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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510064931.6
    一种示例的半导体器件包括：包括下布线线路的下布线；包括上布线线路的上布线层；以及位于下布线层与上布线层之间的电源门控单元。电源门控单元包括：第一有源区域，其位于衬底上并且包括第一下源极/漏极图案和第二下源极/漏极图案以及将第一下源极/漏极图...
    2025-11-23
  • 半导体结构的制造方法和半导体结构
    半导体结构的制造方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511448587.7
    本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括：提供包括衬底和形成于衬底上的至少两个栅极过渡结构的基底；栅极过渡结构包括栅极和栅极掩膜层，且具有栅极延伸方向和垂直于栅极延伸方向的栅极宽度方向；不同栅极过渡结构的宽度不同；...
    2025-11-23
  • 应力记忆技术工艺方法
    应力记忆技术工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066227.0
    本发明公开了一种应力记忆技术工艺方法，包括：提供一半导体衬底，采用PEALD工艺在半导体衬底表面上形成氮化硅插层。采用PECVD工艺在氮化硅插层的表面上形成氮化硅应力层，氮化硅应力层中含有氢。进行退火将氮化硅应力层中的应力转移到半导体衬底中...
    2025-11-23
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066060.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供具有形成于第一层间介质中的金属残留的半导体结构；对该半导体结构进行湿法蚀刻，以去除该金属残留及该第一层间介质的一部分，从而形成凹槽；在所述凹槽中沉积第二层间介质，以填充该凹槽；以及对该第二...
    2025-11-23
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511045157.0
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，待处理结构上表面设置氮化硅层，图形化氮化硅层后向下刻蚀伪栅得到凹槽；覆盖氧化层，去除核心区的氧化层；覆盖功函数金属层，在凹槽内填充金属栅并覆盖功函数金属层表面；进行第一次化学机械抛光工艺至氮化硅层完全去...
    2025-11-23
  • 堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件
    堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件_北京大学_202511018308.3
    本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。该堆叠晶体管的制备方法包括：刻蚀衬底的第一部分，形成鳍状结构，鳍状结构包括在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构；第一有源结构相比于第二有源结构远离衬底的第二部分；基于第...
    2025-11-23
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件
    半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件_北京大学_202510997139.6
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。该半导体结构的制备方法包括：在半导体衬底上形成叠层结构；刻蚀叠层结构，以形成鳍状结构；基于鳍状结构，在半导体衬底之上形成第一晶体管，其中，第一晶体管中的第一源漏结构与半导体衬底相接...
    2025-11-23
  • 基于铁电栅介质的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法
    基于铁电栅介质的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法_苏州实验室_202510911370.9
    本申请提供了一种基于铁电栅介质的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，其中，高电子迁移率晶体包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、帽层和钝化层，沟道层的两端设有源电极和漏电极，势垒层、帽层和钝化层上设有第一凹型结构，第一凹型结构和钝化层...
    2025-11-23
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511346305.2
    本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件及其制备方法，其中，制备方法包括：提供半导体本体；第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽的底部所暴露的半导体本体进行原子注入，使栅极沟槽的底部所暴露的半导体本体的...
    2025-11-23
  • 一种金属栅极及其制备方法
    一种金属栅极及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511416557.8
    本发明提供一种金属栅极及其制备方法，制备方法通过沉积第一金属材料，并干法刻蚀凹槽第二部分中的第一金属材料，以去除所述突起来扩大凹槽的开口尺寸，再通过填充第二金属材料形成金属栅极，解决金属栅极中出现的缝隙缺陷，可以增加金属栅极的稳定性，还可以...
    2025-11-23
  • 一种VLD终端结构及其制备方法、制备系统、存储介质
    一种VLD终端结构及其制备方法、制备系统、存储介质_国网电力科学研究院有限公司_202511054970.4
    本发明公开了一种VLD终端结构及其制备方法、制备系统、存储介质，该终端结构包括：衬底；自衬底表面向下形成有VLD终端环区；形成于VLD终端环区前部分内的第一沟槽区域，及生长于内的第一LOCOS氧化层；形成于VLD终端环区后部分内的第二沟槽区...
    2025-11-23
  • 液晶显示基板、制备方法与显示装置
    液晶显示基板、制备方法与显示装置_惠科股份有限公司_202511072407.X
    本申请涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种液晶显示基板、制备方法与显示装置。提供了一种液晶显示基板，所述液晶显示基板包括层叠设置的柔性基板、栅极、栅极绝缘层、复合有源层、源极和漏极、钝化层；所述复合有源层包括石墨烯层以及层叠结合于所述石墨烯背...
    2025-11-23
  • 用于静电释放保护的半导体结构及其制造方法
    用于静电释放保护的半导体结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511066122.5
    本发明提供一种用于静电释放保护的半导体结构及其制造方法，为解决现有栅极接地NMOS器件因静电释放电流开启不均匀而易导致局部过热失效的技术问题，本发明的半导体结构包括衬底、有源区、栅极、源极和漏极。漏极沿其宽度方向包括形成有难熔硅化物层的第一...
    2025-11-23
  • 一种TeO2垂直环栅场效应晶体管及其制备方法
    一种TeO2垂直环栅场效应晶体管及其制备方法_南京邮电大学_202511003719.5
    本发明涉及一种TeO2垂直环栅场效应晶体管及其制备方法，是以碲粉作源，以SiO2/Si片作为生长衬底，将衬底覆盖在装有碲粉的石英舟上方，两者垂直距离为1~2 mm；在氧气气氛中，高温高压条件下，通过化学气相沉积法在衬底上垂直生长TeO2纳米...
    2025-11-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510518642.9
    一种半导体器件包括氧化物半导体层、与氧化物半导体层分开布置的栅电极、以及在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层包括具有不同能带隙的多个层。栅极绝缘层包括在栅极绝缘层的厚度方向上彼此分开布置的多个第一绝缘层、在第一组相邻第一绝缘...
    2025-11-23
  • 一种集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及方法
    一种集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202510952182.0
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，公开了一种集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及方法，其包括：沟槽MOSFET区；第一N型外延层上设有P型阱区，P型阱区上设有源极接触区，P型阱区底部设有N型缓冲区；N型缓冲区贯穿源极接触区和P型阱区，且...
    2025-11-23
  • 一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法
    一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511440626.9
    本发明提出了一种通过双栅铁电场效应晶体管实现多值寻址器的方法，涉及寻址器技术领域，对顶部金属栅、底部金属栅、沟道和MFIS叠层结构进行制备，获得双栅极铁电场效应晶体管结构材料；构建双栅极铁电场效应晶体管结构，通过双栅极铁电场效应晶体管进入p...
    2025-11-23
  • 一种氮化镓晶体管及制备方法
    一种氮化镓晶体管及制备方法_江苏能华微电子科技发展有限公司_202511416420.2
    本申请公开了一种氮化镓晶体管及制备方法，该氮化镓晶体管包括：复合衬底层及叠层设置在所述复合衬底层上的氮化镓辅助层及功能层；所述复合衬底层包括基底衬底及外延层，所述基底衬底及所述外延层为单晶碳化硅层，所述外延层的电阻率高于所述基底衬底的电阻率...
    2025-11-23
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511416718.3
    本发明提供一种功率器件及其制备方法，包括：在N型衬底上形成P型层和N型层；形成沟槽；离子注入形成N型源区；在沟槽中形成栅氧化层；在沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层；沉积介质层；形成源接触区，源接触区显露部分N型源区和部分P型层...
    2025-11-23
  • 一种降低器件动态参数的MOSFET及制备方法
    一种降低器件动态参数的MOSFET及制备方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511119761.3
    一种降低器件动态参数的MOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。外延层上设有有源区沟槽，有源区沟槽内设有上下间隔设置在栅极多晶硅和第一源极多晶硅，并通过第一介质层填充；阶梯型栅极氧化层结合对多晶硅的重掺杂提高氧化效应来提高IPO厚度，相比...
    2025-11-23
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