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  • 本申请提供一种蓄电池流转全周期管理方法及系统,其中,本申请通过首先获取批次数据、环境监测数据、路径节点数据、实时状态参数以及物理检测指标;然后基于批次数据中电解液配比参数与极板厚度参数,动态关联实时状态参数中的充放电循环次数与电压衰减率,生...
  • 本发明公开了一种高安全的复合锰系圆柱锂离子电池的制备方法,包括:步骤一、将活性材料、导电炭黑、碳纳米管、聚偏氟乙烯、N‑甲基吡咯烷酮按一定比例混合;步骤二、将人造石墨、导电炭黑、羧甲基纤维素钠、丁苯橡胶、去离子水按一定比例混合;步骤三、通过...
  • 本发明提供了一种保护层、硫化物全固态电池及其制备方法和应用。现有技术中的锂金属负极与硫化物电池直接接触后组装的电池,无法正常运行,这是因为因为锂枝晶嵌入到电解质里导致第一圈短路的发生。与未设置有保护层的锂金属负极的硫化物全固态电池相比,本发...
  • 本发明为一种提升3D打印电池性能的方法。该方法在3D打印浆料中加入锂盐作为预锂化剂,采用活性物质材料作为基体,将预锂化剂均匀混合到有机溶剂中制备适用于3D打印的活性物质浆料,得到了适用于3D打印的墨水组成配比,通过墨水直写技术制备得到具有预...
  • 本发明涉及一种用于钠离子电池的非水电解液及其应用,所述非水电解液的组分包括电解质、有机溶剂、第一添加剂和第二添加剂;所述第一添加剂的化学结构如式Ⅰ所示;所述第二添加剂的化学结构如式Ⅱ所示。本发明所涉及的非水电解液创造性地在体系中添加特定结构...
  • 本申请属于二次电池技术领域,公开了一种锂离子二次电池。所述锂离子二次电池包括正极片和负极片,负极片中的负极活性材料包括硅碳材料和石墨,以负极活性层的质量为基准计硅元素的含量C为1%~20%;正极片中的正极活性层包括钴酸锂和固态电解质,固态电...
  • 本发明公开了一种高能量密度圆柱磷酸铁锂6.3Ah电池,包括:正极极片;负极极片;隔离膜;电解液;所述负极膜片中的负极活性材料包括石墨及硅碳两相掺混,占比为95.7%,克容量为450mAh/g;所述负极膜片的面密度为17.87mg/cm
  • 本申请提供了一种电化学装置和电子装置,电化学装置包括正极极片、负极极片和隔膜,正极极片和隔膜之间设置有功能层,功能层包括多孔气凝胶和相变吸热材料,多孔气凝胶的导热系数为0.01W/(m·k)至0.05W/(m·k)。多孔气凝胶包括硅气凝胶、...
  • 本申请涉及有机液流电池技术领域,公开了一种高能量密度的有机液流电池,包括正极电解液、负极电解液、电解质溶液、离子交换膜及电极材料,所述正极电解液包含正极活性物质,其化学结构式为C14H8F
  • 本发明属于钠离子电池领域,具体涉及了一种双金属元素掺杂改性的O3型钠离子电池正极材料,由双位掺杂改性。所述钠离子电池正极材料的化学式为NaNi0.5‑xAxMn0.5‑yB<...
  • 本发明属于负极材料技术领域,具体公开了一种结构‑储能一体化碳纤维负极材料及其制备方法。所述方法包括将负极活性材料、导电剂、粘结剂进行混合研磨,得到浆料;将浆料涂覆在改性碳纤维基底上,得到结构‑储能一体化碳纤维负极材料;粘结剂包括聚丙烯酸、羧...
  • 本发明公开了一种电池极片热封方法,包括提供电池,电池包括电池主体和极耳;提供铝塑膜,铝塑膜开设有第一冲坑与第二冲坑,第一冲坑与电池主体形状相匹配,第二冲坑与极耳相匹配;将电池主体放置于第一冲坑中,极耳放置于第二冲坑中;将极耳与铝塑膜进行压紧...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种电磁屏蔽结构及其封装方法,包括:设置在基板上的金属隔离层,基板上至少设有两个芯片主体,芯片主体的至少一侧设有金属隔离层;金属隔离层上设有支撑体,金属隔离层通过支撑体抵抗封装过程中封装材料的流动冲击。在进行...
  • 本发明公开了一种自热驱动发汗冷却层板式热沉结构,属于功率密集型电子设备散热领域,包括:集液腔体,集液腔体顶部从下至上依次设置有第一分流板、第二分流板、第三分流板、发汗层板以及回流腔体;该结构在第一分流板、第二分流板、第三分流板以及发汗层板上...
  • 本发明公开了一种基于含能薄膜的芯片物理自毁封装结构及控制方法,封装结构包括封装壳体、自毁执行模块、控制开关模块、静电疏导模块及系统电路;封装壳体包括封装壳体底座和封装顶盖;封装顶盖内沉积第一含能薄膜;控制开关模块包括绝缘层、导流层、控制层和...
  • 本发明涉及一种兼容多形态尺寸的Ring环载具,包括对称间隔布设的侧板,两侧侧板间隔之间的两端对称安装有支撑组件,单组支撑组件包括从上至下依次布设的上支板、中支板、下支板,两个下支板之间的距离小于两个中支板之间的距离,两个中支板之间的距离小于...
  • 本发明提供了一种半导体芯片封装装置及封装工艺,属于半导体芯片封装技术领域。该一种半导体芯片封装装置包括支撑架,所述支撑架上设置有上模和下模,所述支撑架上设置有封装机构,所述封装机构包括固定座、换向阀和第一气管,所述固定座设置有两个,两个所述...
  • 本发明提供一种AlScN薄膜结构的清洗方法、形成方法及半导体结构,清洗方法包括:提供衬底,所述衬底上形成有AlScN薄膜结构,所述衬底已完成去胶工艺;使用弱碱性或中性清洗液对所述衬底进行去胶后清洗。本申请使用弱碱性或中性清洗液,特别是RCA...
  • 本发明属于高功率微波技术中的微波源技术领域,具体涉及一种基于超材料的紧凑型全腔提取相对论磁控管;与基于超材料谐振结构的传统全腔提取相对论磁控管相比,基于超材料谐振结构的紧凑型全腔提取相对论磁控管在阳极后方引入了微波传输区,并且在微波传输区也...
  • 本申请涉及一种交直流接触器控制电路及接触器,其涉及接触器控制领域,本申请的交直流接触器控制电路包括交直流电源模块、电压检测模块、励磁控制模块、合闸维持模块和驱动输出模块,交直流电源模块通过外部驱动电源接口与外部驱动电源相连接,电压检测模块与...
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