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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410528477.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备， 涉及半导体技术领域。所述半导体器件包括：设置在衬底上的位线、字线， 以及多层沿垂直于所述衬底方向堆叠的存储单元阵列；所述位线垂直于所述衬底， 所述字线平行于所述衬底；还包括电容器， 所述电容器位于晶体...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410527633.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备， 半导体器件包括：一个或多个存储单元， 以及第一字线、第二字线、第一位线和第二位线；所述存储单元包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一栅极与所述参考电极相对设置且互相绝缘， 形成柱状结构；所述第一位线位...
    2025-11-22
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510028525.4
    本文提供半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：源极层， 该源极层与基板间隔开并且设置在基板的单元区域中；源极切割绝缘层， 该源极切割绝缘层与基板间隔开并且设置在基板的接触区域中；多个放电接触件， 该多个放电接触件贯穿源极切割绝...
    2025-11-22
  • 一种复合型浮栅存储器及其制备方法、以及数据存储方法
    一种复合型浮栅存储器及其制备方法、以及数据存储方法_深圳市城市公共安全技术研究院有限公司_202510930786.5
    本发明涉及半导体技术领域， 公开了一种复合型浮栅存储器及其制备方法、以及数据存储方法， 复合型浮栅存储器包括层叠的衬底层、浮栅层、绝缘介电层和沟道层；第一电极， 位于浮栅层背向衬底层一侧的部分表面， 绝缘介电层还覆盖第一电极背向浮栅层一侧的...
    2025-11-22
  • 存储器装置与其制造方法
    存储器装置与其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410511534.4
    一种存储器装置包含晶体管、第一金属层与第二金属层。晶体管包含栅极层、源极区域与漏极区域， 其中源极区域与漏极区域分别在栅极层的两侧。第一金属层在晶体管上， 其中第一金属层包含位元线， 电性连接晶体管的漏极区域。第二金属层在第一金属层上， 其...
    2025-11-22
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202511131327.7
    公开了一种半导体存储器装置， 该半导体存储器装置包括：位线， 其与外围电路层交叠；层间绝缘层和导电图案， 其在位线上沿第一方向交替地层叠；垂直沟道， 其连接至位线， 该垂直沟道贯穿层间绝缘层和导电图案， 该垂直沟道在第一方向上比层叠的层间绝...
    2025-11-22
  • 包括eDRAM单元的集成电路
    包括eDRAM单元的集成电路_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511048553.9
    本公开提供了一种集成电路， 包括：衬底、在衬底的一部分上的嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)单元、以及设置在衬底上的另一部分上的逻辑器件单元。衬底具有全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)结构， FDSOI结构包括在埋氧层上方的SOI层。eD...
    2025-11-22
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511017305.8
    提供一种半导体元件， 包括基板、导电触点、金属板、阵列结构以及多个电路结构。基板包含阵列部分以及邻近于阵列部分的多个电路部分， 其中阵列部分位于阵列区中， 以及此些电路部分位于多个电路区中。导电触点设置于基板上方。金属板设置于导电触点上方。...
    2025-11-22
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_南亚科技股份有限公司_202510956279.9
    本发明提供了一种制造半导体结构的方法。此方法包括以下步骤。提供基板。在基板上形成导电层。在导电层上形成介电层。在介电层上形成硬遮罩层， 其中硬遮罩层包含碳。进行植入工艺， 将氮植入硬遮罩层以形成植入硬遮罩层。通过移除植入硬遮罩层、介电层和导...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510241373.6
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；有源区， 其包括形成在半导体衬底中的隔离层和由隔离层限定的突起， 该突起设置在比隔离层的上表面高的水平处；第一焊盘和第二焊盘， 它们适于覆盖有源区的突起；形成在第一焊盘的上部...
    2025-11-22
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202411973646.8
    提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：外围结构；第一上单元结构， 第一上单元结构位于外围结构上；和第一下单元结构， 第一下单元结构位于外围结构的与第一上单元结构相反的一侧上， 其中， 第一上单元结构和第一下单元结构中的每一者包括：第...
    2025-11-22
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411831460.9
    一种半导体器件， 其可以包括：衬底， 衬底包括单元区域和外围区域；有源图案， 有源图案在衬底的单元区域上；栅结构， 栅结构在有源图案上并沿第一方向延伸；位线结构， 位线结构电连接至有源图案并沿与第一方向相交的第二方向延伸；节点接触， 节点接...
    2025-11-22
  • 存储器元件及其制造方法
    存储器元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411083758.6
    一种存储器元件的制造方法包括：形成沟槽在介电结构中；形成导电层在介电结构的沟槽中；形成第一氮化物间隔件衬于沟槽；蚀刻第一氮化物间隔件以暴露导电层；形成第二氮化物间隔件衬于第一氮化物间隔件与导电层；以及形成金属层于沟槽中且位于导电层上方。使得...
    2025-11-22
  • 半导体结构
    半导体结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410566575.3
    本发明公开一种半导体结构， 包括基底、多个栅极层、多个通道层与多个栅介电层。多个栅极层与多个通道层堆叠在基底上。多个栅极层彼此分离。每个栅极层环绕对应的通道层。相邻两个栅极层位于相邻两个通道层之间。多个栅介电层位于多个栅极层与多个通道层之间...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410525368.3
    半导体器件包括在堆叠结构中在第一方向上延伸的第一沟道结构、在垂直于第一方向的第二方向上延伸并围绕第一沟道结构的至少一部分的导电层、在第一方向和第二方向上延伸的第一隔离结构、以及在第一方向和第二方向上延伸的第二隔离结构。第一沟道结构和导电层设...
    2025-11-22
  • 三维存储器装置及其制作方法
    三维存储器装置及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202410524826.1
    一种存储器装置包括：存储器阵列结构， 所述存储器阵列结构具有多个存储体， 每个存储体包括多个存储器组， 每个存储器组具有至少一个存储块；以及外围结构， 所述外围结构在垂直方向上与所述存储器阵列结构堆叠， 并且具有多个存储器组驱动器电路， 所...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制作方法、存储器系统
    半导体器件及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410521753.0
    本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统， 所述半导体器件包括第一半导体结构， 所述第一半导体结构包括：晶体管， 包括至少沿第一方向延伸的半导体层、以及沿第二方向延伸的栅极层；所述栅极层位于第三方向上相邻的两个所述半导体层...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410517372.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备， 涉及半导体芯片技术领域， 旨在解决如何提高半导体结构的生产良率。该半导体结构包括多个导电柱、第一绝缘层和第一导电层。多个导电柱排列为多行多列。第一绝缘层设置于多个导电柱的延伸方向...
    2025-11-22
  • 半导体器件及制作方法、存储器系统
    半导体器件及制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410517364.0
    本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统， 所述半导体器件包括第一半导体结构， 所述第一半导体结构包括：晶体管， 包括至少沿第一方向延伸的半导体层、以及沿第二方向延伸的栅极层；所述栅极层位于在第三方向上相邻的两个所述半导体...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制作方法、存储器系统
    半导体器件及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410517344.3
    本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统， 所述半导体器件包括第一半导体结构， 所述第一半导体结构包括：电容结构， 包括沿第一方向延伸的第一电极；第二方向与第三方向相交， 所述第二方向、所述第三方向构成的平面与所述第一方向...
    2025-11-22
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