-12-07
  • 真空设备、方法及用途
    真空设备、方法及用途_冯·阿登纳资产股份有限公司_202510600949.3
    本发明各种实施方案涉及一种真空设备，包括：真空腔室壳体(812)；传送装置，用于沿真空腔室壳体(812)内的传送路径(111)传送基板；等离子体源(150)，其等离子体源壳体(102)中设置有空腔(102h)，该等离子体源(150)配置为通...
    2025-12-07
  • 一种防止气体回灌至远程等离子体系统的方法及系统
    一种防止气体回灌至远程等离子体系统的方法及系统_格科半导体(上海)有限公司_202410592868.9
    本发明公开了一种防止气体回灌至远程等离子体系统的方法及系统，所述方法包括：通过设置在所述第二管路和/或所述第一管路上的防止气体回灌控制单元，防止所述第一管路中流出的四乙氧基硅烷气体回灌至远程等离子体系统；或者通过所述远程等离子体系统增加一惰...
    2025-12-07
  • 等离子体处理装置及其下电极组件
    等离子体处理装置及其下电极组件_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410599139.6
    本发明提供一种等离子体处理装置及其下电极组件；所述等离子体处理装置包括反应腔；设于所述反应腔内的基座，用于承载基片；约束环围绕所述基座的外围设置，并位于所述基座与反应腔的腔体之间，用于约束反应腔内产生的等离子体；电容器设于所述约束环与反应腔...
    2025-12-07
  • 等离子体刻蚀设备及其供气组件和方法
    等离子体刻蚀设备及其供气组件和方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410599358.4
    本发明提供一种等离子体刻蚀设备及其供气组件和方法。所述供气组件包括：气体控制箱，具有多种反应气体，用于配置形成所述第一工艺气体和第二工艺气体；第一气体缓存器，安装于反应腔的顶盖上方或顶盖附近，与所述气体控制箱连接，用于缓存所述气体控制箱配置...
    2025-12-07
  • 等离子体处理装置和基板处理方法
    等离子体处理装置和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202510551193.8
    提供一种抑制反应生成物向整流壁附着的等离子体处理装置和基板处理方法。一种等离子体处理装置，其利用等离子体对基板进行处理，其中，该等离子体处理装置具备：等离子体生成部，其被供给有用于生成所述等离子体的第1高频电力；载置台，其在上表面具有用于载...
    2025-12-07
  • 上电极组件
    上电极组件_哈纳材料公司_202510612197.2
    本公开涉及一种上电极组件。所述上电极组件包括衬套组件和提升杆，所述衬套组件紧固到等离子体电极板的插入孔，所述提升杆被接纳在电极支撑板的接纳空间中，并且所述提升杆被配置成将所述等离子体电极板以能够拆卸的方式联接到所述电极支撑板。所述衬套组件包...
    2025-12-07
  • 一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法
    一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法_海创智能装备(烟台)有限公司_202511354679.9
    本发明公开了一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法，属于干法刻蚀技术领域，包括：通过真空系统对工艺腔体进行抽真空，使其达到预定真空度；通过预清扫气体对所述工艺腔体进行预清扫；通入工艺气体，并通过质量流量控制器控制气体流量；启动射频电源和射...
    2025-12-07
  • 一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统
    一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统_上海谙邦半导体设备有限公司_202511488372.8
    本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及观察窗口保护系统，属于半导体制造装备技术领域。该系统包括反应腔体、进气管路、光学观察窗口和匀气结构，通过创新性地采用匀气结构兼具匀流和射频抑制功能，在保证气流量功能下有效阻断等离子体进入管路内，以及通过将光...
    2025-12-07
  • 一种紧凑型低能量碳-14专用正离子质谱系统及检测方法
    一种紧凑型低能量碳-14专用正离子质谱系统及检测方法_中国辐射防护研究院_202510904354.7
    本发明公开一种紧凑型低能量碳‑14专用正离子质谱系统及检测方法，包括：气体进样单元，用于注入CO2气体样品；正离子单元，用于将CO2气体样品直接电离生成C2+离子束；快交替注入单元，用于对C2+离子束进行初步质量分析以及实现不同碳同位素的交...
    2025-12-07
  • 一种用于二次离子质谱仪的真空换样系统及方法
    一种用于二次离子质谱仪的真空换样系统及方法_中国地质科学院地质研究所_202511467503.4
    本申请公开了一种用于二次离子质谱仪的真空换样系统及方法，真空换样系统包括：主箱体，形成有分析腔；换样箱体，形成有换样腔；样品箱体，形成有样品腔；第一驱动单元，输出端伸入至样品腔内且设置有转运靶托，第一驱动单元用于驱动转运靶托在样品腔与换样腔...
    2025-12-07
  • 一种质谱成像装置和方法
    一种质谱成像装置和方法_中国地质科学院地质研究所_202511484119.5
    本申请提供一种质谱成像装置和方法。本申请提供的装置包括：调整通道，用于对发射单元射出的离子束的飞行方向和竖直方向偏移量进行调整，使离子束以不同角度飞行经过离子透镜聚焦后束斑形状与沿光轴飞行相同，轰击至样品靶的目标区域；调整通道中设有多偏转板...
    2025-12-07
  • 一种晶圆的清洗干燥方法及装置
    一种晶圆的清洗干燥方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511106481.9
    本发明提供了一种晶圆的清洗干燥方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：将晶圆浸没于清洗液中保持预设时间；以第一速度向上提拉晶圆；以第二速度继续向上提拉晶圆，第二速度为根据对所述晶圆表面液膜的实时测量结果动态确定的提拉速度；以第一速度...
    2025-12-07
  • 用于形成具有低漏电流的含硅硼膜的方法
    用于形成具有低漏电流的含硅硼膜的方法_应用材料公司_202511109182.0
    提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体...
    2025-12-07
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511478213.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括基底和位于所述基底上的光阻结构，所述光阻结构包括暴露所述基底的开口，所述开口包括靠近所述基底一侧的第一部分和远离所述基底一侧的第二部分，沿垂直射入所述基底的表面的方向上，所述第一部分...
    2025-12-07
  • 晶圆键合方法
    晶圆键合方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511471726.8
    本申请涉及一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆后，将硅酸酯和醇溶剂的混合液采用旋涂工艺分别旋涂在所述第一晶圆和第二晶圆的待键合面；进行所述旋涂工艺后，将所述第一晶圆和所述第二晶圆分别静置处理，所述硅酸酯和醇溶剂的混合液发生反应，在...
    2025-12-07
  • 硼扩散方法、TOPCon电池及其制备方法
    硼扩散方法、TOPCon电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202511111025.3
    本申请公开一种硼扩散方法、TOPCon电池及其制备方法，升温至第一温度进行表面沉积维持第一预设时间可以在硅片表面沉积硼源物质作为后续硼原子向硅片内部迁移的硼源，随后降温至比第一温度更低的第二温度进行第二预设时间的扩散推进，实现硼原子向硅片内...
    2025-12-07
  • 制造半导体层的方法和晶体管
    制造半导体层的方法和晶体管_三星显示有限公司_202510313839.9
    本公开提供了制造半导体层的方法和晶体管。所述制造半导体层的方法包括：制备包括氧化硅的绝缘层；在所述绝缘层上形成金属掩模；在所述金属掩模上执行氧等离子体工艺；去除所述金属掩模；以及将所述绝缘层装载到腔室中以形成所述半导体层。
    2025-12-07
  • 厚铝制备方法、装置及机台
    厚铝制备方法、装置及机台_广东芯粤能半导体有限公司_202511139407.7
    本申请提供了一种厚铝制备方法、装置及机台，涉及半导体制造技术领域，本申请首先根据工艺要求确定待加工晶圆的工艺参数，根据工艺参数，确定工艺策略；最后根据工艺策略，对晶圆的金属层进行循环加工，直至达到循环次数，且每次的加工步骤包括光刻、刻蚀及去...
    2025-12-07
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