Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 干电极制造装置
    干电极制造装置_三星SDI株式会社_202510431316.4
    干电极制造装置包括多个辊， 其通过将细粉末压延成自立膜而将细粉末层压到集流器上。多个修整刀对经过多个辊中的至少一个辊的自立膜的膜宽度进行调整。视觉部拍摄集流器的表面， 自立膜层压在该表面上。控制器基于层压到集流器的表面上的自立膜的膜宽度来控...
    2025-11-30
  • 用于制造干电极的装置、用于制造干电极的方法和由此制造的干电极
    用于制造干电极的装置、用于制造干电极的方法和由此制造的干电极_三星SDI株式会社_202510413658.3
    公开了用于制造干电极的装置、用于制造干电极的方法以及由此制造的干电极。所述装置包括：干混合物供应部， 其配置为供应包括电极活性材料、干粘合剂和干导电材料的干混合物， 其中所述干混合物供应部包括配置为调节通过其供应所述干混合物的开口的宽度的进...
    2025-11-30
  • 用于挤压电极板的设备和方法
    用于挤压电极板的设备和方法_三星SDI株式会社_202510215226.1
    提供用于挤压电极板的设备和方法。所述电极板包括在一个表面上涂覆有活性物质的涂覆部以及与所述涂覆部相邻的其上未涂覆活性物质的未涂覆部。所述设备包括：温度检测器， 被配置以检测所述未涂覆部的温度；感应加热退火(IHA)部， 被配置以对所述未涂覆...
    2025-11-30
  • 用于制造电池的装置和方法
    用于制造电池的装置和方法_三星SDI株式会社_202411090319.8
    本申请公开一种用于制造电池的装置和方法。该装置包括：测量模组， 被配置为在涂覆有涂覆材料的电极板被压辊压制的压制工艺中测量电极板的物理特性， 并且包括第一测量单元和第二测量单元；以及处理器， 被配置为分别从第一测量单元和第二测量单元接收压制...
    2025-11-30
  • 一种储能电池的制备方法及储能电池
    一种储能电池的制备方法及储能电池_好风光储能技术(成都)有限公司_202410414387.9
    本发明提供了一种储能电池的制备方法及储能电池。在该储能电池的制备方法中， 在多孔集流体的两面分别涂覆电极活性材料层用以形成电极片的挂浆基材， 挂浆基材经过预烘干、预辊压、烘干的步骤后， 进行裁剪以及包边， 在较厚的正极片的表层及内部形成微沟...
    2025-11-30
  • 电池极片结构、电池以及用电设备
    电池极片结构、电池以及用电设备_蜂巢能源科技股份有限公司_202510954794.3
    本申请涉及一种电池极片结构、电池以及用电设备， 属于动力电池的技术领域。它通过划分涂布料区与箔材留白区， 在多列涂布时采用极耳错位分布及共用留白区的结构， 优化边距和间距的参数范围， 从而减少箔材浪费并避免叠片干涉， 解决了相关技术中辊压褶...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411119445.1
    提供能够改善实施方式信号的传送特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板， 具有沿第一方向以及第二方向延伸的第一面；第一晶体管；受光元件；发光元件， 设于受光元件上；输入端子， 设于基板的第一面上；第一导电体， 将第一晶体管的源极电极...
    2025-11-30
  • 具有顶部支撑层的半导体元件及其制备方法
    具有顶部支撑层的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202410809018.X
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一底部电极， 位于该基板之上且包括一容器状轮廓；以及一顶部支撑层， 悬垂于该基板之上并连接到该底部电极。该顶部支撑层的一厚度和该底部电极的一厚度的厚度比介于大约3.0％至大约8....
    2025-11-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410481545.2
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法， 其中半导体元件包含一基底、一第一沟槽、一第二沟槽以及一电容结构。基底定义有一第一区， 第一沟槽设置于基底的第一区中且沿着第一方向延伸， 其中第一沟槽包含一第一槽部、一第一分隔部以及一第二槽部沿着第一方...
    2025-11-30
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410480657.6
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法， 其中半导体元件包含一沟槽、一电容结构以及一介电层。沟槽形成于一基底中， 电容结构设置于沟槽中， 电容结构包含一底电极层、一绝缘层以及一顶电极层， 底电极层设置于沟槽中以及基底的一顶表面上， 绝缘层设置...
    2025-11-30
  • 基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片
    基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片_上海交通大学_202410410782.X
    一种基于GaAs工艺的全可重构耦合器芯片， 包括：GaAs衬底、设置于其反面的金属底板和设置于正面的田字形电感阵列， 其中：田字形电感阵列的四个顶角分别设置端口电感和第一可变电容， 相应田字形电感阵列的四条边的中点设置第二可变电容并接地， ...
    2025-11-30
  • 受屏蔽导电器件、其形成方法及电子封装组件
    受屏蔽导电器件、其形成方法及电子封装组件_JCET星科金朋韩国有限公司_202410395956.X
    本申请提供一种受屏蔽导电器件、一种用于形成受屏蔽导电器件的方法以及一种电子封装组件。受屏蔽导电器件包括：电介质基底， 其具有顶部表面和底部表面， 以及在顶部表面与底部表面之间延伸的侧向表面；顶部导电垫和底部导电垫， 其分别形成于电介质基底的...
    2025-11-30
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司_202410392885.8
    本发明提供了一种半导体封装结构及其制造方法， 包括至少一个引线键合焊球， 所述引线键合焊球设置在引线键合焊垫上；至少一根引线键合线， 所述引线键合线的至少一端设置在所述引线键合焊球上；电磁屏蔽层， 所述电磁屏蔽层与所述引线键合线连接， 由此...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202510396639.4
    本发明涉及半导体测试装置的制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 所述半导体测试装置包括膜部， 所述膜部包括沿着第一面方向和所述第一面所相反的第二面方向的多个开口图案， 所述膜部包括：金属薄膜部， 其具有多个开口图案；以及绝缘层部，...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411793099.5
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 用于测试半导体的电连接， 该装置包括：第一膜部， 其包括第一面及所述第一面的相反面即第二面， 且在所述第一面上包括多个朝向所述第二面的多个第一开口图案；第二膜部， ...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411793089.1
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 其用于测试半导体的电连接， 第一膜部， 其沿着厚度方向包括多个第一开口图案；第二膜部， 其与所述第一膜部连接且沿着厚度方向包括多个第二开口图案；夹持部， 其包括中空...
    2025-11-30
  • 半导体测试装置及其制造方法
    半导体测试装置及其制造方法_悟劳茂材料公司_202411247075.X
    本发明涉及半导体测试装置及其制造方法。根据本发明一实施例的半导体测试装置， 其夹设在半导体存储器之间或者半导体存储器与插入件之间， 且用于测试电连接， 该半导体测试装置包括：膜部， 其在厚度方向上包括多个开口图案；以及夹持部， 其包括中空区...
    2025-11-30
  • 半导体测试结构及其形成方法
    半导体测试结构及其形成方法_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202410421688.4
    一种半导体测试结构及其形成方法， 其中形成方法包括：提供衬底， 所述衬底包括若干有源区；在各所述有源区上形成至少两个栅极结构；在所述衬底上形成介质层， 所述介质层覆盖所述栅极结构表面；在所述介质层内形成贯穿所述介质层厚度的导电插塞；在所述介...
    2025-11-30
  • 测试结构
    测试结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410407958.6
    一种测试结构， 包括：衬底；浮栅结构， 位于衬底上， 浮栅结构包括测试主体部、以及位于测试主体部端部且与测试主体部连接的延伸部， 测试主体部和延伸部均包括位于衬底上的第一隧穿层和位于第一隧穿层上的浮栅层；顶部介质层， 位于浮栅结构顶部；字线...
    2025-11-30
  • 测试单元及测试方法
    测试单元及测试方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410386831.0
    本申请公开了一种测试单元及测试方法， 属于半导体技术领域。本申请提出一种测试单元， 包括：仿制结构， 包括介质层， 层叠于介质层上的第一导电件和第二导电件间隔布置， 介质层形成有沿仿制结构的层叠方向延伸的接触孔， 第一导电件位于接触孔上方，...
    2025-11-30
首页 上一页 12 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证