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最新专利技术
  • 巨量转移装置及巨量转移方法
    巨量转移装置及巨量转移方法_成都辰显光电有限公司_202411280784.8
    本申请提供一种巨量转移装置及巨量转移方法，涉及显示技术领域。上述巨量转移装置包括转移单元以及对位移动平台，转移单元包括磁性转移组件。对位移动平台通过磁性转移组件与发光器件中的磁性衬底作用的磁吸力，将发光器件转移至目标基板上，其中，磁性转移组...
    2026-03-28
  • 钙钛矿量子点MicroLED光互连芯片的封装结构
    钙钛矿量子点MicroLED光互连芯片的封装结构_苏州思凯莱特光电科技有限公司_202511909210.7
    本发明涉及芯片加工技术领域，具体为钙钛矿量子点MicroLED光互连芯片的封装结构，包括底板，所述底板上端左右对称均固定安装有固定架；还设有用于对封装芯片进行固定加压的固定加压机构，所述固定加压机构包括滑动安装在两侧固定架上的夹条，夹条相互...
    2026-03-28
  • 一种基于粘弹性导电光刻胶的Micro-LED修复与键合方法
    一种基于粘弹性导电光刻胶的Micro-LED修复与键合方法_福州大学_202511869720.6
    本发明属于微电子材料技术领域，公开了一种基于粘弹性导电光刻胶的Micro‑LED修复与键合方法。该方法通过制备含导电纳米粒子、光刻胶基体、光敏气化聚合物及粘弹性聚合物的导电光刻胶图形，利用特定波长激光触发气化分解推动修复结构转移至焊盘缺损位...
    2026-03-28
  • 一种发光二极管用荧光胶层及其封装体
    一种发光二极管用荧光胶层及其封装体_江苏罗化新材料有限公司_202511846379.2
    本发明公开了一种发光二极管用荧光胶层及其封装体，在本发明的发光二极管封装体的制备方法中，通过对生长衬底进行切割处理以形成多个发光模块，使得每个所述发光模块包括第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，有效减少了切割次数，进而简化了切割工艺...
    2026-03-28
  • 一种适用于智能家电的高显色LED灯珠方法
    一种适用于智能家电的高显色LED灯珠方法_深圳市中巨光电技术有限公司_202511805255.X
    本申请涉及一种适用于智能家电的高显色LED灯珠方法，该方法包括：构建蓝光主芯片与630纳米红光辅助芯片共基板倒装结构，配置覆盖主芯片的YAG : Ce3+黄色荧光层及含CaAlSiN3 : Eu2+与β‑SiAlON : Eu2+的远程复合...
    2026-03-28
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_海信视像科技股份有限公司_202511644262.6
    本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，该显示面板的制备方法包括如下步骤：提供基板；其中，基板包括正面、背面和侧面，正面与背面相对设置，且正面通过侧面与背面相连；在正面形成阵列排布的多个发光元件；在发光元件背离基板的...
    2026-03-28
  • 一种显示面板的切割方法
    一种显示面板的切割方法_海信视像科技股份有限公司_202411245294.4
    本发明实施例提供的一种显示面板的切割方法，包括：在基板的发光器件上形成封装层；封装层的边缘超出第一侧边设定距离；在第一侧边的侧壁上形成保护层；将切割刀具设置在基板的背离发光器件的一侧，对超出第一侧边的封装层进行切割处理，切割刀具的切割线与第...
    2026-03-28
  • 侧面走线制备方法、面板制备方法及面板、显示设备
    侧面走线制备方法、面板制备方法及面板、显示设备_海信视像科技股份有限公司_202411147413.2
    本申请一些实施例提供了一种侧面走线制备方法、面板制备方法及面板、显示设备。在制备侧面走线前，待加工面板的第一端子区为一完整的金属层，即第一金属层，这样保护膜就可以与面板表面及第一金属层完全贴合，在制备第二金属层时，不会有金属材料渗入保护膜所...
    2026-03-28
  • 一种垂直LED结构、显示面板及制备方法
    一种垂直LED结构、显示面板及制备方法_成都辰显光电有限公司_202411215606.7
    本发明涉及LED组装技术领域，公开了一种垂直LED结构、嵌合结构、制备方法及应用，包括呈凸状型的LED本体，从所述LED本体的其中一端面到相对的另一端面依次设置有N‑电极层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和P‑电极层，且所述LED本体...
    2026-03-28
  • 一种发光器件
    一种发光器件_深圳循光科技有限公司_202411293709.5
    本发明涉及半导体发光技术领域，公开了一种发光器件，其包括基板、发光芯片、第一荧光胶层和第二荧光胶层。发光芯片设于基板上。第一荧光胶层至少覆盖发光芯片的上表面。第一荧光胶层内设第一荧光颗粒。第二荧光胶层其至少覆盖第一荧光胶层的上表面，第二荧光...
    2026-03-28
  • 倒装LED芯片及其制备方法
    倒装LED芯片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202610194833.9
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：衬底，层叠于衬底上的外延层、绝缘保护层、反射层、第一绝缘层、P型金属导电层、N型金属导电层、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层；反射层设于P型半导体...
    2026-03-28
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_旭化成微电子株式会社_202511872958.4
    本发明提供一种高性能的半导体器件及半导体器件的制造方法。半导体器件具备活性层和层叠于活性层之上的阻挡层，活性层包含砷或锑，阻挡层包含铝，将阻挡层层叠于活性层的方向设为深度方向，在从活性层到阻挡层的深度方向的原子浓度的分布中，氢浓度的上升位置...
    2026-03-28
  • 一种红光Micro LED的外延片及其制备方法
    一种红光Micro LED的外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511844710.7
    本发明公开了一种红光micro发光二极管外延片及其制备方法，所述外延片是在N型AlInP限制层和多量子阱层之间，依次设置n侧电子缓冲层和n侧AlInP过渡层。所述n侧电子缓冲层为周期性的AlxIn1‑xAsyP1‑y/Al0.4In0.6P...
    2026-03-28
  • Micro-LED芯片及其制备方法
    Micro-LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610187022.6
    本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法。Micro‑LED芯片包括：外延层、电流扩展层、P型金属导电层、N型金属导电层、DBR反射层、P型焊盘层和N型焊盘层；外延层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和...
    2026-03-28
  • 一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源
    一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源_江西兆驰半导体有限公司_202511715708.X
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括由下至上依次周期性...
    2026-03-28
  • 一种倒装LED及其制备方法
    一种倒装LED及其制备方法_福建兆元光电有限公司_202610093653.1
    本发明公开了一种倒装LED及其制备方法，在衬底上生长外延层，根据切割道区域对外延层进行刻蚀并露出衬底；在蚀刻后的外延层上依次制备透明导电层、主反射镜层和PAD层；在已制备PAD层的LED芯片的表面沉积第一保护层，在第一保护层的表面对应切割道...
    2026-03-28
  • 一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架
    一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架_深圳市明格精密科技有限公司_202511932953.6
    本发明实施例涉及LED支架技术领域，公开了一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架，该方法包括：对金属基材进行蚀刻处理以使金属引线框架上有用于电气连接的第一区域和用于结构支撑的第二区域；通过将可移除的第一材料覆盖于第一区域表面以形成保护...
    2026-03-28
  • 一种LED芯片的制备方法及LED芯片
    一种LED芯片的制备方法及LED芯片_江西乾照光电有限公司_202511927922.1
    本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，涉及发光二极管技术领域，先形成堆叠结构，堆叠结构包括第一衬底和位于第一衬底一侧的外延叠层，外延叠层经过台面刻蚀后在背离第一衬底的一侧具有台面和凹槽；然后，在外延叠层背离第一衬底的一侧形成n层...
    2026-03-28
  • 一种LED芯片的封装装置及封装方法
    一种LED芯片的封装装置及封装方法_深圳市卢米斯科技有限公司_202511911769.3
    本发明公开了一种LED芯片的封装装置及封装方法，涉及封装装置领域，包括工作台、移动架、承载机构、点胶机构、驱动机构、消泡机构和切断机构，承载机构设置于工作台上，点胶机构设置于工作台上，用于对LED芯片进行点胶封装，驱动机构设置于移动架的内部...
    2026-03-28
  • 一种绿光LED外延结构的生长方法
    一种绿光LED外延结构的生长方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511865039.4
    本发明适用于LED制备技术领域，提供了一种绿光LED外延结构的生长方法，采用MOCVD工艺，依次生长成核层、不掺杂U型高温GaN层、持续掺杂Si的N型高温GaN、多量子阱发光层、掺Al和Mg的P型AlGaN层、掺Mg的高温P型GaN层；复合...
    2026-03-28
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