Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种热致液晶聚芳酯纤维的生产方法
    一种热致液晶聚芳酯纤维的生产方法_北京中丽制机工程技术有限公司_202511422156.3
    本发明公开了一种热致液晶聚芳酯纤维的生产方法，先将热致液晶聚芳酯进行切片干燥处理，预先去除原料中的水分，避免后续高温熔融时因水分汽化导致熔体产生气泡，进而影响纤维成型质量；随后原料进入挤压机进行高温熔融压缩，挤压机的螺杆结构通过稳定的旋转推...
    2026-03-03
  • 一种高性能熔体直纺聚酯纤维纺丝设备及纺丝方法
    一种高性能熔体直纺聚酯纤维纺丝设备及纺丝方法_桐昆集团浙江恒超化纤有限公司_202511309182.5
    本发明涉及纺织材料生产技术领域，公开了一种高性能熔体直纺聚酯纤维纺丝设备，包括支撑架，所述的顶端固定连接有保温仓，所述保温仓的内壁底端固定连接有吐丝机构，所述保温仓的内壁底端固定连接有电机一，所述电机一的驱动端固定连接有传动杆，所述传动杆的...
    2026-03-03
  • 一种静电纺丝装置及其控制系统
    一种静电纺丝装置及其控制系统_河北工业大学_202511549620.5
    本发明提供了一种静电纺丝装置及其控制系统，涉及静电纺丝技术领域。装置包括喷射部、接收部、传感器及控制器；所述喷射部包括喷头、第一电机、导轨及滑块；所述第一电机，用于程控驱动所述滑块沿所述导轨进行直线往复移动；所述喷头固定于所述滑块上；所述接...
    2026-03-03
  • 一种纤维共纺装置及方法
    一种纤维共纺装置及方法_中国石油化工股份有限公司_202410711323.5
    本发明提供一种纤维共纺装置及方法，涉及纤维共纺技术领域，该装置包括：共纺喷头，共纺喷头包括壳体，壳体内设置有熔体物料通道、溶液物料通道和共混流体通道，熔体物料通道、溶液物料通道和共混流体通道的一端相互连接；第一供料结构和第二供料结构，第一供...
    2026-03-03
  • 一种纺丝喷头、纺丝装置及纺丝方法
    一种纺丝喷头、纺丝装置及纺丝方法_中国石油化工股份有限公司_202410711316.5
    本发明提供一种纺丝喷头、纺丝装置及纺丝方法，涉及纺丝技术领域，包括：喷头本体，喷头本体的内部设置有腔体，喷头本体的一端设置有进料口，喷头本体的另一端沿周向设置有多个悬针，悬针与喷头本体的另一端滑动配合；进风管，进风管插设在腔体内，且进风管与...
    2026-03-03
  • 一种酸-碱协同生物酶辅助的苎麻绿色脱胶方法
    一种酸-碱协同生物酶辅助的苎麻绿色脱胶方法_长江师范学院_202511239746.2
    本发明涉及苎麻纤维脱胶工艺技术领域，具体是一种酸‑碱协同生物酶辅助的苎麻绿色脱胶方法，所述方法采用NaOH‑H2SO4协同处理体系，通过酸浸‑碱浸两步法协同作用，酸浸阶段用1％‑5％H2SO4溶液添加表面活性剂等处理，碱煮阶段用2％‑6％N...
    2026-03-03
  • 一种标准化环境耐受型微生物元件库及其应用
    一种标准化环境耐受型微生物元件库及其应用_中国人民解放军军事科学院军事医学研究院_202511176552.2
    本发明公开了一种标准化环境耐受型微生物元件库及其应用，属于生物工程技术领域。该元件库通过对环境耐受型基因或其调控元件进行位点修饰、添加含特定酶切位点的前缀和后缀进行序列标准化及克隆构建，获得多个标准化环境耐受型微生物元件并组成元件库。其中，...
    2026-03-03
  • 一种从稀土元素掺杂单晶材料表面剥离单晶光纤的方法
    一种从稀土元素掺杂单晶材料表面剥离单晶光纤的方法_山东大学_202510974308.4
    本发明涉及一种从稀土元素掺杂单晶材料表面剥离单晶光纤的方法，本发明采用离子束技术技术，成功从稀土元素掺杂石榴石晶体表面直接剥离晶体光纤结构，得到单晶光纤，该单晶光纤在结构上与常规光纤类似，直径为数微米级，长度能够超过1厘米，具备引导光信号传...
    2026-03-03
  • 双波长激光平整金刚石的方法
    双波长激光平整金刚石的方法_钱塘科技创新中心_202410718310.0
    本发明公开了一种双波长激光平整金刚石的方法，包括以下步骤：步骤一：在衬底表面进行多段式生长，获得至少两层不同的金刚石膜，最外层金刚石膜的厚度为40～350μm，最外层金刚石膜比内层金刚石膜的致密性低；步骤二：对步骤一得到的金刚石进行切割、清...
    2026-03-03
  • 有机无机杂化丙二酸盐极性晶体材料及其制备方法和应用
    有机无机杂化丙二酸盐极性晶体材料及其制备方法和应用_四川师范大学_202511323463.6
    本发明公开了有机无机杂化丙二酸盐极性晶体材料及其制备方法和应用，属于光学晶体材料技术领域；该有机无机杂化丙二酸盐极性晶体材料的化学式为RbLi(C3H2O4)·H2O。本发明还公开了有机无机杂化丙二酸盐极性晶体材料的制备方法和应用。本发明的...
    2026-03-03
  • 一种气相法制备碳化硅晶体的生长炉及生长方法
    一种气相法制备碳化硅晶体的生长炉及生长方法_浙江德奥半导体科技有限公司_202511599476.6
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种气相法制备碳化硅晶体的生长炉及生长方法，包括炉体，炉体包括加热炉、保温层、设置在保温层内的底托与坩埚、设置在保温层中间的隔离组件；填料机构、填料机构设置在隔离组件内且用于将原料填入到坩埚中并在长...
    2026-03-03
  • 一种适用于PVT法提高坩埚使用寿命和晶体质量的圆台石墨坩埚
    一种适用于PVT法提高坩埚使用寿命和晶体质量的圆台石墨坩埚_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511188478.6
    本申请涉及晶体生长技术领域，公开了一种适用于PVT法提高坩埚使用寿命和晶体质量的圆台石墨坩埚，旨在解决现有PVT法碳化硅单晶生长中坩埚内壁化学侵蚀及有害碳颗粒传输问题。该圆台石墨坩埚其特征在于，包括：圆台形状的坩埚主体，内壁涂覆由碳化硅和硼...
    2026-03-03
  • 一种稳定钛酸铝晶须及基于非水沉淀法制备稳定钛酸铝晶须的方法与应用
    一种稳定钛酸铝晶须及基于非水沉淀法制备稳定钛酸铝晶须的方法与应用_景德镇陶瓷大学_202511244758.4
    本发明提供了一种稳定钛酸铝晶须及基于非水沉淀法制备稳定钛酸铝晶须的方法与应用，属于高性能无机材料技术领域。本发明通过以异丙醇铝、乙醇铝为铝源，钛酸丁酯、钛酸乙酯为钛源，乙酸镁、乙醇镁为掺杂剂，钼酸钠和氯化钠为熔盐，并将其加入有机溶剂中，获得...
    2026-03-03
  • 一种铌钽氧氟酸铵盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用
    一种铌钽氧氟酸铵盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用_同济大学_202511270968.0
    本发明涉及一种铌钽氧氟酸铵盐二阶非线性光学晶态材料及其制备和应用，所述材料的化学式为(NH4)5(NbOF4)(TaF7)2，该晶态材料属于四方晶系，空间群为I4cm，其晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝2。在1064nm激光辐照下，本发明...
    2026-03-03
  • 一种单晶富锂正极材料及其制备方法和应用
    一种单晶富锂正极材料及其制备方法和应用_河南师范大学_202511316398.4
    本发明公开了一种单晶富锂正极材料及其制备方法和应用，将过渡金属源、纳米金属粉和锂源通过机械混合得到前驱体混合物；然后经过烧结，随炉冷却至室温，即得到表面包覆尖晶石层和金属离子掺杂的所述单晶富锂正极材料。该材料具有高振实密度、优异倍率和循环稳...
    2026-03-03
  • 一种碳化硅化学气相沉积反应设备及方法
    一种碳化硅化学气相沉积反应设备及方法_浙江晶越半导体有限公司_202511597780.7
    本发明涉及公开了一种碳化硅化学气相沉积反应设备及方法。涉及半导体材料成型技术领域。本申请具体包括导流腔体和长晶腔体，导流腔体中设有第一气体通道和第一加热件，第一气体通道呈折弯状延伸，第一加热件在第一气体通道的内壁均匀分布；长晶腔体中设有第二...
    2026-03-03
  • 一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备
    一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备_浙江晶越半导体有限公司_202511605269.7
    本说明书实施例公开了一种碳化硅升华法晶体的生长调控方法、装置及电子设备。该方法包括获取碳化硅晶体的参数数据，以根据参数数据模拟碳化硅晶体对应的物理场数据；基于物理场数据，确定碳化硅晶体的当前生长阶段，并确定当前生长阶段对应的第一预测模型；以...
    2026-03-03
  • 一种碳化硅制造用加热装置
    一种碳化硅制造用加热装置_江苏兑尚半导体科技有限公司_202511228466.1
    本发明涉及晶体生长设备技术领域，且公开了一种碳化硅制造用加热装置，包括自动控温升降组件以及辅助升降控制机构，本发明通过自动控温升降组件以及辅助升降控制机构输入稳定的工作电流控制坩埚进行位置移动，坩埚移动至碳化硅制造装置内部进行碳化硅加工过程...
    2026-03-03
  • 一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备
    一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备_青岛赛瑞得伟创电子科技有限公司_202511328390.X
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备。具体内容如下：对衬底进行预处理，制备出衬底的微观坑槽，根据相图信息，制备均匀溶液；在多区控温外延炉中设定温度梯度，通过舟装置对衬底外延生长进行控制，将衬底...
    2026-03-03
  • 一种氮化镓外延片生长托盘支撑设备
    一种氮化镓外延片生长托盘支撑设备_中科空间半导体科技(北京)有限公司_202511209726.0
    本发明涉及氮化镓生产技术领域，具体地涉及一种氮化镓外延片生长托盘支撑设备，包括定位部件，定位部件的顶端固定安装有封盖，定位部件的底端固定安装有导送装置，导送装置包括第一液压缸、推杆、第一接触杆、第一光电感应器、第一齿条、第一齿轮、第二齿轮、...
    2026-03-03
首页 上一页 12 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证