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  • 本申请提供了一种封装载板及其制作方法和封装结构。封装载板的制作方法包括:在基材的一侧制备牺牲层;开设贯穿牺牲层的至少一个开口,并对基材进行改性得到至少一个改性区域,开口在基材上的正投影至少部分覆盖改性区域;获取牺牲层中开口的位置,识别牺牲层...
  • 本发明公开一种DPC陶瓷基板及其制备方法,涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤:S1.在陶瓷基板表面通过磁控溅射依次沉积Ti层与Cu层,形成复合种子层;S2.在复合种子层上沉积Sn层;S3.将铜箔压覆于Sn层表面,制得覆有铜箔的陶瓷基...
  • 本发明属于芯片封装技术领域,具体涉及一种引线键合的扇出型封装结构的制备方法。在临时载体的表面制备临时键合胶层,在临时键合胶层上制备重布线层,将整体切割成条状结构,在每个条状结构的重布线层表面贴装和堆叠存储芯片形成芯片组,对芯片组打线,用塑封...
  • 本申请提供一种芯片封装结构及电子设备,涉及芯片封装技术领域,能够降低回波损耗。该芯片封装结构中包括芯片、多个第一键合线、至少一个第二键合线,还包括内部框架和多个外部引脚,或设置有表层走线的基板。其中,芯片设置在内部框架表面,多个外部引脚分布...
  • 公开了一种封装(100),包括:第一载体(102),包括部件安装区域(104);第二载体(106),包括至少一个引线区段(108);至少一个电子部件(109, 111),安装在所述部件安装区域(104)上;以及包封体(112),包封至少一个...
  • 公开了一种功率电子装置,其包括壳体内的一个或多个功率半导体管芯、电连接到一个或多个功率半导体管芯的多个端子、以及可压缩主体。每个端子具有在壳体的一侧暴露的接触端。第一端子被配置用于比所述端子中的其他端子更高的电势。可压缩主体是电绝缘的并且沿...
  • 本发明涉及功率器件制造技术领域,尤其涉及一种分立器件铜烧结压接装置及制备方法。本发明包括用于对器件进行压接的底座,底座的顶部装配有压接机构,压接机构包括容纳腔和固定装置。本发明通过纳米铜“低温烧结、高温服役”特性,使TO247‑3L封装焊料...
  • 本申请提出了一种半导体封装结构及制作方法,涉及器件封装技术领域。本申请提供的半导体封装结构包括第一芯片、绝缘保护层、绝缘粘结层和封装框架。第一芯片包括衬底和芯片本体。芯片本体设置于衬底的一侧。绝缘保护层通过热固性树脂组合物的固化反应形成并连...
  • 本申请提供了一种低杂感半桥功率模块,包括:基板、功率芯片、连接件、功率端子、信号端子和塑封体;功率芯片包括沿基板的长度方向间隔设置的上桥芯片组和下桥芯片组;功率端子包括位于基板的第一条短边处的输出端,以及位于基板的第二条短边处的正极输入端和...
  • 本申请提供了一种多芯片并联式功率模块,包括:基板、功率芯片、连接件、功率端子、信号端子和塑封体;功率芯片设置在基板上,包括沿基板的长度方向间隔设置的上桥芯片集合和下桥芯片集合,上桥芯片集合和下桥芯片集合均包括沿基板的宽度方向间隔设置的两列芯...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种垂直打线的存算一体扇出型封装结构及其制备方法。本发明通过在扇出型封装结构中引入垂直打线与铜柱相结合的混合垂直互连方式,在不采用硅通孔或硅中介层的情况下,实现了计算芯片与存储芯片的高密度三维集成,有...
  • 本申请实施例提供的一种基板及其制备方法、芯片载板,基板用于芯片载板中,基板包括本体部、渗透部以及导电部,本体部具有开孔,开孔具有侧壁和端壁,侧壁位置处具有导电性;渗透部具有导电性,渗透部设置于开孔中且至少部分渗透于端壁中以使端壁具有导电性;...
  • 本发明提出了一种多孔径通孔的玻璃基板,包括:玻璃芯层;贯穿所述玻璃芯层的通孔,其中至少部分通孔的孔径大于100 μm;所述通孔包含多个间隔设置的微孔区和隔离区,其中:微孔区,所述微孔区被金属填充,微孔区孔径小于通孔孔径,且小于等于100um...
  • 本公开提供一种封装载板及其制备方法,该封装载板包括载板主体和布线结构。载板主体包括彼此相对的第一主表面和第二主表面,载板主体内设有至少一个空腔,空腔位于第一主表面和第二主表面之间。布线结构包括第一布线层、第二布线层和中间布线层,第一布线层设...
  • 本发明揭示了一种基于封装基板的半嵌入式线路结构及其制作方法,线路结构包括:第一介电层,包括第一面和第二面,所述第一面和第二面相对设置;第一金属布线层,设置于所述第一介电层,所述第一金属布线层包括贯穿型金属结构和凹陷型金属结构;所述贯穿型金属...
  • 本发明公开一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法,涉及SiC功率模块领域。该嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法包括:嵌入式外壳,嵌入式外壳的内布置有若干个独立腔室,独立腔室嵌入散热底座,散热底座的顶部固定连接AMB衬底,该嵌入式外壳的S...
  • 本发明提供一种集成电压调节模块的扇出型封装结构及其制备方法,包括重新布线层、电压调节模块、电连接部件、负载芯片、焊料连接结构和第一填充层,重新布线层包括于其第一主面显露的金属布线;电压调节模块包括VR芯片和集成电感,VR芯片通过贯穿其中的T...
  • 本申请提供了一种封装结构及电子设备。封装结构包括:第一基板,包括相对设置的第一侧和第二侧;第二基板,位于第一侧,第二基板设有至少一个第一凹槽,第一凹槽贯穿第二基板;第三基板,位于第二侧,第三基板设有至少一个第二凹槽,第二凹槽贯穿第三基板。本...
  • 本申请提供了一种转接板及其制备方法、封装结构,该转接板包括:基板;具有相对设置的第一表面和第二表面;保护膜,位于第一表面,保护膜包括至少一个第一通孔,第一通孔贯穿保护膜和基板;至少一个导电柱,导电柱至少部分填充第一通孔;至少一层第一布线层,...
  • 本发明涉及封装基板领域,特别涉及一种光敏性绝缘介质封装基板及其制作方法。所述封装基板包括基板第一表面和基板第二表面,所述基板第一表面和基板第二表面之间含有绝缘介质,所述绝缘介质为光敏材料;所述基板第一表和基板第二表面之间布有一层或多层线路层...
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