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  • 本申请公开了重组人分泌性蛋白, 以及包括这类蛋白的组合物和使用这类组合物的方法。本公开内容的方面包括微生物生成的人分泌性蛋白以及包含该蛋白的可食用和可饮用组合物, 例如包括这类蛋白的婴儿配方物。还公开了使用所公开的可食用和可饮用组合物来提供...
  • 本发明具体涉及含有中链甘油三酯(MCT)的颗粒状或粉末状负载组合物及其用途, 还涉及其生产方法。
  • 本发明整体涉及用于制备食物风味产品的挤出方法。更具体地, 本发明涉及用于制备食物风味产品的挤出方法, 其中至少一个通气填塞器位于挤出机料筒的总长度的最后2/3部分内。
  • 本发明的课题为提供一种分散性及溶解性优异的豆浆粉末的制造技术。本发明提供一种颗粒状豆浆粉末的制造方法, 所述制造方法包括:由原料豆浆得到满足规定条件的浓缩豆浆的浓缩工序;和通过喷雾造粒干燥由所述浓缩豆浆得到豆浆粉末的干燥工序。
  • 包含分离的非人β‑酪蛋白和分离的非人κ‑酪蛋白并且基本上不含αS‑酪蛋白的人造酪蛋白胶束的胶束溶液, 包括制备其的方法、凝结其的方法和包含其的组合物;由κ‑酪蛋白(无论磷酸化、去磷酸化或非磷酸化)、在含或不含β‑酪蛋白(无论磷酸化、去磷酸化...
  • 本发明涉及一种生产乳清脂质粉末的方法, 该乳清脂质粉末既具有高含量的生物活性组分诸如天然IgG和天然乳铁蛋白又同时具有使得该粉末可用于通过干燥共混生产例如婴儿配方产品粉末的足够的微生物品质。本发明还涉及富含乳清脂质的乳清衍生的粉末和使用该乳...
  • 本发明涉及包含以下的组合物:‑分离的内生菌, 其中所述内生菌是阿氏普里斯特氏菌的菌株, 和‑助剂, 其中所述阿氏普里斯特氏菌菌株具有登录号DSM 34352。
  • 本发明涉及组合物, 其含有:(a)胍和/或未取代的胍的盐, 和(b)选自下组的至少一种其它组分:5‑氯‑2‑甲基‑4‑异噻唑啉‑3‑酮, 2‑甲基‑4‑异噻唑啉‑3‑酮, 1, 2‑苯并异噻唑啉‑3‑酮, N‑丁基‑1, 2‑苯并异噻唑啉‑...
  • 一种用于在不使用合成或天然纤维、纤维性介质或多孔性介质的条件下, 从种子、幼苗、克隆体、根茎或幼株培育植物的装置及方法。所述装置包括柔性的非纤维性、非多孔性结构, 在植物生长过程中用于支撑种子、克隆体、植株或根茎, 同时在植物的根区与茎叶区...
  • 本申请提供一种封装结构以及终端。封装结构包括晶圆、设置在晶圆上的第一封装层以及设置在第一封装层上的焊球;焊球设有多个, 多个焊球间隔设置, 焊球底部设有第一连接部;晶圆内设有电路;第一封装层内设置有再分布层和第一电容结构;再分布层与电路电连...
  • 本发明属于电阻式随机存取存储器技术领域, 具体涉及一种二维材料电阻式随机存取存储器件的制备方法。本发明在衬底上表面通过光刻制备底电极凹槽, 在底电极凹槽中设置底电极, 得到嵌入式底电极片;然后在嵌入式底电极片上涂覆前驱体溶液, 通过热固化和...
  • 本发明提供了一种阻变存储器的刻蚀方法, 该阻变存储器的刻蚀方法包括:提供预设基底;其中, 预设基底包括自上而下依次排布的有机膜层、介质抗反射层和金属铱膜层;有机膜层去除步, 在刻蚀金属铱膜层之前, 向腔室内通入含氧气体, 以刻蚀去除有机膜层...
  • 本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件, 半导体器件具有层叠结构, 包括由下至上依次设置的下电极层、阻变层、上电极层、有机介质层和掩膜层;刻蚀方法包括:刻蚀有机介质层, 直至露出上电极层, 形成图形化的有机介质层;依次刻蚀上电极层和...
  • 本发明公开了一种磁存储与磁计算并行集成的工艺实现方法, 属于集成电路制造领域领域, 其具有步骤如下:S1、底电极构建与介电填充;S2、差异化MTJ堆栈构建, S3、双段分区退火;S4、后段互连与封装。本发明设提出全片轻量化堆栈沉积后定向刻蚀...
  • 本申请公开了一种基于Si‑SiC‑石墨烯衬底的POI衬底及其制备方法, 属于POI衬底制备技术领域。该方法包括下述步骤:(1)对Si衬底进行分步C离子注入, 得到依次包括薄膜层、注入层和余质层的晶圆注入片;(2)对支撑衬底进行退火修复, 再...
  • 本发明属于压电陶瓷加工领域, 公开一种压电叠堆粘接工装, 压电叠堆粘接工装包括:治具座组件, 用于承载叠堆式压电组件, 治具座组件上设有导向结构, 导向结构用于限定叠堆式压电组件沿第一方向放置;直线施压模组, 设于治具座组件的一侧, 具有能...
  • 本发明公开了一种压电元件极化设备, 涉及压电元件极化技术领域, 其中, 压电元件极化设备转盘和装载机构, 所述转盘的周向上沿第一方向依次分布有上下料工位、预热工位、极化工位, 装载机构固定于所述转盘的周缘, 所述装载机构配置为装载压电元件,...
  • 本发明属于热电半导体材料技术领域, 涉及一种碲化铋基热电材料及其制备方法与应用。本发明通过熔融摇摆、区域熔炼、破碎与压制、热挤压成型等制得Bi0.48Sb1.52Te3+3 wt%Te+x wt% Cu2Se, 0≤x≤0.1, 其室温载流...
  • 本发明涉及热电转换技术领域, 解决了现有的柔性热电器件在弯曲强度及拉伸性等方面的技术问题, 尤其涉及一种基于热电厚膜的柔性热电单元、热电器件及其制备方法, 通过热电厚膜材料与开槽铜电极结合加热焊接固化得到一组热电通道, 使用连接电极将多组热...
  • 本发明涉及热电能量转换技术领域, 公开了一种耐超低温柔性可卷曲一体式热电器件的制备方法及其应用, 所述制备方法包括采用浮式催化剂化学气相沉积法制备碳纳米管CNTas‑syn薄膜、将碳纳米管CNTas‑syn薄膜经纯化、氯磺酸处理和热处理, ...
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