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最新专利技术
  • 一种农业用开垦翻土装置
    一种农业用开垦翻土装置_襄阳市农业科学院_202511297729.4
    本发明公开了一种农业用开垦翻土装置，包括安装架和开垦架，安装架的一侧固定安装有连接座，连接座的一侧固定安装有铰接座三，铰接座三的内部转动安装有调节电缸，调节电缸输出端的外侧活动安装有铰接座一，安装架的底部安装有扩沟组件，安装架的一侧安装有抓...
    2025-11-20
  • 基于草地生态的修复装置及方法
    基于草地生态的修复装置及方法_兰州大学_202511372170.7
    本发明涉及基于草地生态的修复装置及方法，包括外筒以及设于外筒内的隔板，外筒上设置有驱动组件，隔板与外筒滑动密封配合，隔板将外筒内腔分隔为上腔室以及下腔室；外筒顶面设置有与上腔室连通的单向阀，下腔室内设置有内筒和输液管，内筒与下腔室滑动连接，...
    2025-11-20
  • 带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
    带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板_三井金属矿业株式会社_202480006642.4
    提供即使在超过350℃的高温压制后也能够容易地剥离载体的带载体的铜箔。该带载体的铜箔依次具备载体、中间层和铜箔，中间层具有Cr相、Ni-P相和Mo-Fe-Ni相。载体的中间层侧的表面中，被Mo-Fe-Ni相覆盖的表面的比例为61.00％以上...
    2025-11-20
  • 具有金属-铁电体-绝缘体-金属叠层的RRAM
    具有金属-铁电体-绝缘体-金属叠层的RRAM_国际商业机器公司_202480024677.0
    所公开的电阻切换存储器结构(25)包括布置在第一电极(5)和第二电极(20)之间的铁电层(10)和顺电层(15)的电介质叠层。至少铁电层产生负差分电容以放大施加的电压。选择铁电层和顺电层的厚度导致铁电层和顺电层在暴露于由负差分电容放大的施加...
    2025-11-20
  • 斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路
    斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路_汉阳大学校产学协力团_202480020633.0
    本发明涉及斯格明子(Skyrmion)存储器件及利用其的交叉阵列电路，本发明一实施例的斯格明子存储器件包括形成斯格明子的阻变垂直电极、使所形成的所述斯格明子移动的斯格明子沟道层及磁隧道结，所述磁隧道结包括所述斯格明子沟道层，并通过感测(se...
    2025-11-20
  • 用于压电触觉中的低电压感测的系统和方法
    用于压电触觉中的低电压感测的系统和方法_微芯片技术股份有限公司_202380096454.0
    一种设备(100)包括用以放大突发信号(115)的高电压放大器(120)，并且耦接到驱动器电路(128)以驱动压电致动器(150)。在突发信号的接通时间期间，反馈电路(190)可以补偿系统中的非理想性，并且可以均衡致动器处的信号和高电压放大...
    2025-11-20
  • 用于有机光电子装置的化合物、用于有机光电子装置的组合物、有机光电子装置和显示装置
    用于有机光电子装置的化合物、用于有机光电子装置的组合物、有机光电子装置和显示装置_三星SDI株式会社_202480020580.2
    本发明涉及：用于有机光电子装置的化合物，该化合物由化学式1或化学式2表示；包括该化合物的有机光电子装置；以及显示装置。化学式1和2的详细说明如说明书中所定义。
    2025-11-20
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202480021022.8
    在本发明的一个实施例中公开了显示装置，该显示装置包括：第一电极和第二电极，被布置为彼此间隔开；第三电极，布置在第一电极上并且与第一电极和第二电极重叠；第四电极，布置在第三电极上并且与第三电极重叠；以及第五电极，布置在第四电极上，与第四电极重...
    2025-11-20
  • 有机EL显示装置及微型LED显示装置
    有机EL显示装置及微型LED显示装置_爱天思株式会社_202480020569.6
    提供一种有机EL显示装置及微型LED显示装置，其中DCI‑P3规格的色域覆盖率高、且具有高亮度的彩色滤光片。本公开的有机EL显示装置在形成有驱动元件的硅基板上具有有机EL层、以及彩色滤光片，所述彩色滤光片具有包含特定的红色像素、绿色像素、及...
    2025-11-20
  • 发光装置和电子设备
    发光装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480021021.3
    提供了一种发光装置，该发光装置包括布置在基板上的多个发光元件。每个发光元件包括：第一电极，设置在基板上；发光层，层压在第一电极上并且发射光；第二电极，层压在发光层上并且使来自发光层的光穿过该第二电极；以及多个棒状透镜，设置在第二电极上方。多...
    2025-11-20
  • 有机电致发光元件和电子设备
    有机电致发光元件和电子设备_出光兴产株式会社_202480024227.1
    提供元件性能得到进一步改善的有机电致发光元件、包含这样的有机电致发光元件的电子设备。具体而言，提供有机电致发光元件和包含这样的有机电致发光元件的电子设备，所述有机电致发光元件具有阴极、阳极和配置于上述阴极与上述阳极之间的有机层，上述有机层包...
    2025-11-20
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法、用电装置
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202380096274.2
    本申请涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、用电装置。其中的钙钛矿太阳能电池，包括：层叠设置的钙钛矿量子点修饰层和钙钛矿吸光层，钙钛矿量子点修饰层位于钙钛矿吸光层的入光侧；钙钛矿量子点修饰层包含钙钛矿量子点，钙钛矿量子点的带隙宽度包括2eV...
    2025-11-20
  • 包括光转换材料的LED灯丝布置
    包括光转换材料的LED灯丝布置_昕诺飞控股有限公司_202480019896.X
    一种LED灯丝100，包括透光载体(110)，透光载体包括第一表面(112)和与第一表面相对布置的第二表面(114)。LED灯丝还包括布置在第一表面上的第一LED阵列(120)，其中第一LED被配置为发射蓝色LED光(125)。LED灯丝还...
    2025-11-20
  • 发光装置的修复方法和发光装置
    发光装置的修复方法和发光装置_迪睿合株式会社_202480020928.8
    在经由在第1绝缘性树脂层保持有第1导电粒子的第1导电膜来安装多个μLED的发光装置的修复方法中，从安装μLED中特别指定修复对象的μLED，通过激光剥离法将其从透光性基板去除，在去除了μLED的透光性基板的部分以单片状设置在第2绝缘性树脂层...
    2025-11-20
  • 具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装结构
    具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装结构_科锐LED公司_202380096327.0
    公开了包括发光二极管(LED)的固态照明装置，并且更具体地，公开了具有多个LED芯片的LED封装结构。LED封装结构包括以下一个或多个布置：具有用于LED芯片的多个腔体的主体结构、与多个腔体配准的具有透镜的包封体、以及至少部分地位于主体结构...
    2025-11-20
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_安徽三安光电有限公司_202380010356.0
    本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管包括：半导体发光叠层；第一电流阻挡层，所述第一电流阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层；透明导电层，所述透明导电层具有开口部和凸出部，开口部与第一阻挡层之间形成有间隙部，...
    2025-11-20
  • 光检测装置、电子设备和半导体装置
    光检测装置、电子设备和半导体装置_索尼半导体解决方案公司_202480019706.4
    本发明提供了可以提高配线布局的自由度的光检测装置。具体地，该光检测装置包括以二维阵列状形成在半导体基板上的多个光电转换单元和多个像素晶体管。另外，多个像素晶体管包括：第一传输晶体管，其具有面向第一沟道形成区域的第一栅电极；和第二传输晶体管，...
    2025-11-20
  • 二维光感测器及二维光感测器的制造方法
    二维光感测器及二维光感测器的制造方法_克普勒股份有限公司_202480019189.0
    本发明提供一种可在薄膜电晶体工厂中低成本制造，且跨比较宽广的二维平面的二维光感测器。本发明的一种二维光感测器100，具备：排列了多个的光二极体；光二极体具有以下的积层体：第一金属电极11、第一半导体层12、第一欧姆接触层13、第一透明电极1...
    2025-11-20
  • 摄像装置
    摄像装置_松下知识产权经营株式会社_202480020383.0
    摄像装置具备多个像素(24)，多个像素(24)分别具有光电转换部(10A和电荷蓄积区域。光电转换部(10A)包括下部电极(2)、上部电极(5)以及光电转换层(4)，该光电转换层(4)位于下部电极(2)与上部电极(5)之间，并且通过吸收光来生...
    2025-11-20
  • 光电转换装置
    光电转换装置_佳能株式会社_202480014888.6
    光电转换装置包括具有第一表面和面向第一表面的第二表面的半导体层。半导体层包括多个雪崩光电二极管(APD)。多个APD包括第一APD和第二APD。第一APD和第二APD各自包括第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域。第一半...
    2025-11-20
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