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最新专利技术
  • 一种高质量钙钛矿吸光层的制备方法
    一种高质量钙钛矿吸光层的制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410133563.1
    本发明属于钙钛矿太阳能电池制备领域，具体涉及一种高质量钙钛矿吸光层的制备方法。所述高质量钙钛矿吸光层的制备方法包括：(1)将钙钛矿墨水铺至丝网上，利用钙钛矿墨水的表面张力，以及丝网的网孔壁和钙钛矿墨水之间的粘附力在丝网上形成一层均匀的液膜；...
    2025-09-14
  • 显示模组及其制备方法和显示装置
    显示模组及其制备方法和显示装置_云谷(固安)科技有限公司_202410138479.9
    本申请提供了一种显示模组及其制备方法和显示装置，涉及显示技术领域，提高了材料利用率。显示模组包括阵列基板、蓝色发光层、第一电极层、色转换层、第二电极层和第三电极层，色转换层位于第一电极层背离阵列基板的一侧，色转换层包括多个光转换单元，光转换...
    2025-09-14
  • QLED器件及其制备方法和应用
    QLED器件及其制备方法和应用_合肥维信诺科技有限公司_202410139880.4
    本发明涉及一种QLED器件及其制备方法和应用。一种QLED器件包括：设置于衬底一侧的红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元；红色子像素单元包括红色量子点层；沿垂直于衬底方向，绿色子像素单元包括依次层叠设置的绿色量子点层和红色量子点层...
    2025-09-14
  • 显示面板、显示装置、显示面板的制备方法及驱动方法
    显示面板、显示装置、显示面板的制备方法及驱动方法_合肥维信诺科技有限公司_202410141967.5
    本申请公开了一种显示面板、显示装置、显示面板的制备方法及驱动方法，显示面板包括基板、隔离结构、第一发光单元、第二发光单元、像素驱动电路和感光驱动电路。隔离结构设置于基板上并围合形成多个隔离开口和透光开口，以在隔离开口内设置第一发光单元，在透...
    2025-09-14
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202410141739.8
    本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括显示区和环绕至少部分显示区设置的非显示区，显示面板包括：基板；像素定义层，设置于基板，像素定义层包括位于显示区的像素限定部和位于非显示区的定义部，像素限定部上开设有多个像素开口；发光层，包...
    2025-09-14
  • 显示基板及其制备方法、显示装置
    显示基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410140174.1
    本公开的实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高亚像素的功能层的平坦度，改善显示装置的显示效果。该显示基板包括：衬底和像素界定层在，像素界定层位于衬底的一侧；像素界定层包括多个第一挡墙和多个第二挡墙；多个第...
    2025-09-14
  • 显示装置和电子设备
    显示装置和电子设备_华为技术有限公司_202410138328.3
    本申请提供了一种显示装置和电子设备，该显示装置包括基板、平坦化层、阳极层、像素定义层、发光层和阴极层，其中，平坦化层位于像素定义层基板上，像素定义层平坦化层具有凹部；阳极层位于像素定义层平坦化层上，像素定义层阳极层至少覆盖像素定义层凹部的底...
    2025-09-14
  • 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
    显示面板、显示装置及显示面板的制造方法_云谷(固安)科技有限公司_202410132133.8
    本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，显示面板包括：基板、像素界定层和发光单元，像素界定层合围形成第一开口、第二开口和第三开口；红色发光单元设置于第一开口，绿色发光单元设置于第二开口，蓝色发光单元设置于第三开口；像素界定层朝...
    2025-09-14
  • 显示面板和显示设备
    显示面板和显示设备_华为技术有限公司_202410142411.8
    本申请提供一种显示面板和显示设备。显示面板包括堆叠的基材层、像素单元和微透镜层。微透镜层位于像素单元背向基材层的一侧，微透镜层包括低折射层和高折射层，高折射层的折射率大于低折射层的折射率；像素单元在基材层形成第一投影，第一投影包括四条直边；...
    2025-09-14
  • 钙钛矿电池及其制备方法、钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置
    钙钛矿电池及其制备方法、钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410137252.2
    本申请提供了一种钙钛矿电池及其制备方法、钙钛矿电池组件、叠层电池、用电装置和发电装置，钙钛矿电池包括叠层设置的如下结构：钙钛矿层，空穴传输层，包含金属氧化物，以及钝化层，设置于钙钛矿层和空穴传输层之间，钝化层包含具有还原性金属阳离子的第一化...
    2025-09-14
  • 栅线转印胶膜制备方法、装置以及栅线制备方法
    栅线转印胶膜制备方法、装置以及栅线制备方法_天合光能股份有限公司_202410141048.8
    本申请涉及一种栅线转印胶膜制备方法、装置以及栅线制备方法。转印膜制备方法包括提供转印胶膜，于转印胶膜表面形成与太阳能电池栅线对应的栅线凹槽，在栅线凹槽中填充浆料以形成栅线图形，进一步对转印胶膜进行加固处理，使得浆料固定于栅线凹槽。通过本申请...
    2025-09-14
  • 半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410139471.4
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决低电压晶体管背栅漏电的问题。所述半导体器件包括衬底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一源极、第一漏极、第一栅极绝缘层、第一栅极层和第一绝缘层...
    2025-09-14
  • 一种堆叠结构和存储器设备
    一种堆叠结构和存储器设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410139787.3
    本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种堆叠结构和存储器设备，其中，堆叠结构包括堆叠设置的多个芯片组，每一个芯片组包括：第一存储器芯片，堆叠在第一存储器芯片上的存内计算芯片和堆叠在存内计算芯片上的第二存储器芯片。本公开将存内计算芯片和第一存...
    2025-09-14
  • 半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410140910.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括第一表面；多个沟道结构，均沿第一方向贯穿所述堆叠结构，所述沟道结构包括沿所述第一方向延伸并突出于所述第一表面的沟道层；以及导电层，沿所述第一方向位...
    2025-09-14
  • 半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统
    半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410138218.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构；以及沟道结构，包括沿第一方向贯穿所述堆叠结构的半导体层，所述半导体层包括沿所述第一方向相对设置的第一端和第二端，所述第一端包括第一掺杂剂，所述第一端的...
    2025-09-14
  • 存储器装置、集成电路及操作存储器装置的方法
    存储器装置、集成电路及操作存储器装置的方法_艾元创新有限公司_202410137306.5
    本案提供一种存储器装置。存储器装置包含单次可编程非挥发性存储器单元，其包含反熔丝元件、第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管。反熔丝元件具有耦接编程线的第一端。第一晶体管耦接在反熔丝元件的第二端及源极线之间，第一晶体管导通以形成对反熔丝元件的写...
    2025-09-14
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410139122.2
    一种半导体结构及其制备方法、电子设备，该半导体结构包括：衬底；存储阵列，设置于衬底上，包括呈阵列排布的多个存储单元，每一存储单元包括互相电连接的读晶体管和写晶体管，读晶体管和写晶体管在沿垂直于衬底表面的第一方向叠置；写字线，沿第二方向延伸，...
    2025-09-14
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统
    半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410141617.9
    本公开提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件、存储系统，涉及半导体芯片技术领域。该制备方法包括提供半导体结构，半导体结构包括多个晶体管以及设置于多个晶体管之间的绝缘材料，多个晶体管沿第一方向排布成行，且沿第二方向排布成列。其中，晶体管的...
    2025-09-14
  • 半导体结构及其制作方法、存储器及其系统
    半导体结构及其制作方法、存储器及其系统_长江存储科技有限责任公司_202410141317.0
    本公开实施例提出了一种半导体结构及其制作方法、存储器及其系统；半导体结构的制作方法包括：形成堆叠设置的第一介质层和第二介质层，以及位于第一介质层中的半导体柱；形成贯穿第二介质层的第一凹槽，以暴露出半导体柱的顶面；在第一凹槽中形成连接结构，连...
    2025-09-14
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410139767.6
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层、沿垂直于衬底的方向堆叠分布；存储单元包括沿平行于衬底的第一方向排列的晶体管的第一电极、半导体层、第二电极；沿平行于衬底的第二方向延伸的多条...
    2025-09-14
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