Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种基于微纳褶皱铜箔的锌离子电池集流体制备方法无负极锌离子电池
    一种基于微纳褶皱铜箔的锌离子电池集流体制备方法无负极锌离子电池_上海理工大学_202511904300.7
    本发明涉及一种基于微纳褶皱铜箔的锌离子电池集流体制备方法无负极锌离子电池，步骤1：制备微纳褶皱铜箔；步骤2：将具有均匀微纳褶皱结构的铜箔作为锌离子电池集流体并在10~15mA/cm²的电流密度下，得到锌离子的均匀沉积。本发明解决了锌离子电池...
    2026-05-06
  • 一种带钢电解除鳞装置及方法
    一种带钢电解除鳞装置及方法_河北赛强冶金重工机械有限公司_202511953954.9
    本发明涉及钢件表面处理技术领域，提出了一种带钢电解除鳞装置及方法，包括除鳞设备和电解槽，电解槽位于除鳞设备的出口侧，除鳞设备包括机箱；第一张力辊组转动设置于机箱进口处；第二张力辊组，转动设置于机箱出口处，第一张力辊组和第二张力辊组在转动后具...
    2026-05-06
  • 晶圆退镀设备和方法
    晶圆退镀设备和方法_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202610209522.5
    本公开提供了一种晶圆退镀设备和方法，设备包括电镀腔、阳极模块、晶圆夹具、电流密度调节模块、控制器、电源模块和电源切换模块；电源模块包括脉冲电源和直流电源；阳极模块包括若干个相互绝缘的电极板，每个电极板包括若干个相互绝缘的阳极分区；控制器用于...
    2026-05-06
  • 一种升级再造锂离子电池单晶正极材料的方法
    一种升级再造锂离子电池单晶正极材料的方法_北珂新能源(河北)有限公司_202511980537.3
    本发明提供了一种升级再造锂离子电池单晶正极材料的方法，涉及废锂电池正极再生工艺技术领域。包括废NCA多晶正极材料获取步骤，低温水热反应步骤，低温焙烧步骤，高温焙烧步骤，和低温回火补锂焙烧步骤。在剔除表面铝杂质的同时，利用低温水热技术精准调控...
    2026-05-06
  • 一种单晶磷酸铁锂及其制备方法和应用
    一种单晶磷酸铁锂及其制备方法和应用_广东兆瑞新能源技术有限公司_202511909222.X
    本发明公开了一种单晶磷酸铁锂及其制备方法和应用，属于电池材料技术领域，方法包括以下步骤：S01利用双氧水处理回收磷酸铁锂正极片，分离集流体和活性成分料液，使活性成分料液和磷酸加热反应后，降温进行磷酸铁晶体陈化，过滤收集固体并洗涤，得到磷酸铁...
    2026-05-06
  • 一种基于程序化功能切换的硫酸钙晶须长径比精准调控方法
    一种基于程序化功能切换的硫酸钙晶须长径比精准调控方法_青岛惠城环保科技集团股份有限公司_202610008601.X
    本发明公开了一种基于程序化功能切换的硫酸钙晶须长径比精准调控方法，属于无机功能晶体材料制备技术领域。本发明突破传统的静态调控局限，首创“程序化吸附‑解吸功能切换”新机制。本发明利用氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为晶面吸附剂，构建初始生长抑制...
    2026-05-06
  • 一种二水硫酸钙晶须的制备方法
    一种二水硫酸钙晶须的制备方法_中铝山东有限公司_202512017529.5
    本申请涉及硫酸钙制备技术领域，尤其涉及一种二水硫酸钙晶须的制备方法。所述制备方法包括：将生石灰研磨，得到生石灰粉末；使用水将生石灰粉末活化，得到活化石灰浆；将盐酸和活化石灰浆中和反应，得到混合液；将混合液依次压滤和固液分离，得到氯化钙溶液；...
    2026-05-06
  • 一种方便定量加料的单晶硅生长炉
    一种方便定量加料的单晶硅生长炉_新疆晶品新能源有限公司_202511693681.9
    本申请公开了一种方便定量加料的单晶硅生长炉，包括底座、炉体、炉盖、连接室、副室、加热单元、坩埚单元、籽晶夹具、氩气供应单元、水冷单元以及加料室；加料室的顶端安装有顶盖，加料室内具有升降座和料筒。本申请的单晶硅生长炉，具有副室和加料室，从而料...
    2026-05-06
  • 立方碳化硅单晶的制备方法
    立方碳化硅单晶的制备方法_中国科学院物理研究所_202511736043.0
    本发明提供一种立方碳化硅单晶的制备方法，其包括以下步骤：(1)将助溶剂置于石墨坩埚中并对生长炉抽真空，然后通入气体以控制生长炉内的气压；(2)加热所述石墨坩埚至助溶剂完全熔化以形成熔体，并达到SiC的生长温度；(3)下推生长炉内的石墨提拉杆...
    2026-05-06
  • 直拉法单晶硅制备方法以及系统
    直拉法单晶硅制备方法以及系统_上海超硅半导体股份有限公司_202511917499.7
    本发明提供一种直拉法单晶硅制备方法与配套生长系统。所述直拉法单晶硅制备方法，在化料结束后执行安定处理步骤，所述安定处理步骤包括磁场关闭阶段与磁场开启阶段，两个阶段石英坩埚的升降移动轨迹相同且旋转方向相反。上述技术方案在化料后设磁场关闭与开启...
    2026-05-06
  • 一种拉晶炉及其控制方法、计算机可读存储介质
    一种拉晶炉及其控制方法、计算机可读存储介质_上海新昇半导体科技有限公司_202512022461.X
    本发明提供了一种拉晶炉及其控制方法、计算机可读存储介质，拉晶炉包括炉体、保温单元、导流筒、导流筒升降杆和绝缘件；炉体上设接合孔；保温单元在炉体内；导流筒在炉体内，并至少部分地位于保温单元的上方，导流筒与保温单元的上端接触或与保温单元分离；导...
    2026-05-06
  • 一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉
    一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉_上海新昇半导体科技有限公司_202610070294.8
    本发明提供一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉，晶棒断线处理方法包括以下步骤：响应于晶棒断线报警信号，确认启动自动回熔；根据预设的工艺配方，自动调整所述直拉单晶炉的回熔工艺参数，以执行回熔操作；基于传感器信号与时间维持的双重判定机制，确保...
    2026-05-06
  • 一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质
    一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质_天津中环领先材料技术有限公司_202511970298.3
    本申请公开了一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质，属于半导体制造技术领域。拉晶控制方法包括：首先获取单晶的当前熔区边界参数；然后基于当前熔区边界参数与单晶肩部长度的基准映射关系，确定当前基准参数；然后基于当前熔区边界参数与当前基准参数，确...
    2026-05-06
  • 一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法
    一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法_南京大学_202511887921.9
    本发明公开了一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法，包括以下步骤：通过图像采集设备实时采集晶体生长过程中晶体与熔体界面的视频图像；对采集的图像进行预处理并提取有效特征；基于双阈值分割图像，确定精确识别范围与识别准确度，结合极...
    2026-05-06
  • 一种碳化硅晶体生长炉和方法
    一种碳化硅晶体生长炉和方法_宁夏鑫晶盛电子材料有限公司_202511756872.5
    本申请涉及半导体长晶技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和方法，一种碳化硅晶体生长炉，包括：炉体；加热器；以及坩埚，所述坩埚包括：坩埚本体，所述坩埚本体内部具有反应腔，所述坩埚本体的底部用于容置碳化硅原料；盖体，所述盖体盖设于所述坩埚本...
    2026-05-06
  • 碳化硅晶体生长炉和方法
    碳化硅晶体生长炉和方法_宁夏晶创智能装备有限公司_202511759010.8
    本申请涉及半导体晶体生长技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和方法。一种碳化硅晶体生长炉包括：炉体；加热器；以及坩埚，坩埚包括：坩埚本体内部具有反应腔，坩埚本体的底部用于容置碳化硅原料；盖体用于连接碳化硅籽晶；扩径单元从盖体向下延伸且呈...
    2026-05-06
  • 碳化硅单晶生长扩径装置及方法
    碳化硅单晶生长扩径装置及方法_宁夏创盛新材料科技有限公司_202511759030.5
    本申请提供了一种碳化硅单晶生长扩径装置及方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，解决了现有技术晶体扩径生长气氛的量难以控制的问题。本申请的碳化硅单晶生长扩径装置包括坩埚、盖体以及长晶引导组件，盖体与坩埚顶部可拆卸连接，盖体上设有第二籽晶区，第二籽...
    2026-05-06
  • 一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法
    一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法_山东力冠微电子装备有限公司_202511922144.7
    本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法，包括外壳，外壳的内部固定安装有保温筒，保温筒的内部设置有坩埚和坩埚盖，坩埚盖设置在坩埚的顶部；控制组件用于精准调节坩埚和坩埚盖内部温度，控制组件与外壳和保温筒...
    2026-05-06
  • 一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法
    一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法_山东力冠微电子装备有限公司_202511933324.5
    本申请提供了一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，属于半导体加工技术领域，技术方案为，一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，包括如下步骤，分别对石墨盘和SiC籽晶的粘接面进行预处理；将涂胶后的SiC籽晶与石墨盘对位，置于...
    2026-05-06
  • 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法
    一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法_江苏芯恒惟业电子科技有限公司_202511942493.5
    本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，具体涉及一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法。所述生长方法具体包括下述步骤：S1：种晶预处理与位错显形筛选；S2：低过饱和度愈合缓冲层生长；S3：轴向和径向梯度热场诱导位错弯折；S4：主生长期中的周期性气氛...
    2026-05-06
首页 上一页 12 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证