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  • 本发明涉及固晶机技术领域,具体为一种高精度IC固晶机及其固晶方法,包括固晶机本体、安装在固晶机本体上的固晶摆臂机构、安装在固晶摆臂机构上的吸嘴、安装在固晶机本体上的点胶机构和传送台,所述传送台安装在固晶机本体上;本发明通过在对基板进行传送的...
  • 本发明属于干法蚀刻技术领域,具体公开了一种干法蚀刻设备,包括架体和固定连接在架体两端的夹持端,架体的中部固定连接有抽气环,架体的外侧固定连接有连接管,连接管的下端套接有插接管,插接管的下端固定连接有抽排组件,架体靠近夹持端的部位固定连接有抽...
  • 本发明提供一种半导体器件临时键合和解键合的方法,所述方法包括如下步骤:(1)在待加工处理的半导体器件表面设置高温介质层;在载体表面设置低温介质层;(2)将高温介质层和低温介质层相对设置,进行临时键合;(3)对待加工处理的半导体器件进行加工处...
  • 本发明公开了一种硅片加工系统及硅片盒中硅片状态识别方法、装置和介质,硅片盒包括沿第一方向依次排列的多个槽位,槽位用于放置硅片。硅片盒中硅片状态识别方法包括:获取硅片盒中各槽位的当前状态数据;根据各槽位的当前状态数据,分别确定各槽位内硅片的当...
  • 本发明公开了一种用于晶圆贴膜后的自动撕膜机构,涉及玻璃加工技术领域,包括底板;底板上设有夹持机构,夹持机构包括两个轴杆和两个限位环。本发明夹持机构用于固定晶圆,防止在撕膜过程中晶圆移动,底板上的驱动电机驱动齿轮一旋转,移动板与齿轮一啮合,随...
  • 本发明公开了一种晶圆热压键合机及晶圆降温方法,其中晶圆热压键合机包括底座组件,底座组件的上端设有键合底座且下压盘组件安装于键合底座的内侧;包括键合盖组件,上压盘组件安装于键合盖组件的盖体内,盖体铰接于所述底座组件的上端,通过盖体密封盖合于键...
  • 本申请涉及一种凸点封装的基板定位矫正方法,包括以下步骤:将基板放入封装下模具的轨道中,所述封装下模具上设有前置的限位块和后置的定位挡块;利用推力治具沿第一水平方向推动基板,所述推力治具包括支撑块以及固定安装于所述支撑块的推料块和手柄,推动基...
  • 本申请公开了一种运动平台定位误差补偿方法、设备、介质及程序产品,涉及半导体制造技术领域。该方法包括:通过控制运动平台进行多次移动,每次移动采用不同的移动速度。针对每个坐标维度,在每次移动过程中,根据获取的理想坐标和读取坐标,确定该次移动所经...
  • 本发明公开了一种晶圆放置状态的检测方法、半导体工艺腔室及设备,所述检测方法包括获取预设时间内晶圆位置正常时承载盘的温度作为基准数据;将待测晶圆置于所述承载盘上;将所述承载盘与所述待测晶圆一同升高至第一高度;获取预设时间内位于所述第一高度时所...
  • 本公开提供一种晶圆盒装载设备,晶圆盒包括具有多个承载位的载架。晶圆盒装载设备包括:第一载台,用于支撑底座;第二载台,用于支撑盒体;移动机构,通过使第一载台和第二载台相对移动打开或关闭晶圆盒;感测组件,包括移动件和两个第一感测元件,移动件能够...
  • 本公开提供一种晶圆盒装载设备、控制方法和装置、存储介质和程序产品。晶圆盒包括载架、底座和盒体,载架支撑在底座上并承载沿上下方向层叠地布置的多个晶圆,载架允许晶圆沿垂直于上下方向的第一方向放置到载架上,并允许沿相反于第一方向的第二方向将晶圆从...
  • 本公开提供基板加工装置。该装置包括:具有通过相互结合而在其中提供用于加工基板的加工空间的第一本体和第二本体的壳体;通过相对于第一本体沿竖直方向移动第二本体来密封或打开加工空间的致动器;将流体供应到加工空间的供应管;及从加工空间排放流体的排放...
  • 所公开的是一种使用超临界流体处理衬底的衬底处理设备。所述衬底处理设备包括:壳体,其用于提供用于处理衬底的处理空间;支撑单元,其用于在所述处理空间中支撑衬底;流体供应单元,其用于向所述处理空间供应流体;排放单元,其用于排放所述处理空间中的所述...
  • 提供了一种包括衬底输送单元和空气分离单元的衬底输送室。空气分离单元将空气分离成氮气和氧气。从空气中分离出的氮气被供应到衬底输送单元以吹扫衬底输送单元,并且从空气中分离出的氧气被排放到衬底输送室的外部。
  • 本发明公开了一种基于激光扫描与图像三分图分割的缺陷检测方法,属于太阳能电池制造技术领域中的一种制造工艺,其技术方案为S1、对硅片的背面进行主栅印刷,S2、对S1完成烘干后的硅片进行背面副栅印刷,S3、对完成S2完成烘干后的硅片进行正面主栅印...
  • 本发明公开了一种降低弛豫的区分外延层厚度的方法,至少包含以下步骤:步骤S1,提供一晶圆,在所述晶圆的表面外延生长种子层;步骤S2,在所述种子层表面外延生长标记层;步骤S3,在所述标记层表面外延生长主体层;其中,所述标记层中标记元素的原子序数...
  • 一种碲镉汞台面结的离子注入扩散距离测试方法,涉及光电探测技术领域,包括:在离子注入后的碲镉汞芯片上光刻台面图形,制备得到台面阵列;在芯片上沉积钝化层,并通过退火工艺对芯片进行激活处理;在钝化层光刻离子注入扩散距离测试图形结构,制备测试单元;...
  • 一种晶圆边缘检测方法及检测装置,激光探测组件获取经过边缘切割后的晶圆边缘的平整区域的沿径向方向的实际宽度值,图像获取组件获取经过边缘切割后的晶圆的边缘图像,数据处理器将边缘图像转换为灰度图像,并计算灰度图像的灰度值,根据灰度值的差异来确定边...
  • 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管设计技术领域,公开了一种漏电流测试装置及制备方法、栅极端盖长度的确定方法,该漏电流测试装置包括:半导体衬底层,其中,半导体衬底层具有有源区;位于有源区上的栅极结构,其中,栅极端盖的长度为第一预设长度,栅...
  • 一种键合方法、封装方法、键合结构以及封装结构,键合方法中通过提供包括无机物层和多个第一金属结构的第一键合面,以及包括聚合物层和多个第二金属结构的第二键合面,通过将第一键合面和第二键合面进行键合,同时形成金属—金属键合与无机物—聚合物介电质键...
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