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最新专利技术
  • 用于预测造血干细胞移植后脓毒症休克患者死亡风险的装置、设备和存储介质
    用于预测造血干细胞移植后脓毒症休克患者死亡风险的装置、设备和存储介质_北京大学人民医院_202410135760.7
    本发明公开了一种用于预测造血干细胞移植后脓毒症休克患者死亡风险的装置、设备和存储介质。本发明还公开了预测造血干细胞移植后脓毒症休克患者死亡风险的CARPET积分模型以及基于该CARPET积分模型预测造血干细胞移植后脓毒症休克患者死亡风险的方...
    2025-09-17
  • 一种匹配性表贴式精密电阻网络的制造方法
    一种匹配性表贴式精密电阻网络的制造方法_深圳市振华微电子有限公司_202410143617.2
    本申请提出一种匹配性表贴式精密电阻网络的制造方法，包括以下步骤，首先对基板进行清洗，去除基板表面脏污，然后在基板上依次沉积电阻层、阻挡层及电极层，接着刻蚀出电阻及电极的图形，再然后将刻蚀后得到的样品放置在温度100‑400℃，时间1‑24h...
    2025-09-17
  • 一种降噪变压器
    一种降噪变压器_江苏恒通通用电气有限公司_202410132454.8
    本申请公开了一种降噪变压器，涉及变压器技术领域，包括箱体和柜门，还包括散热组件；所述散热组件包括遮挡板、散热部和进气部；所述遮挡板固定在箱体顶部，遮挡板上开有散热槽，散热槽底部开有开口，开口与箱体内部相通，开口中固定有通风板；所述散热部包括...
    2025-09-17
  • 绕线元件的磁芯散热结构及其制造方法
    绕线元件的磁芯散热结构及其制造方法_漳州美翔电子科技有限公司_202410135506.7
    本发明为一种绕线元件的磁芯散热结构，包括一芯柱及一连接于所述芯柱一端的基座，其中，所述芯柱及与所述基座中具有至少一连通外部的孔，且在所述孔中布有一金属流体，并在所述芯柱或基座的外表面设有一金属层与所述金属流体相连，借此，所述磁芯所吸收的环境...
    2025-09-17
  • 一种半匝绕组变压器、电路拓扑和功率装置
    一种半匝绕组变压器、电路拓扑和功率装置_上海沛塬电子有限公司_202410136938.X
    本发明一方面公开了一种半匝绕组变压器、电路拓扑和功率装置，所述半匝绕组变压器包括磁芯、两个高压绕组和四个低压绕组；所述磁芯包括两个磁基板和至少三个磁柱，所述至少三个磁柱一字排开。本发明的半匝绕组变压器，可以实现中间母线变换装置的多种输入电压...
    2025-09-17
  • 电感式键盘装置
    电感式键盘装置_群光电子股份有限公司_202410137118.2
    一种电感式键盘装置包括电路板、环状电感及按键。电路板具有组装区，组装区具有孔洞。环状电感设置于孔洞内部，环状电感环绕形成轴向感应通道。按键包括键帽与磁性件，键帽设置于组装区上方并位于高度位置，磁性件连接于键帽，且磁性件的位置对应于轴向感应通...
    2025-09-17
  • 一种低压断路器的动触头系统
    一种低压断路器的动触头系统_上海电器股份有限公司人民电器厂_202410136604.2
    本发明属于低压断路器技术领域，涉及一种低压断路器的动触头系统，包括构成触头框架的触头支持和侧板、设于侧板上的第二转动轴，以及动触头片、软联结、动母排、动触头，其中触头支持上间隔设有多个分隔板，动触头片转动设于相邻分隔板之间；相邻分隔板之间还...
    2025-09-17
  • 一种低压断路器的动触头系统
    一种低压断路器的动触头系统_上海电器股份有限公司人民电器厂_202410136601.9
    本发明属于低压断路器技术领域，涉及一种低压断路器的动触头系统，设于断路器的腔体内，包括构成触头框架的触头支持和侧板、设于侧板上的第二转动轴，以及动触头片、软联结、动母排、动触头，触头支持上间隔设有多个分隔板，动触头片转动设于相邻分隔板之间；...
    2025-09-17
  • 多层掩膜蒸发制备非平面预制金锡热沉的方法
    多层掩膜蒸发制备非平面预制金锡热沉的方法_深圳市振华微电子有限公司_202410147661.0
    本申请提出一种多层掩膜蒸发制备非平面预制金锡热沉的方法，该方法首先对基板进行非平面切割，然后在基板上的非平面的表面上制备底层，并进行刻蚀，接着制备第一层掩膜层，留有预留金锡区域，然后在第一层掩膜层上方叠加多层掩膜层，形成底切型结构，得到实际...
    2025-09-17
  • 一种封装结构及制作方法
    一种封装结构及制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410140367.7
    本发明提供一种封装结构及制作方法，该方法包括：提供封装基板，封装基板包括相对设置的第一面和第二面，封装基板的第一面设有微凸块；提供多个芯片，芯片包括相对设置的正面和背面，芯片的正面设有芯片焊盘，将芯片焊盘和微凸块通过助焊剂焊接，其中，相邻的...
    2025-09-17
  • 一种限位柱同心度调试系统及其调试方法
    一种限位柱同心度调试系统及其调试方法_苏州芯睿科技有限公司_202410137035.3
    本发明涉及晶圆键合技术领域，尤其涉及一种限位柱同心度调试系统及其调试方法。该调试系统包括载盘和至少两个限位柱，限位柱沿载盘的周向设置在载盘上，限位柱包括限位键和柱体，限位键上呈阶梯设置第一限位面和第二限位面，且第一限位面围设形成第一限位空间...
    2025-09-17
  • 一种限位工装
    一种限位工装_苏州芯睿科技有限公司_202410137055.0
    本发明涉及晶圆键合设备技术领域，尤其涉及一种限位工装。该限位工装包括上盘，上盘包括主体和凸盘，凸盘自主体的下端面向下方凸出设置，且凸盘的直径小于主体的直径，凸盘的下端面为第一基准面，第一基准面能够与限位柱的承载面搭接，凸盘的外周面为与载盘同...
    2025-09-17
  • 一种改善晶圆切口碎片的方法
    一种改善晶圆切口碎片的方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410144535.X
    本发明提供一种改善晶圆切口碎片的方法，包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面；提供临时载板，将所述晶圆的正面键合于所述临时载板，所述晶圆和所述临时载板之间设有键合胶层；对所述晶圆的背面进行减薄，其中，减薄后的所述晶圆在切口...
    2025-09-17
  • 半导体器件及其制造方法、存储系统
    半导体器件及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410140933.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、存储系统。该半导体器件包括：第一散热结构；第一半导体结构，包括外围电路；以及第二半导体结构，与第一半导体结构相键合并包括：多个半导体层，包括多个交错排布的第一导电通道和第二导电通道；以及键合层，将多个...
    2025-09-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410138489.2
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底中形成有互连金属层，基底露出互连金属层顶面，互连金属层包括用于互连的互连区域；第一介质层，覆盖基底；第一开口，贯穿互连区域的第一介质层，第一开口露出互连金属层；第二介质层，填充第一开口且覆盖第...
    2025-09-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410139371.1
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底中形成有互连金属层，基底露出互连金属层顶面，互连金属层包括用于互连的互连区域；介质层，覆盖基底；开口，贯穿互连区域的介质层，开口露出互连金属层；保护层，覆盖开口底部；互连通孔结构，位于开口中，...
    2025-09-17
  • 半导体装置及其3D封装的存储器装置
    半导体装置及其3D封装的存储器装置_鲸链科技股份有限公司_202410137736.7
    本申请提出一种半导体装置及其3D封装的存储器装置。半导体装置包括电子元件层、第一连接垫层、第二连接垫层及复数第一连接件。第一连接垫层包括第一连接垫，第一连接垫与电子元件电性连接。第二连接垫层包括第二连接垫，第二连接垫与第一连接垫电性连接。复...
    2025-09-17
  • 晶圆及其制备方法、晶圆的制造设备、外延片和器件
    晶圆及其制备方法、晶圆的制造设备、外延片和器件_华为技术有限公司_202410146389.4
    本申请提供了晶圆及其制备方法、晶圆的制造设备、外延片和器件。本申请实施例提供的制造设备和制备方法可用于提供一种具有高平行精准度且平整度高的定位边的晶圆，且加工效率较高，制得的晶圆可用于提供可靠性和良品率均较高的器件。
    2025-09-17
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_成都辰显光电有限公司_202410144084.X
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板、发光层和调节件，其中，发光层设置在基板一侧，包括多个发光元件；调节件，设置在相邻两个发光元件之间，其中，调节件被配置为：在发光元件发光时，调节件的透明度小于透明度阈值，在发光元件不发光时...
    2025-09-17
  • 一种负极片及锂离子电池
    一种负极片及锂离子电池_珠海冠宇电池股份有限公司_202410136861.6
    本发明提供一种负极片及锂离子电池，所述负极片的负极活性层中包括负极活性材料和镍元素，且负极活性材料包括硅碳材料和石墨；所述负极活性层的组成满足9500≤αd/η≤24500；其中，α为所述负极活性层中镍元素的含量；η为所述负极活性层中硅元素...
    2025-09-17
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