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  • 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件可以包括:绝缘层;位于绝缘层中的支撑图案;第一导线,每个第一导线沿第一方向延伸并且包括朝向支撑图案突出的凸部,每个凸部具有下表面;第二导线,每个第二导线沿与第一方向交叉的第二方向延伸...
  • 本发明提供了一种ALD工艺制备ZnMgO铁电薄膜非易失性存储器的方法,包括:S1:通过磁控溅射工艺在p型硅衬底上沉积形成缓冲层;S2:通过原子层沉积工艺在缓冲层上沉积形成ZnMgO铁电薄膜层;S3:在ZnMgO铁电薄膜层上沉积形成顶电极层,...
  • 本申请案涉及包含掺硼半导体材料的微电子装置及相关方法及存储器装置。一种微电子装置包含掺硼半导体材料、堆叠结构、槽结构及单元支柱结构。掺硼半导体材料竖直地在横向接触材料上方。堆叠结构竖直地在掺硼半导体材料上方且包含在第一方向上平行水平延伸且个...
  • 本发明提供一种三维存储器装置及其形成方法,包括:一堆叠结构,设置于一衬底上,且包括多个第一绝缘层与多个第一导电层沿一第一方向交替排置。堆叠结构具有多个弧形侧壁区与多个线性侧壁区沿垂直第一方向的一第二方向交替排置。三维存储器装置包括一电荷储存...
  • 本公开涉及一种具有晶圆对晶圆键合结构的存储器装置。存储器装置包括:第一晶圆,包括页面缓冲器电路和连接到页面缓冲器电路的数据输入/输出电路;第二晶圆,具有键合到第一晶圆的第一表面和在第一方向上与第一表面相对的第二表面,并且包括多条字线、存储器...
  • 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器和存储系统,该半导体器件包括堆叠结构和沟道结构,堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层,沟道结构沿所述堆叠结构的堆叠方向贯穿所述堆叠结构。其中,所述沟道结构沿所述堆叠方向包括第一端、第二端和位...
  • 本发明提供一种存储器装置及其制造方法,包含提供基板,基板具有阵列区及周边区。方法包含形成堆叠层于基板上、形成硬掩膜层于堆叠层上、以及对基板执行第一图案化工艺以形成阵列图案于阵列区中。第一图案化工艺更形成连接图案于周边区中。方法更包含对基板的...
  • 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:栅极堆叠结构,包括在第三方向上交替堆叠的多个层间绝缘层和多个导电层;沟道塞,形成在单元区域中,沟道塞在第三方向上穿透栅极堆叠结构;以及至少一个支撑结构,形成在接触区域中,至少一个支撑结...
  • 一种半导体存储器设备包括第一行的柱结构和第二行的柱结构,第一行的柱结构和第二行的柱结构穿透栅极结构、延伸到源极结构的内部并且彼此相邻。源极结构包括堆叠在第一行的柱结构与第二行的柱结构之间的第一半导体层和第二半导体层,或者源极结构包括在第一行...
  • 本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括:在电路基板上依次形成多个堆叠子阵列和多个第三隔离层,形成每个堆叠子阵列包括:在电路基板上交替堆叠第一隔离层和叠层,每个叠层依次包括第一导电层、第二隔离层、公共电极层、第二隔离层...
  • 本公开涉及包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括设置于一半导体基板中的一字元线结构。该字元线结构包括一较低栅极电极层、一较高栅极电极层、设置于该较高栅极电极层的相对侧上的一对间隔物、和包围该较低栅...
  • 本公开的一些实施例提供一种设备,所述设备包含半导体衬底上的栅极结构及所述栅极结构的侧壁上的衬层。所述栅极结构的所述侧壁包含第一间隔件及在所述第一间隔件上的第二间隔件。所述第二间隔件的顶部部分低于所述第一间隔件的顶部部分。所述衬层至少覆盖所述...
  • 提供了一种半导体存储器件,包括:衬底,包括堆叠区域,该堆叠区域包括第一阶梯区域和第二阶梯区域,第一阶梯区域和第二阶梯区域在第一水平方向上位于堆叠区域的两端;多条字线,每条字线在堆叠区域中沿第一水平方向延伸;多条位线,在堆叠区域中沿竖直方向延...
  • 可以提供一种半导体存储器件,该半导体存储器件包括:衬底,包括第一堆叠区域、第二堆叠区域和焊盘区域,焊盘区域在第一水平方向上位于第一堆叠区域和第二堆叠区域之间;多条字线,在第一水平方向上从焊盘区域朝向第一堆叠区域和第二堆叠区域中的每一个延伸,...
  • 本公开涉及包括具有较低和较高栅极电极层的字元线结构的存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括设置于一半导体基板中的一字元线结构。该字元线结构包括一较低栅极电极层、一较高栅极电极层、设置于该较高栅极电极层的相对侧上的一对间隔物、和包围该较低栅...
  • 本公开涉及用于管理具有多个层级的高带宽存储器(HBM)的方法、器件、系统和技术。示例半导体器件包括沿着第一方向堆叠的多个层级的半导体结构、在多个层级的半导体结构之间的多个电介质层、以及沿着第一方向延伸的多组接触结构。多个层级的半导体结构至少...
  • 本发明涉及自动插装设备技术领域,具体涉及双基准点矫正方法,该方法通过获取设置于下相机模组上的第一基准点和第二基准点的图像信息,基于第一基准点的图像信息确定上相机对准第一基准点时的实际坐标,并与预设的固定坐标值进行比对,生成坐标系平移校正参数...
  • 本发明提供了一种与AOI联动的SMT贴片纠偏系统及其方法,包括炉前AOI检测模块、炉后AOI检测模块、多维感知模块、智能数据中台模块、AI决策优化模块和工艺仿真验证模块。本发明通过智能数据中台模块融合炉前与炉后AOI检测数据,构建知识图谱关...
  • 本发明涉及贴片机构技术领域,尤其是一种电子元件加工用贴片机构,包括壳体,所述壳体内设置有机械臂,还包括:连接板,所述连接板固定在机械臂的端部,所述连接板的顶面上开设有条形槽,所述条形槽内插设有输气管,所述输气管的一端与负压设备连接;两个滑块...
  • 本发明涉及电路贴片机技术领域,具体为一种集成电路贴片机。包括机架,机架上安装有可三轴移动的移架,移架上转动安装有转位架,转位架上转动套设有主动齿圈,移架上安装有第二视觉探头和两个伺服电机,两个伺服电机的输出轴端分别与转位架和主动齿圈传动连接...
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