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最新专利技术
  • 感测器封装结构及其制造方法
    感测器封装结构及其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202410672185.4
    本申请公开一种感测器封装结构及其制造方法。所述感测器封装结构包含一基板、安装于所述基板的一感测芯片、设置于所述感测芯片的一环形支撑层、设置于所述环形支撑层的一透光片及形成于所述基板的一封装体。所述透光片的顶部外缘形成有一避让槽。所述封装体为...
    2025-12-25
  • 一种光电探测成像集成芯片及其使用方法
    一种光电探测成像集成芯片及其使用方法_北京大学_202511586860.2
    本发明属于光电探测成像领域，提供了一种光电探测成像集成芯片及其使用方法，芯片包括：下基板、发光二极管阵列、光电探测器阵列、第一绝缘层、第一键合层、第二绝缘层、第二键合层、电极互连层、上基板；光电探测器阵列的单元与发光二极管阵列的单元一一对应...
    2025-12-25
  • 光电转换装置、装备和可移动体
    光电转换装置、装备和可移动体_佳能株式会社_202510686173.1
    公开了光电转换装置、装备和可移动体。一种光电转换装置包括至少两个基板，该至少两个基板包括：第一基板，包括像素单元，在该像素单元中，各自包括光电转换元件和放大晶体管的多个像素被布置成阵列；以及第二基板，包括存储器单元，该存储器单元被配置为保持...
    2025-12-25
  • 层叠型图像感测装置及其制造方法
    层叠型图像感测装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202411798525.4
    本申请涉及层叠型图像感测装置及其制造方法。在制造层叠型图像感测装置的方法中，可制备用于形成层叠型图像感测装置的第一结构。第一结构可包括第一基板、形成在第一基板的前侧上的第一器件层、从第一器件层的上表面延伸到第一基板中的第一导电焊盘、以及形成...
    2025-12-25
  • 图像传感器、电子设备
    图像传感器、电子设备_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202410674323.2
    一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括半导体基底和互连结构层，半导体基底中形成有隔离结构，隔离结构将半导体基底分隔成多个像素区域；互连结构层设置于半导体基底的出光侧，互连结构层包括至少两层导电线路层，各导电线路层与隔离结构对应设置，各导电...
    2025-12-25
  • 一种图像传感器及其制造方法
    一种图像传感器及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511596874.2
    本申请提供一种图像传感器及其制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的图像传感器通过凹槽阵列构建了吸光结构并设置在感光结构上游，从而通过凹槽的吸光特性增加对入射光束的吸收并引导至感光结构处，提高感光结构对入射光束的吸收。其中，凹槽阵列基于感...
    2025-12-25
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511596104.8
    本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括提供具有像素区和逻辑区的基底，形成第一凹槽位于像素区上，形成第二凹槽位于逻辑区上，所述第一凹槽的底面高于所述第二凹槽的底面，形成绝缘材料层共型地覆盖在硬掩膜层上，对绝缘材...
    2025-12-25
  • 具有梯形四棱体微透镜阵列的红外探测器芯片制备方法
    具有梯形四棱体微透镜阵列的红外探测器芯片制备方法_浙江拓感科技有限公司_202511579207.3
    本发明涉及红外探测器技术领域，具体提供了一种具有梯形四棱体微透镜阵列的红外探测器芯片制备方法，包括：基于外延结构的焦平面阵列，在外延衬底背向读出电路的一面制备单元形状为方形的光刻胶阵列，其中，外延衬底面向读出电路的一面连接外延结构，外延结构...
    2025-12-25
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202511192405.4
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，属于半导体器件技术领域。且所述图像传感器包括：衬底；隔离结构，设置在所述衬底中；光电二极管，设置在所述衬底中，且所述隔离结构设置在所述光电二极管外围；以及隔离层，设置在所述光电二极管中，所述隔离层上设置...
    2025-12-25
  • 一种显示模组及其制备方法、显示装置
    一种显示模组及其制备方法、显示装置_厦门天马微电子有限公司_202511113208.9
    本申请实施例提供的一种显示模组及其制备方法、显示装置，显示模组包括感光晶体管，所述感光晶体管包括第一掺杂部、第二掺杂部、感光区；所述感光区位于所述第一掺杂部与所述第二掺杂部之间；沿垂直于所述显示模组所在平面方向上，所述感光区包括朝向所述显示...
    2025-12-25
  • 一种集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器及制备方法
    一种集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器及制备方法_大连理工大学_202511174048.9
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器及制备方法。该集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器包括碳化硅单晶、高空穴浓度p型碳化硅区域、绝缘介质层、金属填充微互联结构、金属填充电场限制微结构、高电子浓度n型碳...
    2025-12-25
  • 传感器及其制备方法、电子设备
    传感器及其制备方法、电子设备_河南师范大学_202511186473.X
    本公开实施例涉及电子器件技术领域，提供一种传感器及其制备方法、电子设备，以在极端光线环境下获取高韦伯对比度的图像，从而提高产品性能和适用范围。传感器包括：衬底；依次叠层设置在衬底之上的铁电层和第一N型半导体层；设置在衬底之上的第二N型半导体...
    2025-12-25
  • 一种半导体器件及其制备方法和用途
    一种半导体器件及其制备方法和用途_积石芯材(杭州)科技有限公司_202511209248.3
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和用途。半导体器件包括基底层，功能薄膜层，电极结构层；功能薄膜层为MoxEu1‑xS2薄膜层，具有二维铺展的晶体结构，所述晶体结构属于六方晶系，由金属原子和硫原子组成，其中金属原子亚晶格位于一个平面，记为...
    2025-12-25
  • 一种氧化锗PN结日盲探测器
    一种氧化锗PN结日盲探测器_宁波大学_202510981495.9
    本发明公开一种氧化锗PN结日盲探测器，包括：基板；半导体膜层，设于所述基板上，包括多个第一半导体薄膜层和多个第二半导体薄膜层，两个薄膜层互为异相，且交替层叠设置，形成量子阱结构；漏极和源极，设于所述半导体膜层远离所述基板的一面上，所述漏极和...
    2025-12-25
  • 一种基于MgO/Ga2O3异质外延结构的紫外偏振探测器及制备方法
    一种基于MgO/Ga2O3异质外延结构的紫外偏振探测器及制备方法_南京邮电大学_202511143737.3
    本发明公开了一种基于MgO/Ga2O3异质外延结构的紫外偏振探测器，包括具有特定晶向的MgO衬底，在衬底上异质外延生长的Ga2O3薄膜，Ga2O3薄膜上制备的第一金属电极和第二金属电极。所述衬底为氧化镁晶片，具有特定的晶体结构取向，其晶体结...
    2025-12-25
  • 一种暗电流减小的光电探测器芯片及其制备方法
    一种暗电流减小的光电探测器芯片及其制备方法_福建中科光芯光电科技有限公司_202511213134.6
    本发明提供了一种暗电流减小的光电探测器芯片及其制备方法，包括阳极、P型接触层、吸收层、过渡层、N型接触层以及阴极；所述阳极、P型接触层、吸收层、过渡层以及N型接触层依次层叠设置；锌扩散深度完全覆盖P型接触层以及部分吸收层。应用本技术方案可实...
    2025-12-25
  • 一种横向PIN结构的光电探测器及其制备方法
    一种横向PIN结构的光电探测器及其制备方法_广州光电存算芯片融合创新中心_202511200078.2
    本发明公开了一种横向PIN结构的光电探测器及其制备方法，属于光电子器件及制备技术领域，光电探测器包括绝缘体上硅、硅外延层、锗外延层、顶部氧化硅层和电极层；其中：顶层硅设置于绝缘体上硅的最上层，硅外延层沿第一方向依次包括分离的第二N型掺杂区域...
    2025-12-25
  • 一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用
    一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用_南京邮电大学_202511605885.2
    本发明公开一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用，属于光电器件技术领域。该光电探测器包括衬底和在其上依次设置的TMDC材料层、Weyl半金属材料层和薄膜电极，其中，TMDC材料层和Weyl半金属材料层构成范德华异质结；此器件可...
    2025-12-25
  • 一种光电探测器及其制作方法、光伏电池
    一种光电探测器及其制作方法、光伏电池_北京理工大学_202511199829.3
    本发明涉及一种光电探测器及其制作方法、光伏电池，属于光电探测器技术领域，解决现有长距离扩散会导致光生载流子的高复合率，从而限制响应度光电性能的问题。该器件包括：第一电极位于半导体衬底上方；石墨烯底电极位于第一电极上方，用于扩大二硫化钨‑硒化...
    2025-12-25
  • 一种半垂直异质结光电探测器及其制作方法
    一种半垂直异质结光电探测器及其制作方法_北京理工大学_202511199820.2
    本发明涉及一种半垂直异质结光电探测器及其制作方法，属于光电探测器技术领域，解决硒氧化铋的高迁移率会导致高暗电流及高复合率会限制响应度问题。该器件包括：半导体衬底；第一电极和第二电极在半导体衬底上方分别位于半导体衬底的相对两侧处；沟道区，于第...
    2025-12-25
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