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  • 本发明提供了一种面向曲线式掩膜的光学邻近校正方法及相关设备,从目标布局文件中获取原始掩膜图案,原始掩膜图案包括多段曲线,并对原始掩膜图案进行初始化后提取每段曲线的初始端点,生成端点集;对原始掩膜图案进行仿真,得到梯度图,并基于梯度图得到亚分...
  • 本申请公开了一种基于分段贝塞尔的参数化曲线掩模OPC方法、设备、介质及产品,涉及半导体制造技术领域,该方法包括:对目标图形进行连续传输掩膜优化,得到带有辅助图形的CTM掩膜;再进行水平集优化,得到掩膜版图;对掩膜版图的轮廓抽稀后,用贝塞尔曲...
  • 本发明的实施例提供了一种用于晶圆边缘的曝光系统以及包含在该曝光系统中的光罩。此光罩包括框架、由该框架包围的开口、位于该框架下方的相位反转层以及位于该相位反转层下方的强度衰减层。相位反转层的内侧壁和强度衰减层的内侧壁暴露于此开口。相位反转层的...
  • 本公开提供了一种半导体结构、掩模板的图形设计方法及其系统和介质,该半导体结构包括:半导体层,包括具有伪结构区和器件区的管芯;光刻对准标记,位于伪结构区;以及套刻标记,位于伪结构区,并与光刻对准标记相邻,其中,套刻标记的图形生成规则由光刻对准...
  • 本发明提供一种光掩模坯料,其包括遮光膜,该遮光膜具有高遮光性能和由遮光膜提供的对SPM清洗的高耐性,该遮光膜包括保护层和遮光层,所述保护层设置在距离透明基板的最远侧、由含硅且不含过渡金属的材料形成,所述遮光层设置在保护层的透明基板一侧、由含...
  • 本发明涉及含金属的膜图案的形成方法。本发明的目的在于提供借由将经等离子照射的含金属的膜图案用于蚀刻掩膜而能够在被加工膜形成边缘粗糙度良好的图案的方法。在本发明中,提供一种图案形成方法,是在基板上形成图案的方法,其包括下列步骤:(I‑1)在形...
  • 本发明公开了一种微纳结构的制备方法及应用,制备方法包括:提供一子模板,子模板的材质为丙烯酸类材料;通过氧等离子体沿第一方向对压印结构的第一表面进行表面活化处理,以驱动至少部分厚度的所述压印结构的C=C双键氧化为羧基或C=C双键断裂;在衬底表...
  • 本申请公开了一种组合物及其制备方法、薄膜及显示面板,所述组合物包括硅烷偶联剂改性的散射粒子、量子点和光刻胶。本申请所述的组合物具有较高的储存稳定性。
  • 本发明的目的在于提供一种显影性及图案形成性优异、且波长转换效率优异的波长转换用感光性组合物、波长转换层、层叠体及显示装置。所述波长转换用感光性组合物,包含有机荧光粒子(A)、树脂(B)、聚合性化合物(C)及聚合引发剂(D),所述树脂(B)包...
  • 本发明公开了一种丙烯酸树脂光刻胶组合物及其制备方法和应用,所述光刻胶组合物以质量份计,包括30~60份感光树脂、10~30份脂环族环氧化合物、5~20份重氮萘醌光活性化合物;其中,感光树脂包括丙烯酸酯系单体来源的重复单元、苯乙烯系单体来源的...
  • 本发明提供能够形成保存稳定性良好的抗蚀剂图案的负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案的制造方法。本发明的负型抗蚀剂组合物含有树脂(A1)、产酸剂(B)和交联剂(E),树脂(A1)包含式(a2‑1)所示的结构单元和式(a2‑4)所示的结构单元,产酸剂(...
  • 本发明公开一种高柔韧性金属厚板蚀刻用负性光刻胶及其制备方法,属于光刻胶技术领域,本发明的负性光刻胶由主体油墨和丙二醇甲醚醋酸酯混匀得到;所述主体油墨由主体树脂、滑石粉、尼龙酸二甲酯、光引发剂混匀得到;所述主体树脂由树脂中间体、丙烯酸、三苯基...
  • 本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及一种超厚膜负性光刻胶及其制备方法和使用方法,旨在解决超厚膜负性光刻胶固化不完全,导致光刻胶图形形貌不佳,影响显影质量的问题。其技术方案要点是:包括如下重量比的原料:50‑80份丙烯酸树脂、3‑9份光引发剂、...
  • 本发明提供一种抗反射涂层、半导体结构及其制备方法,本发明的梯度交联密度的抗反射涂层包括:高交联底层,配置为与覆盖金属沉积层的疏水层接触形成交联,所述高交联底层的交联密度大于或等于90 %;低交联顶层,配置为与光阻层接触形成交联,所述低交联顶...
  • 本发明公开了一种光刻方法及光刻装置,属于量子芯片制备技术领域。该光刻方法中,将晶圆放置于工件的凹槽槽底面,晶圆远离槽底面的表面形成有光刻胶层,并将掩膜版的掩膜图形与晶圆对准后,放置掩膜版于工件具有凹槽的第一表面,对晶圆进行光刻。上述光刻方法...
  • 本发明公开了一种光刻方法及光刻装置,属于量子芯片制备技术领域。该光刻方法中,获得凹槽深度和基片厚度之差为目标芯片衬底厚度的基片,在凹槽的涂敷厚度小于凹槽深度的光刻胶层,并将掩膜版的掩膜图形和凹槽对准,对凹槽槽底进行光刻,得到目标芯片。上述方...
  • 本申请公开了一种量测线的生成方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:获取掩模版图和掩模版图的曝光显影图,掩模版图包括主图形和设置在主图形附近的至少一个第一辅助图形;基于曝光显影图和掩模版图,识别第一辅助图形在曝光显影图中是否存在额外显影图形...
  • 本发明提供了一种光罩感测总成的控制界面,包含有:一光罩形感测模块与一盒体。该光罩形感测模块具有一传感器与一储存器。该传感器用以感测该主体在模拟微影制程过程中的环境信息,并据以产生一侦测讯号,并储存于该储存器中;该盒体系供该光罩形感测模块放置...
  • 本申请公开了一种气浴发生器、防污染装置及光刻设备,涉及光刻设备相关技术领域,用于解决现有的气浴发生器的出气气流均匀性差的问题。本申请提供的气浴发生器包括环状本体,环状本体内形成有导入流道和导出流道,环状本体的径向外侧开设有进气口,环状本体的...
  • 本申请提出一种调节装置及调节方法。该调节装置包括:固定框架,包括沿第一方向相对而设的第一侧部和第二侧部,以及沿第二方向相对而设的第三侧部和第四侧部;第一支撑件,连接在第三侧部和第四侧部之间,并具有沿第一方向相对而设的第一侧和第二侧,第一支撑...
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