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最新专利技术
  • 功率半导体模块和功率转换器
    功率半导体模块和功率转换器_LX半导体科技有限公司_202580001910.8
    一种功率半导体模块可以包括：公共漏极焊盘；第一功率半导体器件，该第一功率半导体器件位于公共漏极焊盘的第一区域上；第二功率半导体器件，该第二功率半导体器件位于公共漏极焊盘的第二区域上；成型层，该成型层围绕第一功率半导体器件和第二功率半导体器件...
    2025-12-18
  • 功率模块
    功率模块_国立大学法人东北大学_202480024198.9
    本发明提供一种小型化的功率模块。功率模块(1)包括第一基板(10)、第二基板(20)、第一流路形成部(30)和第二流路形成部(40)，所述第一基板(10)包括至少一对彼此不连接的导体部(11)、与任一个导体部(11)连接的一个或多个功率半导...
    2025-12-18
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社力森诺科_202480024065.1
    一种半导体装置，具备：基板；层叠芯片，由层叠在基板的主面上的多个半导体芯片形成；固定层，配置在基板的主面与层叠芯片之间及层叠芯片中的多个半导体芯片之间；及圆角，以从基板的主面与层叠芯片之间及层叠芯片中的多个半导体芯片之间溢出的方式，从固定层...
    2025-12-18
  • 电路板和包括该电路板的半导体封装
    电路板和包括该电路板的半导体封装_LG伊诺特有限公司_202480031278.7
    根据实施例的半导体封装包括绝缘层、设置在绝缘层上的保护层、嵌入绝缘层中的电极部、以及设置在保护层上的凸块部，其中电极部包括连接到凸块部的过孔电极，绝缘层和保护层中的每一个包括通孔，过孔电极设置在通孔中，并且形成通孔的绝缘层的内壁和保护层的内...
    2025-12-18
  • 3D存储器单元和阵列架构
    3D存储器单元和阵列架构_NEO半导体公司_202480028926.3
    公开了各种3D存储器单元、阵列架构和工艺。在一个实施例中，提供了一种单元结构，包括：第一材料，其形成位线；第二材料，其形成耦合到位线的第一部分的存储区；以及第三材料，其形成连接到存储区和位线的第二部分和第三部分的沟道。单元结构还包括：第四材...
    2025-12-18
  • 电感器件
    电感器件_高通股份有限公司_202480030743.5
    一种电感器件包括多个封装器件，每个封装器件包括主体和位于该主体内的导体层以及一组外部连接器。封装器件的导体层包括电连接到该封装器件的一组外部连接器的一组导线。电感器件的两个封装器件的导线相对于彼此成角度。封装器件的外部连接器彼此耦合来电连接...
    2025-12-18
  • 功率半导体封装件
    功率半导体封装件_沃孚半导体公司_202480030652.1
    提供了功率半导体封装件。在一个示例中，功率半导体封装件可以包括功率半导体芯片。功率半导体封装件可以包括壳体，该壳体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧。功率半导体封装件可以包括从第一侧延伸的一个或多个电气引线。功率半导体封装件可以包括在第二侧的...
    2025-12-18
  • 用于控制半导体封装中的底部填充物溢出的方法和系统
    用于控制半导体封装中的底部填充物溢出的方法和系统_爱思开海力士存储器产品解决方案公司(亦以思得名称营业)_202480026539.6
    本申请针对控制半导体封装中的底部填充物溢出。第一基板安置于支撑基板上，且托架结构放置于所述支撑基板上，所述托架结构与所述第一基板具有第一间隔。底部填充材料施加于所述支撑基板上。所述托架结构自动地控制所述底部填充材料的溢出。在一些实施例中，根...
    2025-12-18
  • 中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物
    中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物_迪睿合株式会社_202480031622.2
    中子射线屏蔽材是屏蔽中子射线的中子射线屏蔽材，含有硼化物，所述硼化物的平均粒径为500μm以下。
    2025-12-18
  • 中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物
    中子射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物_迪睿合株式会社_202480031601.0
    中子射线屏蔽材是屏蔽中子射线的中子射线屏蔽材，含有硼化氢。
    2025-12-18
  • 放射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物
    放射线屏蔽材、半导体装置用屏蔽材、半导体装置用包装体、核反应堆用屏蔽材、核反应堆容纳容器、核反应堆建筑物、核聚变堆用屏蔽材、核聚变堆及核聚变堆建筑物_迪睿合株式会社_202480031183.5
    放射线屏蔽材是屏蔽放射线的放射线屏蔽材，含有硼化物。
    2025-12-18
  • 半导体封装、半导体装置及用于制造半导体封装的方法
    半导体封装、半导体装置及用于制造半导体封装的方法_索尼半导体解决方案公司_202480027238.5
    本发明抑制了在设置有两个半导体芯片的半导体封装中由热量引起的任何性能劣化。该半导体封装包括第一半导体芯片、第一引线框架、第二半导体芯片以及第二引线框架。第一半导体芯片安装在第一引线框架的第一岛部上。第二引线框架的第二岛部与第一岛部以规定的间...
    2025-12-18
  • 在混合接合中的高强度选择性电介质
    在混合接合中的高强度选择性电介质_应用材料公司_202480027269.0
    一种用于半导体装置的在顶表面上具有高介电常数介电膜的结构可以用于形成由具有减少的介电表面区域及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的装置。介电膜的介电常数可以是约或大于8。可以将结构的介电膜与类似结构的介电膜混合接合来形成装置。用于形成结...
    2025-12-18
  • 在焊合系统上处理基板的方法以及相关的焊合系统
    在焊合系统上处理基板的方法以及相关的焊合系统_库利克和索夫工业公司_202480019963.8
    提供一种在焊合系统上处理基板的方法。所述方法包括：(a)在焊合系统上提供氧化物还原传送系统；(b)在所述焊合系统的支撑结构上支撑基板；以及(c)相对于彼此移动所述氧化物还原传送系统和所述支撑结构的至少其中之一，使得由所述氧化物还原传送系统提...
    2025-12-18
  • 静电吸盘
    静电吸盘_巴川集团股份有限公司_202480030934.1
    本发明的静电吸盘具备：第一电极(11)、第二电极(12)以及绝缘部件(13)，在至少一个部位包括在绝缘部件(13)相对于第一电极(11)的一侧和绝缘部件(13)相对于第二电极(12)的一侧中的至少一侧具有间隙(14、15)的结构，对于选自第...
    2025-12-18
  • 基片处理系统
    基片处理系统_东京毅力科创株式会社_202480024797.0
    本发明提供一种提高设置在运送臂上的传感器的测量精度的技术。本发明提供一种包括基片处理装置、运送装置和控制部的基片处理系统。基片处理装置包括基片处理腔室、基片支承部以及具有第一水平面和第一倾斜面的边缘环。运送装置包括运送腔室、运送臂、光学传感...
    2025-12-18
  • 用于基于垫的化学磨光的后CMP清洁的压迫间隙控制
    用于基于垫的化学磨光的后CMP清洁的压迫间隙控制_应用材料公司_202480029087.7
    本公开案的实施方式包括清洁基板的设备及方法。清洁基板的方法包括：通过第一马达来旋转基板桌，输送流体至基板的表面，所述基板放置于清洁模块的所述基板桌的支撑表面上；以清洁速度来旋转清洁垫，且使用控制器来感测由第二马达所产生的初始扭力值；使用升降...
    2025-12-18
  • 制造系统中的晶片的光学检查
    制造系统中的晶片的光学检查_应用材料公司_202480027343.9
    本案揭露了用于快速且有效地检测晶片中的缺陷的系统和技术，包括具有耦接到晶片载器和装载闸腔室的工厂接口(FI)的系统。FI包括机器人，机器人从晶片载体取得晶片并将第一晶片移送至对准器装置。对准器装置向晶片施加旋转运动并使用晶片的旋转运动来识别...
    2025-12-18
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_雅马哈智能机器株式会社_202480024426.2
    半导体装置的制造方法是制造如下半导体装置的方法，所述半导体装置包括具有构成电性连接的连接区域以及不构成电性连接的非连接区域的芯片的主表面。半导体装置的制造方法具有：第一工序，通过将具有与连接区域R1的平面形状对应的拾取部的工具压接到烧结基材...
    2025-12-18
  • 层叠体、层叠体的制造方法、半导体装置的制造方法
    层叠体、层叠体的制造方法、半导体装置的制造方法_东丽株式会社_202480027617.4
    本发明涉及一种在激光透过性基板1上依次层叠有激光吸收性临时接着层1、保护层1、以及半导体层1的层叠体。
    2025-12-18
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