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最新专利技术
  • 电极生产装置和包括通过其生产的电极的电池电芯及包括电池电芯的电池组和车辆
    电极生产装置和包括通过其生产的电极的电池电芯及包括电池电芯的电池组和车辆_株式会社LG新能源_202480011303.5
    公开了一种电极生产装置、包括通过该电极生产装置生产的电极的电池电芯、以及包括该电池电芯的电池组和车辆。根据本发明的实施方式的电极生产装置包括：传送构件，该传送构件用于传送涂覆有电极活性材料的电极箔；激光构件，该激光构件用于朝向电极箔发射激光...
    2025-10-30
  • 头皮清洗器用喷嘴及头皮清洗器
    头皮清洗器用喷嘴及头皮清洗器_株式会社岩田铁工所_202411155263.X
    本发明提供能够有效地去除堵塞在毛孔中的皮脂污垢等，能够使毛根露出的头皮清洗器用喷嘴及头皮清洗器。喷嘴(1)具备：第一平板部(11)；第二平板部(21)；第一周壁部(12)及第二周壁部(22)，在第一平板部与第二平板部之间形成有储存空间(S)...
    2025-10-30
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202411164643.X
    本案涉及一种半导体存储装置。存储器具备写入用的第1数据线及第1控制线、与读出用的第2数据线及第2控制线。存储单元包含：第1晶体管，栅极连接于第1控制线，一端连接于第1数据线；第2晶体管，栅极连接于第2控制线，一端连接于第2数据线；及第3晶体...
    2025-10-30
  • 储能模组
    储能模组_三星SDI株式会社_202411174208.5
    一种储能模组包括：冷却剂罐，用于储存冷却剂；灭火剂罐，用于储存灭火剂；管，连接到冷却剂罐和灭火剂罐；多个冷却板，连接到管；以及多个电池模组，分别联接到多个冷却板。电池模组中的每个包括电池单体，并且电池单体在其一个端部分中具有排气件并且电池单...
    2025-10-30
  • 用于估计SOH的装置和方法
    用于估计SOH的装置和方法_株式会社LG新能源_202480011678.1
    根据本公开的一个方面的用于估计SOH的装置可以包括：曲线获得单元，其被配置为获得在不同时间点处测量的电池的多个OCV的OCV曲线；曲线校正单元，其被配置为通过调整预设标准正极曲线和预设标准负极曲线以与OCV曲线相对应来生成调整后的正极曲线和...
    2025-10-30
  • 储能系统
    储能系统_三星SDI株式会社_202411180912.1
    一种储能系统包括：电池架，包括架框和容纳在架框中的多个电池模组；主管，在电池架中；以及灭火剂罐和传感器，选择性地连接到主管。当传感器被连接到主管时，传感器被配置以通过从主管吸入空气来感测电池架中的事件。
    2025-10-30
  • 一种耐久型再生橡胶沥青的制备方法
    一种耐久型再生橡胶沥青的制备方法_江苏丰宇工程技术有限公司_202511070685.1
    本发明公开了一种耐久型再生橡胶沥青的制备方法，涉及橡胶沥青制备技术领域。本发明先通过表面张力及毛细作用实现氯代棕榈油甲酯包覆硅藻土，使其转为憎水性，提高耐寒性，同时硅藻土导热系数较低，实现阻燃效果；然后与磷烯醇丙酮酸结合制得改性粉末，引入磷...
    2025-10-30
  • 车辆电力系统和包括车辆电力系统的冷藏车
    车辆电力系统和包括车辆电力系统的冷藏车_现代自动车株式会社_202411185275.7
    本发明公开了车辆电力系统和包括车辆电力系统的冷藏车。一种动力系统可以包括：电机系统，该电机系统被配置为使用车辆的被配置用于行驶的电力，其中该电机系统被配置为用于基于该电力来控制该车辆的移动；被配置为用于使用该车辆的被配置为用于非行驶的第一电...
    2025-10-30
  • 液滴配方的产生方法、压印方法及半导体装置的制造方法
    液滴配方的产生方法、压印方法及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202411189134.2
    本发明的实施方式涉及一种液滴配方的产生方法、压印方法及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的液滴配方的产生方法是获取表示设置于衬底的多个曝光区域中包含阶差的第1曝光区域中的阶差的位置的第1信息、及表示衬底的外缘部的位置的第2信息，基于所获...
    2025-10-30
  • 陶瓷热喷涂材料及其制造方法
    陶瓷热喷涂材料及其制造方法_美可有限公司_202411192827.7
    本发明公开一种陶瓷热喷涂材料及其制造方法。所述陶瓷热喷涂材料包括：陶瓷颗粒粉末；以及有机化合物，对所述陶瓷颗粒粉末的表面进行改性并且包含含有铵基的硬脂酸。
    2025-10-30
  • 编辑工作流的方法、装置、设备和存储介质
    编辑工作流的方法、装置、设备和存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202480005870.X
    根据本公开的实施例，提供了编辑工作流的方法、装置、设备和存储介质。该方法包括：显示工作流的编辑界面，工作流包括一组节点；响应于接收到对一组节点中的目标节点的预设操作，确定与目标节点相关联的第一资源标识符；以及基于第一资源标识符，在编辑界面中...
    2025-10-30
  • 存储器装置以及操作存储器装置的方法
    存储器装置以及操作存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411195175.2
    本公开提供了一种存储器装置以及操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：存储块，包括多个存储器单元；源极线驱动器，被配置为在擦除操作期间将擦除电压施加到存储块的源极线；页面缓冲器组，被配置为在擦除操作期间将擦除电压施加到存储块的位线；电压生成...
    2025-10-30
  • 一种弥散型耐磨齿状结构及其制作方法
    一种弥散型耐磨齿状结构及其制作方法_北京跃泽科技有限公司_202411200298.0
    本发明提供了一种弥散型耐磨齿状结构及其制作方法。该方法包括以下步骤：将陶瓷颗粒与可热熔型粘结剂混合成型，得到陶瓷弥散模块；将陶瓷弥散模块放置于齿状结构模具的型腔内对应于齿状结构的耐磨部位的位置处；浇注钢水，使陶瓷弥散模块分散，使陶瓷颗粒弥散...
    2025-10-30
  • 电路控制方法、双有源桥逆变器及电力系统
    电路控制方法、双有源桥逆变器及电力系统_阳光电源(上海)有限公司_202411218500.2
    本申请公开了一种电路控制方法、双有源桥逆变器及电力系统，属于电子电力技术领域。电路控制方法包括：确定双有源桥电路的原边有源桥的目标内移相角，双有源桥电路还包括与所述原边有源桥电连接的变压器；在变压器的副边电压处于上升沿或下降沿时，调节原边有...
    2025-10-30
  • 接触电阻异常诊断方法和接触电阻异常诊断系统
    接触电阻异常诊断方法和接触电阻异常诊断系统_株式会社LG新能源_202480011608.6
    本发明涉及一种接触电阻异常诊断方法和接触电阻异常检测系统，该接触电阻异常诊断方法包括以下步骤：当电池组的电池连接器在多个第一时间点处通过第一连接器联接主体联接到多个电池交换系统(BSS)的多个系统连接器时，从多个BSS接收第一连接器联接主体...
    2025-10-30
  • 车辆控制设备及其方法
    车辆控制设备及其方法_现代自动车株式会社_202411226289.9
    本发明涉及一种车辆控制设备及其方法。所述车辆控制设备包括传感器装置、存储器和控制器。当本车辆行驶时，所述车辆控制设备识别本车辆的第一行驶速度和与本车辆行驶的车道相邻的车道上行驶的至少一个其他车辆的第二行驶速度，利用第一行驶速度和第二行驶速度...
    2025-10-30
  • 基于人工智能引擎的效能增进方法及装置、存储介质及计算机程序产品
    基于人工智能引擎的效能增进方法及装置、存储介质及计算机程序产品_慧荣科技股份有限公司_202411234001.2
    本发明涉及一种基于人工智能引擎的效能增进方法及装置、存储介质及计算机程序产品。该方法由处理单元执行，包含：依据主机端和闪存控制器之间交互的命令和引数以产生第一类参数的值；依据闪存控制器的软件和固件状态产生第二类参数的值；依据闪存模块的状态产...
    2025-10-30
  • 将金属箔卷材原料加工成电极卷材的方法
    将金属箔卷材原料加工成电极卷材的方法_株式会社LG新能源_202480011073.2
    一种将金属箔卷材原料加工成电极卷材的方法，包括以下步骤：操作模涂机以在所述金属箔卷材原料上用活性材料层涂覆所述金属箔卷材原料；将金属箔卷材原料的第一部分从第一供应卷供应到模涂机；提供承载金属箔卷材原料的第二部分的第二供应卷；向金属箔卷材原料...
    2025-10-30
  • 一种多周期调制的驱动组件、方法、系统以及产品
    一种多周期调制的驱动组件、方法、系统以及产品_南京威派视半导体技术有限公司_202480007331.X
    本发明提出了一种多周期调制的驱动组件、方法、系统以及产品。利用例如SDN技术将控制面与硬件解耦，远程控制器可依据受控设备的编码实现不同设备的存储单元数据配置和电路逻辑器件编程，提供多种设备芯片所需的多种周期/非周期时序驱动信号，兼容不同设备...
    2025-10-30
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202411249114.X
    本实施方式的半导体装置具备第一半导体层、第一晶体管、第二晶体管。第一半导体层包含第一面和位于与第一面相反的一侧的第二面，并包含从第一面朝向第二面凹陷的凹区域以及相对于该凹区域突出的第一半导体层的凸区域。第一晶体管包含：设置在第一半导体层的凸...
    2025-10-30
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