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  • 本发明公开了一种大口径激光反射镜片真空镀膜系统,涉及真空镀膜系统技术领域,包括镀膜柜及设置于其内的放置组件,所述放置组件包括轴向转动设置的安装架,还包括若干端部摆动设置于安装架上且呈圆周阵列布置的摆动杆,任意两个相邻摆动杆之间活动设置有上装...
  • 本发明属于真空处理技术领域,公开了一种行星式旋转机构。该行星式旋转机构包括固定齿轮、公转齿轮、公转架和驱动组件,在真空处理腔室的壳体上固定有固定齿轮,并设置可转动的公转齿轮,在公转齿轮上固定公转架并在公转架上设置行星调速齿轮和行星齿轮,工件...
  • 本申请公开了一种正交电磁场旋转磁控溅射装置,包括工作腔、靶材、第一磁组和第二磁组,第一磁组和第二磁组均包括多个永磁体,第一磁组和第二磁组关于工作腔的中心相对设置、且二者的永磁体磁极相反,使磁力线在靶材下方耦合形成平行于靶材表面的正交磁场,正...
  • 本申请公开了一种磁控管的控制系统、方法及半导体工艺设备。其中,该控制系统包括:第一旋转轴的一端与第一电机连接,另一端与第一旋转臂连接;第二旋转轴的一端与第二电机连接,另一端分别与第一旋转臂的一端和第二旋转臂连接,第二旋转臂的一端与磁控管连接...
  • 本发明涉及半导体单晶生长技术领域,具体涉及一种碳化硅衬底及衬底制备方法,包括以下步骤:将4H‑SiC单晶籽晶的生长面通过磁控溅射方式溅射一层钨‑碳复合薄膜;将溅射有所述钨‑碳复合薄膜的籽晶固定于坩埚盖,并在坩埚底部铺设石墨烯纳米层包覆的多孔...
  • 本发明属于半导体材料制备技术领域,具体涉及一种基于双靶反应磁控溅射制备SiCN薄膜的方法及其应用。本发明通过Si靶(射频)和C靶(直流)共溅射,结合N2反应气体,实现薄膜组分和性能的精准调控。通过双靶反应磁控溅射实现了SiCN薄膜的低温、精...
  • 本申请属于金刚石复合材料技术领域,公开了一种金刚石复合材料制备方法,该方法包括:采用磁控溅射技术,在第一金刚石颗粒表面进行镀膜,得到表面形成均匀镀膜的第二金刚石颗粒,通过化学镀金属方法,在第二金刚石颗粒表面沉积目标金属镀层,得到表面形成目标...
  • 本申请实施例提供一种晶圆级InSe薄膜的制备方法,包括:通过磁控溅射法,向衬底上溅射In靶材和InSe化合物靶材,在所述衬底上生成In和InSe化合物混合薄膜;和将带有所述混合薄膜的衬底进行快速退火,以使得所述混合薄膜发生结晶,以在所述衬底...
  • 本发明公开了一种磁控溅射法制备的梯度高熵合金耐腐蚀涂层的方法,沉积于F/M钢合金表面的高熵合金涂层为AlCrFeMoTi高熵合金,具体包括如下步骤:将高熵合金涂层原料Al、Cr、Mo、Ti及Fe按照摩尔比为1 : 1 : 1 : 1 : 1...
  • 本发明涉及机械关键零部件表面防护技术领域,公开了一种适用于临氢工况的高性能耐磨涂层及其制备方法。方法包括:1)不锈钢基体表面清洗;2)炉腔内一定真空度下进行反溅射等离子清洗;3)在Ar气气氛中,对TiNbCrZrCu拼接靶材进行预溅射;Ti...
  • 本发明涉及微机电系统制造技术领域,具体涉及一种用于装配后修调的微半球谐振子金属化方法,包括:建立微半球谐振子结构模型,进行仿真并计算谐振子的模态参数;采用有限元软件计算修调宽度和修调深度对微半球谐振子模型频率裂解的影响规律,得到修调质量与频...
  • 本发明涉及一种服役于载流摩擦的二硒化铌润滑薄膜的制备方法,该二硒化铌润滑薄膜采用射频磁控溅射法制备。溅射气体为氩气,溅射靶材为二硒化铌,通过改变氩气流量和基底负偏压制备出结构致密、具有良好机械性能、电学性能和润滑性能的二硒化铌薄膜,在大气环...
  • 本申请涉及导电膜材料加工领域,具体公开了一种高透明导电膜的制备工艺,包括如下步骤:S1、将氧化铝和氧化锌混合,得到混粉料,经研磨后于烧结成AZO靶材;将三氧化二锑和氧化锡混合,得到混合料,经球墨处理后烧结成ATO靶材;S2、将AZO靶材、A...
  • 公开了溅射靶材和隔离环。所述溅射靶材包括:第一表面,所述第一表面被配置为选择性地接合到PVD真空室上的密封环,其中所述第一表面没有任何凹槽、通风槽和扇形槽,并且配置为用平坦表面接触所述密封环。所述隔离环包括,第一表面和台阶部分。当安装在PV...
  • 本申请涉及一种PZT‑MEMS加工用辅助设备,涉及溅射台技术领域,其包括腔体,所述腔体的内部转动设置有旋转架,所述旋转架的转动轴线竖直,所述腔体上设置有驱动机构,所述驱动机构用于驱使旋转架转动;所述旋转架的顶部转动设置有翻转环,所述翻转环的...
  • 本发明涉及溅射靶、涂覆系统及其涂覆方法。溅射靶(10)包括带有靶板(14)的基部(12),靶板固定在基部上并且由第一溅射材料制成,靶板具有表面(16)和形成在该表面中的多个凹部(18)。在凹部(18)中布置有多个插入件(20)。插入件(20...
  • 本发明公开了双主辊卷绕真空镀膜机,涉及真空镀膜技术领域,具体为双主辊卷绕真空镀膜机,包括防护箱体,所述防护箱体的内部固定安装有两个喷射板,所述防护箱体的前侧端转动安装有两个挡板门,所述防护箱体的上端部滑动安装有抽真空器,所述防护箱体的内部转...
  • 本申请涉及真空蒸镀技术领域,公开了一种新型热电偶蒸发PVD真空腔,包括罐体下部和罐体上部。罐体下部底壁装有放置工件的工件放置架,罐体上部通过铰链与下部连接,并利用塔扣锁实现密封固定。罐体上部内壁装有金属靶材和可旋转的第一永磁体,整个腔体内壁...
  • 本发明公开了一种电弧等离子体低温制备含AlOx的硬质涂层工艺,涉及高温合金加工领域。该涂层包含Ti、Al、N、O四种元素,是一种TiAlN/AlOx/TiAlN复合涂层,制备工艺主要包括以下步骤:基体表面Ar离子刻蚀清洗;开启TiAl靶并通...
  • 本申请涉及锂电池复合集流体技术领域,特别是涉及一种复合集流体的制备方法、锂离子电池、用电装置,制备方法包括:提供聚合物基膜;在聚合物基膜的上表面形成第一集流层,制备第一中间件;对第一中间件中的聚合物基膜进行造孔,形成仅贯通聚合物基膜的通孔,...
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