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最新专利技术
  • 非挥发性存储器及其制造方法
    非挥发性存储器及其制造方法_上海积塔半导体有限公司_202511072858.3
    本发明涉及一种非挥发性存储器及其制造方法。所述非挥发性存储器的制造方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底、覆盖于衬底的正面上的栅极介质层、位于栅极介质层上且沿第二方向间隔排布的多个选择栅极、覆盖于选择栅极的侧壁上的隔离侧墙以及位于相邻的隔...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511159078.2
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在形成有浮置栅极和擦除栅极的衬底上，形成图案化硬掩模层以界定出凹槽，并在凹槽侧壁上形成第一侧墙；通过多次侧墙形成和刻蚀，在凹槽内形成开口并填充以形成源极线路；关键地，在第一侧墙的外侧壁上形成自...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410704494.5
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件包括基底、在垂直于基底方向上叠设且串联的多个存储单元，以及至少一个隔断结构；多个所述存储单元的第一电介质层设置为一体结构，所述隔断结构设置在相邻的两个所述存储单元之间，所述隔断结构被配置为...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410704490.7
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件包括堆叠体、电荷俘获层和半导体层，堆叠体包括导电层和绝缘层，多个电荷俘获层环绕在所述沟道孔的侧壁且在垂直基底的方向依次间隔排列。本文涉及但不限于半导体器件技术领域，尤其涉及一种半导体器件及...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410703260.9
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件包括基底、多个存储单元，以及至少一个辅助存储层；相邻的两个所述存储单元的存储层在垂直所述基底方向间隔设置；所述辅助存储层位于相邻的两个所述存储单元之间且位于所述沟道结构的外周，所述辅助存储...
    2025-12-26
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511109383.0
    本申请的实施例涉及存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：多个存储器单元，多个存储器单元中的每个被配置为储存一个或多个数据位；第一互连结构，可操作地配置为位线并耦合到多个存储器单元中的每个，第一互连结构沿第一横向方向延伸；以及第二互连结构，...
    2025-12-26
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511357308.6
    本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，位于有源区边缘区域的第二绝缘图案的特殊形状计，可改善有源区的位线发生剥离、塌陷以及和其相邻的位线发生短接的问题，提高元件的可靠度。
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511266578.6
    一种半导体结构，包括基板、介电层、微电子装置、互连层和金属线。金属线包括第一粘合层、导电层、第二粘合层、下阻挡层和上阻挡层。第一粘合层包含第一材料。导电层包含第二材料。第二粘合层包含第一材料。下阻挡层位于第一粘合层和导电层之间，其中下阻挡层...
    2025-12-26
  • 存储器装置与其制造方法
    存储器装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511205862.2
    一种存储器的制造方法，包括以下步骤：在基板上方形成介电层堆叠；形成穿过介电层堆叠的开口；形成衬在开口上的底电极层；形成密封开口的保护层，其中形成保护层的步骤包括以下步骤：使用氮等离子体执行第一沉积工艺以形成第一介电层，及使用氧等离子体执行第...
    2025-12-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510704704.5
    半导体装置可以包括：衬底；有源区，设置在衬底上方；埋置层，设置在衬底和有源区之间；隔离结构，围绕有源区的底表面和侧表面并且围绕埋置层的侧表面；栅极沟槽，形成在有源区中；栅极介电层，形成在栅极沟槽上；以及栅电极，设置在栅极介电层之上并且部分填...
    2025-12-26
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_美光科技公司_202510694543.6
    本申请案涉及半导体装置及其形成方法。一种实例设备包含：存储器单元电容器；存储器单元晶体管，其具有扩散区；重布结构，其耦合在所述存储器单元晶体管的所述扩散区中的一者与所述存储器单元电容器之间；第一布线；外围晶体管，其具有扩散区；及接触插塞，其...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510690362.6
    本公开涉及一种半导体器件，包括设置在衬底中的有源区；限定在有源区中的第一节点和第二节点；和埋置电极。埋置电极包括：设置在第一节点与第二节点之间以穿过有源区的线性部分；从线性部分突出以部分覆盖第二节点的侧壁的延伸部分。
    2025-12-26
  • 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
    半导体器件以及用于制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510688323.2
    本公开涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：在下部结构之上形成垂直堆叠，在所述垂直堆叠中，电介质层与水平层图案交替堆叠；在垂直堆叠中形成单元隔离层，所述单元隔离层接触水平层图案的侧表面并且垂直延伸；在...
    2025-12-26
  • 半导体装置的存取线结构
    半导体装置的存取线结构_美光科技公司_202510687151.7
    提供用于半导体装置的存取线结构的系统、方法及设备。存取线结构可通过形成硅锗及硅材料的交替层以界定竖直堆叠及形成穿过所述竖直堆叠的第一竖直开口以界定所述交替层的长形竖直列来形成，其中所述多个第一竖直开口中的一者经形成到与其它第一竖直开口的第一...
    2025-12-26
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510453813.4
    一种半导体器件包括：位于包括第一区域和第二区域的基板上的外围电路图案；位于该外围电路图案上的位线结构，其电连接到位于该基板的第一区域上的该外围电路图案；位于该位线结构上并电连接到该位线结构的沟道；在该沟道的一侧的字线；位于该沟道上并电连接到...
    2025-12-26
  • 制造半导体装置的方法
    制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510312369.4
    一种制造半导体装置的方法包括：在包括第一区域和第二区域的基底上形成掩模层结构，掩模层结构覆盖基底的第一区域和第二区域；形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案覆盖第二区域的至少一部分并且暴露第一区域中的掩模层结构；在掩模层结构和第一光致抗...
    2025-12-26
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202510132335.7
    一种半导体存储器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；外围晶体管，在外围电路区域上，并且包括外围沟道图案；多个单元沟道图案，沿第一方向堆叠在单元区域上，第一方向垂直于衬底的上表面；字线，在多个单元沟道图案上，并且字线沿第二方向延伸，第二...
    2025-12-26
  • 半导体器件以及制造该半导体器件的方法
    半导体器件以及制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510126571.8
    一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件包括：位线，沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸。第一沟道图案，连接到位线。第一沟道图案垂直于衬底的上表面延伸。栅极绝缘图案设置在第一沟道图案上。字线设置在栅极绝缘图案上，并沿平行于衬底的...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411967211.2
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括单元结构和设置在单元结构上的外围电路结构。单元结构包括：第一基底，具有单元阵列区域；数据存储图案，在单元阵列区域上彼此间隔开；字线，在数据存储图案上并且彼此间隔开；以及位线，在字线上与字线交叉。外围电...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411924590.7
    一种半导体器件可以包括：衬底，包括单元阵列区域和外围区域；多条位线，在单元阵列区域中；多个绝缘封盖结构，覆盖多条位线；多个位线间隔物，围绕多条位线；单元焊盘结构，在多条位线中的一对相邻位线之间；着接焊盘，在单元焊盘结构上，并且包括导电阻挡膜...
    2025-12-26
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