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最新专利技术
  • 基于B7-H3的双模态成像探针、制备方法及用途
    基于B7-H3的双模态成像探针、制备方法及用途_首都医科大学附属北京友谊医院_202510411747.4
    本申请公开了一种基于B7‑H3的双模态成像探针、制备方法及用途，该双模态成像探针包括B7‑H3亲和体，所述B7‑H3亲和体的C端连接有近红外荧光染料IR‑Dye800CW，所述B7‑H3亲和体的N端连接有Gd‑DOTA螯合物，所述Gd‑DO...
    2025-09-21
  • 手性环肽与锰离子的配位纳米组装体及其制备方法和应用
    手性环肽与锰离子的配位纳米组装体及其制备方法和应用_同济大学_202510407719.5
    本发明提出一种手性环肽与锰离子的配位纳米组装体及其制备方法和应用，本发明的方法结合锰超氧化物歧化酶蛋白结构域与黑色素瘤高酪氨酸酶的独特肿瘤微环境，首次设计不同手性的多肽序列 L‑ Y ...
    2025-09-21
  • 一种基于压力调节的楼梯搬运结构及使用方法
    一种基于压力调节的楼梯搬运结构及使用方法_中国人民解放军海军军医大学第三附属医院_202510409092.7
    本发明涉及一种基于压力调节的楼梯搬运结构及使用方法，属于特种医疗设备技术领域。包括：安装架，具有用于安装救援设备；两组行走机构，分别安装在安装架的两侧，用于辅助驱动安装架进行移动；速度控制组件，安装在安装架上，与行走机构传动连接，用于主动调...
    2025-09-21
  • 一种静态CT的射线源焦点位置校正方法及系统
    一种静态CT的射线源焦点位置校正方法及系统_北京纳米维景科技有限公司_202510412224.1
    本发明公开了一种静态CT的射线源焦点位置校正方法及系统。该方法包括如下步骤：安装测试工装；获取各个射线源所对应的测试图像；通过每一组测试图像分别计算测试工装的位置；基于测试工装的位置，初步计算各射线源在柱坐标系内的粗算旋转角度；基于粗算旋转...
    2025-09-21
  • 一种新型单导联心房颤动分类识别方法、系统、介质及设备
    一种新型单导联心房颤动分类识别方法、系统、介质及设备_西安交通大学医学院第一附属医院_202510407781.4
    本发明属于生物医学信号处理技术领域，针对目前单导体便携设备记录的心电图由于精确度的原因使得诊断效能不高的技术问题，本发明提出了一种新型单导联心房颤动分类识别方法，通过从单导联心电图信号中提取了来自多个领域的特征，包括时间、频率、时频、相空间...
    2025-09-21
  • 一种粮谷类原料的全利用方法及其制备的产品
    一种粮谷类原料的全利用方法及其制备的产品_中国农业科学院农产品加工研究所_202510412044.3
    本发明涉及食品加工技术领域，尤其涉及一种粮谷类原料全利用的方法及其制备的产品。本发明通过微细化处理‑蒸制‑定量液化糖化‑红曲霉/酵母菌/芽孢杆菌协同发酵‑醋酸菌发酵‑超声波/微波协同催陈相结合，能够提升食用醋风味、营养功能及生产效率。此外，...
    2025-09-21
  • 一种用于防治茶树茶尺蠖的博落回生物碱悬浮剂及其制备方法
    一种用于防治茶树茶尺蠖的博落回生物碱悬浮剂及其制备方法_铜仁职业技术学院_202510410458.2
    本发明属于农药技术领域，具体涉及一种用于防治茶树茶尺蠖的博落回生物碱悬浮剂及其制备方法；所述用于防治茶树茶尺蠖的博落回生物碱悬浮剂，按重量百分比计，包含以下组分：博落回生物碱：5％～50％，茶皂素：1％～10％，分散剂：1％～10％，防冻剂...
    2025-09-21
  • uPEP1多肽在提高银杏总黄酮含量中的应用
    uPEP1多肽在提高银杏总黄酮含量中的应用_南京林业大学_202510408186.2
    本发明公开了uPEP1多肽在提高银杏总黄酮含量中的应用，涉及生物技术领域，本发明经转录组分析显示GbCCR6基因在家族成员中表达量最高。进一步经翻译组分析发现其5’UT R区存在编码14个氨基酸的上游开放阅读框(uORF)，其产物命名为uP...
    2025-09-21
  • 原位生长制备苦参碱-细菌纤维素凝胶及其制备方法、苦参碱-细菌纤维素缓释颗粒及其应用
    原位生长制备苦参碱-细菌纤维素凝胶及其制备方法、苦参碱-细菌纤维素缓释颗粒及其应用_嘉兴大学_202510409010.9
    本发明提供了一种原位生长制备苦参碱‑细菌纤维素凝胶的制备方法，其包括如下步骤：将新鲜的黄酒酒糟用搅拌器打碎，加水煮沸，冷却至60℃，然后加入葡糖淀粉酶充分搅拌均匀，进行酶解，酶解结束后用纱布过滤制得酒糟酶解液；向水中加入蔗糖、红茶，加热煮沸...
    2025-09-21
  • 一种性能梯度变化的碲化铟热电材料及其制备方法
    一种性能梯度变化的碲化铟热电材料及其制备方法_宝鸡文理学院_202510419463.X
    本发明公开了一种性能梯度变化的碲化铟热电材料及其制备方法，碲化铟热电材料的性能呈梯度式变化，且在其服役温度区间具有最大的热电性能，所述碲化铟热电材料分子式为InTe1‑x或GayIn1‑...
    2025-09-21
  • 植入氧化物纳米晶的电子传输层溶液的制备方法及应用
    植入氧化物纳米晶的电子传输层溶液的制备方法及应用_中国电建集团西北勘测设计研究院有限公司_202510415427.6
    本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及植入氧化物纳米晶的电子传输层溶液的制备方法。植入氧化物纳米晶的电子传输层溶液的制备方法，包括以下步骤：将氧化物前驱体研磨至粒径达到微米级，然后分散于溶剂中，得到氧化物分散液；对氧化物分散液采用液相激光辐...
    2025-09-21
  • 发光二极管封装结构及其制备方法
    发光二极管封装结构及其制备方法_京东方华灿华汇智造(广东)有限公司_202510415097.0
    本公开提供了一种发光二极管封装结构及其制备方法。该制备方法包括：将所述发光二极管芯片焊接到所述线路层上，使所述发光二极管芯片与所述线路层电连接；对焊接有所述发光二极管芯片的所述基板进行清洗。在本公开实施例中，在将发光二极管芯片焊接到线路层之...
    2025-09-21
  • 硅基等离激元红外探测器件、探测芯片及其制备方法
    硅基等离激元红外探测器件、探测芯片及其制备方法_华中科技大学_202510414381.6
    本申请公开了硅基等离激元红外探测器件、探测芯片及其制备方法。该硅基等离激元红外探测器件包括：硅基底、位于所述硅基底表面的硅纳米线、位于所述硅纳米线表面的氧化物介质层、位于所述氧化物介质层表面的TiN等离激元层、沉积于所述TiN等离激元层表面...
    2025-09-21
  • 仅选择存储器及其形成方法
    仅选择存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202510414080.3
    本申请提供一种仅选择存储器及其形成方法，先提供衬底，衬底包括存储区和对准区。然后在衬底上形成器件结构，器件结构包括位于存储区的第一存储单元和第一导线、位于对准区的第一介质层、以及位于第一介质层内的第一对准标记，第一导线位于第一存储单元远离衬...
    2025-09-21
  • 一种结合冲击射流的螺旋微通道冷却管
    一种结合冲击射流的螺旋微通道冷却管_西安交通大学_202510418736.9
    本发明涉及一种结合冲击射流的螺旋微通道冷却管，包括管体；所述管体中心的通道为中心导流通道，所述管体内设有螺旋微通道，螺旋微通道环绕在中心导流通道外围，中心导流通道的一端为冷却剂进口，中心导流通道外围设有冲击孔，中心导流通道通过冲击孔与螺旋微...
    2025-09-21
  • 面向无人机机场集群的无人机边缘协同计算方法及系统
    面向无人机机场集群的无人机边缘协同计算方法及系统_中国人民解放军空军预警学院_202510412478.3
    本发明涉及无人机控制技术领域，具体为面向无人机机场集群的无人机边缘协同计算方法及系统，包括以下步骤：基于无人机通信网络，分析无人机类型和实时网络数据流，评估当前网络的拥堵状况，并根据网络状况和数据类型，调整数据压缩比例和多个数据包的传输优先...
    2025-09-21
  • 一种用于电站控制系统的公共计算支撑系统
    一种用于电站控制系统的公共计算支撑系统_中国船舶集团有限公司第七一九研究所_202510420260.2
    本发明提供一种用于电站控制系统的公共计算支撑系统，属于发电控制技术领域，包括：计算模块，用于运行电站控制系统中的应用程序，并为应用程序提供计算资源；数据处理模块，与计算模块通信连接，用于对来自电站控制系统的运行数据进行处理；存储模块，与数据...
    2025-09-21
  • 一种谐振变换器及开关电源
    一种谐振变换器及开关电源_广州金升阳科技有限公司_202510419414.6
    本发明提出一种谐振变换器及开关电源，谐振变换器包括依次连接的一次侧电路，变压器和二次侧电路，其中：一次侧电路包括一次侧储能网络、一次侧开关网络和谐振网络；一次侧开关网络包括并联的第一和第二桥臂；谐振网络包括谐振电感、第一谐振电容、第二谐振电...
    2025-09-21
  • 一种自举驱动电路、控制方法及开关电源
    一种自举驱动电路、控制方法及开关电源_广州金升阳科技有限公司_202510419418.4
    本发明公开了一种自举驱动电路、控制方法及开关电源，所述自举驱动电路包括第一开关管、第一二极管、第一电感、驱动电路、第二二极管、第一电容、第三二极管和第二开关管，所述第二开关管通过拉低所述第一开关管和所述第一二极管的连接点的电压，使得所述驱动...
    2025-09-21
  • 一种斜坡补偿电路及开关电源
    一种斜坡补偿电路及开关电源_广州金升阳科技有限公司_202510419409.5
    本发明公开了一种斜坡补偿电路及开关电源，所述斜坡补偿电路包括：第一斜坡电压产生电路，用于连接所述MCU的第一引脚和第二引脚，在所述第二脉宽控制信号的控制下利用所述第一脉宽控制信号产生第一斜坡电压；放大电路，用于将所述第一斜坡电压信号的幅度放...
    2025-09-21
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