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最新专利技术
  • 三维堆叠结构及其制造方法
    三维堆叠结构及其制造方法_长电微电子(江阴)有限公司_202510823737.1
    本发明提供一种三维堆叠结构及其制造方法， 本发明采用具有有机介质层的第一互连层与第二互连层作为堆叠单元之间的键合层， 进行有机混合键合， 三维堆叠结构的堆叠单元之间的空隙、互连层的导电线路中的导电结构的关键尺寸及间距均较小， 因此可以做到更...
    2025-12-01
  • 一种用于集成式微型电源模块的封装设备
    一种用于集成式微型电源模块的封装设备_深圳市银联宝电子科技有限公司_202510793456.6
    本发明涉及半导体封装技术领域， 具体为一种用于集成式微型电源模块的封装设备， 包括工作台， 所述工作台的上端固定连接有操作支架， 所述操作支架的内侧安装有用于移动芯片与基板并对其进行清洁预处理的定位机构， 所述操作支架的上端安装有用于完成芯...
    2025-12-01
  • 一种半导体封装工艺
    一种半导体封装工艺_烟台德邦科技股份有限公司_202510734930.8
    本发明属于半导体封装技术领域， 具体涉及一种半导体封装工艺， 具体包括以下步骤：S1、根据产品的封装尺寸确定芯模尺寸并裁切芯模；S2、制备封装治具：将步骤S1制备的芯模固定放置在容器中， 向容器中填充治具材料， 放入烘箱中固化， 待治具材料...
    2025-12-01
  • 射频前端模组及其制造方法
    射频前端模组及其制造方法_深圳飞骧科技股份有限公司_202511141474.2
    本发明涉及无线通讯技术领域， 提供了一种射频前端模组及其制造方法， 制造方法包括以下步骤：在第一晶圆的正反相对两面均设有多个第一铜柱， 在第一铜柱远离第一晶圆的两侧设有第一锡球， 将多个第一铜柱分别通过多个过孔实现电连接；在第二晶圆的背面设...
    2025-12-01
  • 一种功率组件的制造方法及高效散热的功率组件封装结构
    一种功率组件的制造方法及高效散热的功率组件封装结构_惠州市广大碳基半导体有限公司_202510894943.1
    本发明提供了一种功率组件的制造方法及高效散热的功率组件封装结构， 属于半导体技术领域。该功率组件的制造方法包括：将芯片固定于导热载板， 并将芯片与导热载板的引脚通过导线连接；在导热载板背离芯片的一侧溅镀绝缘薄膜；对溅射绝缘薄膜后的导热载板进...
    2025-12-01
  • 一种石墨烯微纳腔TIM膜及其制备方法
    一种石墨烯微纳腔TIM膜及其制备方法_广东墨睿科技有限公司_202510955297.5
    本申请提供一种石墨烯微纳腔TIM膜的制造方法， 至少包括以下步骤：1)第一次涂布， 将氧化石墨烯浆料涂布在基材上获得一次涂布膜；2)沿着一次涂布膜厚度方向施加下压力制造非穿透的凹槽， 进行第一次干燥处理， 将一次涂布膜干燥至其厚度为干燥前的...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件的刻蚀方法
    一种半导体器件的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812423.1
    本发明涉及半导体器件的制造技术领域， 具体涉及一种半导体器件的刻蚀方法， 半导体器件具有层叠结构， 层叠结构包括交替设置的沟槽和鳍部；鳍部的顶端、沟槽的侧壁面和沟槽的底壁面沉积有金属氧化物层；刻蚀方法包括以下步骤：第一刻蚀步：在氯基气体氛围...
    2025-12-01
  • 一种p型氧化镓材料的制备方法
    一种p型氧化镓材料的制备方法_泉州师范学院_202511248986.9
    本发明属于半导体领域， 本发明公开了一种p型氧化镓材料的制备方法， 包括以下步骤：1)在氧化镓表面沉积掺杂层；2)将沉积掺杂层后的氧化镓置于保护气体氛围中， 加热升温至处理温度；3)达到处理温度后， 通入氮等离子体， 并用一维线条状激光对氧...
    2025-12-01
  • 一种p型氧化镓薄膜的制备方法
    一种p型氧化镓薄膜的制备方法_泉州师范学院_202511248972.7
    本发明属于半导体领域， 本发明公开了一种p型氧化镓薄膜的制备方法， 包括以下步骤：S1、在衬底上生长预处理层；S2、将生长预处理层后的衬底置于保护气体氛围中， 加热升温至处理温度；S3、在氮等离子体氛围中， 用一维线条状激光对衬底进行辐照；...
    2025-12-01
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511212097.7
    本发明提供一种半导体结构的制备方法。制备方法包括如下步骤：提供基底， 基底包括衬底、垫氧化层和至少一个沟槽组， 沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽， 垫氧化层形成于衬底的表面， 第一沟槽和第二沟槽设置于衬底内且上部贯穿垫氧化层；在第一沟槽的侧壁上...
    2025-12-01
  • 一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法
    一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511261592.7
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及一种防止氧硅基底损伤的PI结构片的刻蚀方法。本发明对PI结构片刻蚀时前期使用F基气体进行主刻蚀， 利用OES装置抓取到PI薄膜厚度仅剩10%时， 将工艺气体由F基气体切换为O2， 由于O2可以与PI薄膜及...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件的刻蚀方法
    一种半导体器件的刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812356.3
    本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法， 半导体器件包括从下至上依次设置的层叠结构、底部抗反射层和掩膜层；刻蚀方法包括以下步骤：提供第一刻蚀气体， 第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和保护气体， 确定主刻蚀气体和保护气体的气体比例；第一刻蚀步：在第一刻...
    2025-12-01
  • 深硅刻蚀方法及半导体工艺设备
    深硅刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812231.0
    本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括第一循环步骤和第二循环步骤， 第一循环步骤和第二循环步骤均包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的沉积步，...
    2025-12-01
  • 一种精细可控图形化GaN阵列的制备方法及GaN阵列
    一种精细可控图形化GaN阵列的制备方法及GaN阵列_安徽大学_202510735962.X
    本发明公开了一种精细可控图形化GaN阵列的制备方法， 包括以下步骤：S1、在半导体衬底上制备图形化的GaN外延片；S2、对图形化的GaN外延片进行ICP刻蚀；所述刻蚀气体为Cl2与BCl3的混合气体， 通过调节RF功率和ICP功率， 实现不...
    2025-12-01
  • 一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法
    一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202510878695.1
    本发明涉及半导体制造技术领域， 具体为一种用于GaN纳米孔电化学腐蚀的外延层结构及电化学腐蚀方法， 从下至上依次包括：蓝宝石衬底；底部uGaN层， 未掺杂GaN， 厚度1‑2μm；电流扩散层， Si掺杂浓度1×1019/cm3， 厚度0.1...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410340336.6
    一种半导体结构及其形成方法， 方法包括：提供基底；在基底上形成初始外延层；在初始外延层内形成沟道槽；在沟道槽内形成初始沟道层， 初始沟道层的材料与初始外延层的材料不同；对初始沟道层和初始外延层进行刻蚀处理， 形成沟道层与外延层， 刻蚀处理对...
    2025-12-01
  • 生长锗硅外延薄膜的方法及半导体工艺设备
    生长锗硅外延薄膜的方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812325.8
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种生长锗硅外延薄膜的方法及半导体工艺设备。生长锗硅外延薄膜的方法包括：第一沉积步， 在硅基底上沉积锗过渡层；扩散步， 提升工艺温度， 以使锗过渡层与硅基底相互扩散， 形成锗硅过渡层；第二沉积步，...
    2025-12-01
  • 一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质
    一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质_珠海宝丰堂半导体股份有限公司_202511135588.6
    本发明实施例提供了一种全真空的光刻胶去除方法、设备及存储介质， 方法包括：通过所述晶圆取放单元将待处理晶圆从所述晶圆放置单元移送至所述去胶机构；通过所述去胶机构对所述待处理晶圆进行光刻胶去除后得到目标晶圆；通过所述晶圆取放单元将所述目标晶圆...
    2025-12-01
  • 一种刻蚀方法及半导体工艺设备
    一种刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812823.2
    本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域， 为解决金属硬掩模刻蚀工艺中容易在刻蚀材料层的顶部位置形成“颈缩”现象的问题而设计。该刻蚀方法包括提供半导体器件， 半导体器件包括依次层叠设置的刻蚀材料层、金属硬掩模层、氧化层...
    2025-12-01
  • 多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质
    多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质_全芯智造技术有限公司_202511221014.0
    本公开的实施例涉及多重图形化方法、电子设备及计算机可读存储介质。该方法包括：基于设计版图生成第一掩模， 设计版图中金属层的引线按照最小设计规则布置；基于设计版图生成第二掩模， 第二掩模中包括由各个引线扩展第一预定距离而生成的扩展区域， 扩展...
    2025-12-01
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