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  • 本发明涉及材料科学技术领域, 且公开了一种耐盐雾防锈剂, 其原材料及其质量分数为:石油磺酸钡10%~30%;石油磺酸钠5%~15%;十二烯基丁二酸3%~10%;二壬基磺酸钡8%~20%;石油磺酸镁5%~12%;苯并三氮唑0.5%~3%;N肌...
  • 本发明涉及一种用于选择性地蚀刻含银(Ag)金属膜的组合物及其制备方法, 可防止下部膜的损坏、残渣及污痕并选择性地蚀刻含银或银合金的单一膜、或含所述金属膜及铟氧化膜的多层膜。
  • 本发明涉及蚀刻液技术领域, 具体的, 涉及一种双剂型蚀刻液。包括主剂和辅剂, 按重量百分比计, 所述主剂包括第一蚀刻剂10‑15%、第一调节剂0.5‑1%、第一稳定剂1‑5%、第一络合剂8‑12%、第一抑制剂0.05‑0.3%、双氧水10‑...
  • 本发明涉及印刷电路技术领域, 具体涉及一种显示器线路板的腐蚀加工工艺及装置, 显示器线路板的腐蚀加工装置包括底座、两个导杆、两个第一滑块、腐蚀池、晃动组件、升降组件、移动组件和两个挂杆;所述晃动组件包括支架、第一电机、转轴、转盘和连杆;使用...
  • 本发明公开了一种耐高电位腐蚀复合涂层及其制备方法与应用。所述耐高电位腐蚀复合涂层包括依次形成于作为基体的金属双极板表面的金属过渡层、类石墨非晶碳层和SnO2封孔层;其中, 所述SnO2封孔层通过原子层沉积的方式制备得到。本发明提供的耐高电位...
  • 本发明提供了一种复合铜箔的制备方法, 包括以下步骤:S1)在高分子聚合物基膜表面制备金属薄膜, 得到粘附层;S2)利用磁控溅射方法在所述粘附层表面溅射铜;S3)将步骤S2)得到基膜在电镀液中进行电镀, 以在所述基膜的表面形成电镀层;S4)将...
  • 本发明公开了一种球阀球芯表面耐磨涂层的制备方法, 属于耐磨涂层技术领域。该制备方法具体包括以下步骤:(1)对球芯表面进行喷砂, 超声清洗, 干燥, 备用;(2)将聚乙二醇和乙醇混合, 球磨, 得到聚乙二醇溶液;(3)将水基硅溶胶和聚乙二醇溶...
  • 本申请提供了一种铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体。在铜类材料表面或表面上具有第一表面处理层, 在铜类材料与第一表面处理层之间设置有第二表面处理层;第一表面处理层是由含有苯乙烯‑丁二烯‑丙烯酸系共聚物和具有乙烯基硅烷化合物的共聚物A、其...
  • 本发明的目的在于提供密合性和耐热性优异的铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体。本发明的铜类材料在上述铜类材料的表面或表面上具有第一表面处理层、在上述铜类材料与上述第一表面处理层之间具有第二表面处理层, 上述第一表面处理层是由第一剂形成的层...
  • 本发明涉及非晶态TiC陶瓷技术领域, 具体涉及一种基于非晶态TiC陶瓷耐磨涂层的耐磨板及其堆焊工艺, 包括以下重量份原料:20‑40份多元粉、70‑80份Ti粉、20‑30份C粉;其中, 多元粉的制备工艺, 包括以下步骤:步骤1:通过溶胶凝...
  • 本发明涉及零件制造技术领域, 具体涉及一种基于激光减材预处理的激光熔覆方法。所述激光熔覆方法包括以下步骤:S1.使用第一激光对目标物的当前层进行激光抛光;S2.使用第二激光对抛光后的当前层表面进行激光减材, 使当前层表面上形成微结构;S3....
  • 本发明公开了一种铝散热器表面金属粉末冷喷涂生产线及其控制方法, 属于金属表面处理技术领域。包括上料输送线、上下料机械手、双称重系统、双冷喷系统、监控系统、下料输送线及中央控制系统, 上料输送线和下料输送线平行布设于双称重系统一侧, 上下料机...
  • 本发明涉及金属表面处理技术领域, 尤其涉及一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法。本发明的硅烷纳米陶瓷覆膜剂是采用硅烷技术开发出的适用于浸渍、喷淋法等处理方法的无磷皮膜金属处理剂, 能在金属表面生成一层难溶的纳米级转换膜。无有害重金属离子, 不...
  • 本发明提供了一种贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法。该贴膜设备中的压膜本体具有第一压合面和第二压合面, 第一压合面和待贴膜基片内的凹槽底表面相匹配, 第二压合面和凹槽之外的第一表面相匹配, 从而可利用该压膜本体一次性对基片上的至少凹槽底...
  • 本发明提供一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备, 涉及半导体技术领域。该薄膜沉积方法包括:沉积步, 对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后, 关闭高频射频功率, 保持开启低频射频功率, 并停止通入硅源气体;修复步, 提升低频射频功率运行...
  • 本发明公开了一种垂直式等离子体增强低压Mist‑CVD装置, 属于半导体装备技术领域, 所述装置包括:反应腔室1、真空控制和尾气处理模块50、雾化源供应模块51、等离子体激发模块52和气体供应模块53。本发明提出的装置结合了低压环境和射频等...
  • 本发明涉及氟化保护膜的形成方法、其形成装置及气体流路设置组件, 可以利用包含CF4反应气体的工艺气体并通过特定处理条件的等离子体热处理在作为半导体沉积工艺设备中气体流路设置组件的喷淋头的表面及孔中形成稳定的AlFx保护膜, 尤其可以进一步调...
  • 本发明公开一种等离子体混合沉积系统, 包括沉积腔体, 用于提供沉积环境;进气口, 设置在沉积腔体上, 用于通入沉积材料气体;等离子体发生单元;加速沉积单元;样品承载单元;出气口, 位于沉积腔体上, 用于排出气体;出气控制阀门, 设置在出气口...
  • 本发明的非晶硅薄膜的制备方法包括:在硅衬底上生长二氧化硅薄膜;在所述二氧化硅薄膜的表面形成纳米孔阵列层;在所述纳米孔阵列层上生长非晶硅薄膜;以及对所述非晶硅薄膜进行退火处理。该方法制造难度低、工艺简单、成本低, 提高生长速度和生长均匀性, ...
  • 本发明提供了一种承载盘及薄膜沉积设备, 涉及半导体技术领域。承载盘的盘体内部设置有冷却腔室, 且冷却腔室的体积V1和盘体的体积V2, 存在V1≥V2×50%的关系, 冷却腔室内充满冷却介质, 使承载盘的热场能够更大程度的由冷却介质来主导, ...
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